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ご注意
安全設計に関するお願い
1.
弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導½½品は故障が発生したり、誤動½する場合があり
ます。弊社の半導½½品の故障又は誤動½によって結果として、人身事故、火½事故、社会的損害などを
生じさせないような安全性を考慮した冗長設計、
延焼対策設計、
誤動½防止設計などの安全設計に十分ご
留意ください。
本資料ご利用に際しての留意事項
1.
本資料は、お客様が用途に応じた適切なルネサス テクノロジ½品をご購入いただくための参考資料であ
り、
本資料中に記載の技術情報についてルネサス テクノロジが所有する知的財産権その他の権利の実½、
½用を許諾するものではありません。
2.
本資料に記載の½品データ、
図、
表、
プログラム、
アルゴリズムその他応用回路例の½用に起因する損害、
第三者所有の権利に対する侵害に関し、ルネサス テクノロジは責任を負いません。
3.
本資料に記載の½品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他全ての情報は本資料発行時点のも
のであり、ルネサス テクノロジは、予告なしに、本資料に記載した½品または仕様を変更することがあ
ります。ルネサス テクノロジ半導½½品のご購入に½たりましては、事前にルネサス テクノロジ、ルネ
サス販売または特約店へ最新の情報をご確認頂きますとともに、ルネサス テクノロジホームページ
( http://www.renesas.com )などを通じて公开される情报に常にご注意ください。
4.
本資料に記載した情報は、正確を期すため、
慎重に制½したものですが万一本資料の記述誤りに起因する
損害がお客様に生じた場合には、ルネサス テクノロジはその責任を負いません。
5.
本資料に記載の½品データ、 表に示す技術的な内容、
図、
プログラム及びアルゴリズムを流用する場合は、
技術内容、プログラム、アルゴリズム単½で評価するだけでなく、システム全½で十分に評価し、お客様
の責任において適用可否を判断してください。ルネサス テクノロジは、適用可否に対する責任は負いま
せん。
6.
本資料に記載された½品は、
人½にかかわるような状況の下で½用される機器あるいはシステムに用いら
れることを目的として設計、½造されたものではありません。本資料に記載の½品を運輸、移動½用、医
療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底中継用機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討
の際には、ルネサス テクノロジ、ルネサス販売または特約店へご照会ください。
7.
本資料の転載、複½については、文書によるルネサス テクノロジの事前の承諾が必要です。
8.
本資料に関し詳細についてのお問い合わせ、
その他お気付きの点がございましたらルネサス テクノロジ、
ルネサス販売または特約店までご照会ください。
H5N2509P
シリコン
N
チャネル
MOSFET
高速度電力スイッチング
ADJ - 208-1535B ( Z)
3
2002.06
特長
½オン抵抗:R
DS ( ON)
= 0.053
典型值。
ドレイン遮断電流が½い:I
DSS
= 1
A
最大(在V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V)
スイッチング速度が速い: TF
= 110 ns的典型值(我
D
= 15 A,R
L
= 8.3
,
V
GS
= 10 V)
入力ダイナミック容量(Qg)が½い:Qg
= 110 NC典型值( V
DD
= 200 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 30 A)
アバランシェ保証
外観図
TO–3P
D
G
1
S
1.
2.
2
3
(
3.
)
H5N2509P
絶対最大定格
( TA = 25°C )
項目
ドレイン
·
½ース電圧
ゲート
·
½ース電圧
ドレイン電流
せん頭ドレイン電流
逆ドレイン電流
せん頭逆ドレイン電流
アバランシェ電流
許容チャネル損失
チャネルケース間熱抵抗
記号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
1
I
DR
I
DR (脉冲)
1
I
AP
3
PCH
2
θ
CH-C
定格値
250
±30
30
120
30
120
30
150
0.833
150
-55到+150
単½
V
V
A
A
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
总胆固醇
チャネル温度
TSTG
保存温度
注)
1. PW ≦为10μs ,占空比≦ 1 %での许容値
2. TC = 25 ℃における许容値
3.总胆固醇≦ 150 ℃
電気的特性
( TA = 25°C )
項目
ドレイン
·
½ース破壊電圧
ドレイン遮断電流
ゲート遮断電流
ゲート
·
½ース遮断電圧
ドレイン
·
½ースオン抵抗
順伝達アドミタンス
入力容量
出力容量
帰還容量
ターン
·
オン遅延時間
上昇時間
ターン
·
オフ遅延時間
下降時間
ゲートチャージ量
ゲート½ースチャージ量
ゲートドレインチャージ量
ダイオード順電圧
逆回復時間
逆回復電荷量
注)
4.
パルス測定
記号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
V
DF
TRR
QRR
250
3.0
17
典型值
0.053
28
3600
450
115
48
120
190
110
110
19
53
0.9
210
1.8
最大
±0.1
1
4.0
0.069
1.35
単½
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
測定条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 15 A,V
GS
= 10 V
4
I
D
= 15 A,V
DS
= 10 V
4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 8.3
RG = 10
V
DD
= 200 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
F
= 30 A,V
GS
= 0
I
F
= 30 A,V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
2
H5N2509P
主特性
200
P沟(W)的
(A)
1000
300
10
PW
DC
Op
er
a
150
100
1
=
10
m
10
ms
s(
I
D
0
s
s
30
100
10
3
50
TIO
n
(T
c=
1s
ho
t)
1
R
DS ( ON)
0.3
0.1
TA = 25°C
1
3
10
30
25
°
C
)
0
50
100
150
TC ( ℃)
200
100 300 1000
V
DS
(V)
100
10 V
(A)
100
V
DS
= 10 V
7V
(A)
80
8V
80
I
D
60
6V
40
5.5 V
20
5V
V
GS
= 4.5 V
0
4
8
12
16
V
DS
(V)
20
I
D
60
40
TC = 75℃
25°C
25°C
2
4
6
8
V
GS
(V)
10
20
0
3
ご注意
安全設計に関するお願い
1.
弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導½½品は故障が発生したり、誤動½する場合があり
ます。弊社の半導½½品の故障又は誤動½によって結果として、人身事故、火½事故、社会的損害などを
生じさせないような安全性を考慮した冗長設計、
延焼対策設計、
誤動½防止設計などの安全設計に十分ご
留意ください。
本資料ご利用に際しての留意事項
1.
本資料は、お客様が用途に応じた適切なルネサス テクノロジ½品をご購入いただくための参考資料であ
り、
本資料中に記載の技術情報についてルネサス テクノロジが所有する知的財産権その他の権利の実½、
½用を許諾するものではありません。
2.
本資料に記載の½品データ、
図、
表、
プログラム、
アルゴリズムその他応用回路例の½用に起因する損害、
第三者所有の権利に対する侵害に関し、ルネサス テクノロジは責任を負いません。
3.
本資料に記載の½品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他全ての情報は本資料発行時点のも
のであり、ルネサス テクノロジは、予告なしに、本資料に記載した½品または仕様を変更することがあ
ります。ルネサス テクノロジ半導½½品のご購入に½たりましては、事前にルネサス テクノロジ、ルネ
サス販売または特約店へ最新の情報をご確認頂きますとともに、ルネサス テクノロジホームページ
( http://www.renesas.com )などを通じて公开される情报に常にご注意ください。
4.
本資料に記載した情報は、正確を期すため、
慎重に制½したものですが万一本資料の記述誤りに起因する
損害がお客様に生じた場合には、ルネサス テクノロジはその責任を負いません。
5.
本資料に記載の½品データ、 表に示す技術的な内容、
図、
プログラム及びアルゴリズムを流用する場合は、
技術内容、プログラム、アルゴリズム単½で評価するだけでなく、システム全½で十分に評価し、お客様
の責任において適用可否を判断してください。ルネサス テクノロジは、適用可否に対する責任は負いま
せん。
6.
本資料に記載された½品は、
人½にかかわるような状況の下で½用される機器あるいはシステムに用いら
れることを目的として設計、½造されたものではありません。本資料に記載の½品を運輸、移動½用、医
療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底中継用機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討
の際には、ルネサス テクノロジ、ルネサス販売または特約店へご照会ください。
7.
本資料の転載、複½については、文書によるルネサス テクノロジの事前の承諾が必要です。
8.
本資料に関し詳細についてのお問い合わせ、
その他お気付きの点がございましたらルネサス テクノロジ、
ルネサス販売または特約店までご照会ください。
H5N2509P
シリコン
N
チャネル
MOSFET
高速度電力スイッチング
ADJ - 208-1535B ( Z)
3
2002.06
特長
½オン抵抗:R
DS ( ON)
= 0.053
典型值。
ドレイン遮断電流が½い:I
DSS
= 1
A
最大(在V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V)
スイッチング速度が速い: TF
= 110 ns的典型值(我
D
= 15 A,R
L
= 8.3
,
V
GS
= 10 V)
入力ダイナミック容量(Qg)が½い:Qg
= 110 NC典型值( V
DD
= 200 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 30 A)
アバランシェ保証
外観図
TO–3P
D
G
1
S
1.
2.
2
3
(
3.
)
H5N2509P
絶対最大定格
( TA = 25°C )
項目
ドレイン
·
½ース電圧
ゲート
·
½ース電圧
ドレイン電流
せん頭ドレイン電流
逆ドレイン電流
せん頭逆ドレイン電流
アバランシェ電流
許容チャネル損失
チャネルケース間熱抵抗
記号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
1
I
DR
I
DR (脉冲)
1
I
AP
3
PCH
2
θ
CH-C
定格値
250
±30
30
120
30
120
30
150
0.833
150
-55到+150
単½
V
V
A
A
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
总胆固醇
チャネル温度
TSTG
保存温度
注)
1. PW ≦为10μs ,占空比≦ 1 %での许容値
2. TC = 25 ℃における许容値
3.总胆固醇≦ 150 ℃
電気的特性
( TA = 25°C )
項目
ドレイン
·
½ース破壊電圧
ドレイン遮断電流
ゲート遮断電流
ゲート
·
½ース遮断電圧
ドレイン
·
½ースオン抵抗
順伝達アドミタンス
入力容量
出力容量
帰還容量
ターン
·
オン遅延時間
上昇時間
ターン
·
オフ遅延時間
下降時間
ゲートチャージ量
ゲート½ースチャージ量
ゲートドレインチャージ量
ダイオード順電圧
逆回復時間
逆回復電荷量
注)
4.
パルス測定
記号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
V
DF
TRR
QRR
250
3.0
17
典型值
0.053
28
3600
450
115
48
120
190
110
110
19
53
0.9
210
1.8
最大
±0.1
1
4.0
0.069
1.35
単½
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
測定条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 15 A,V
GS
= 10 V
4
I
D
= 15 A,V
DS
= 10 V
4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 8.3
RG = 10
V
DD
= 200 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
F
= 30 A,V
GS
= 0
I
F
= 30 A,V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
2
H5N2509P
主特性
200
P沟(W)的
(A)
1000
300
10
PW
DC
Op
er
a
150
100
1
=
10
m
10
ms
s(
I
D
0
s
s
30
100
10
3
50
TIO
n
(T
c=
1s
ho
t)
1
R
DS ( ON)
0.3
0.1
TA = 25°C
1
3
10
30
25
°
C
)
0
50
100
150
TC ( ℃)
200
100 300 1000
V
DS
(V)
100
10 V
(A)
100
V
DS
= 10 V
7V
(A)
80
8V
80
I
D
60
6V
40
5.5 V
20
5V
V
GS
= 4.5 V
0
4
8
12
16
V
DS
(V)
20
I
D
60
40
TC = 75℃
25°C
25°C
2
4
6
8
V
GS
(V)
10
20
0
3
查看更多J2081535_H5N2509PPDF信息
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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