添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符J型号页 > 首字符J的型号第258页 > J111RLRA
J111, J112
JFET晶体管斩波
N沟道 - 耗尽
特点
无铅包可用*
最大额定值
等级
排水-Gate电压
栅 - 源电压
栅电流
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述= 25°C
焊接温度
工作和存储结
温度范围
符号
V
DG
V
GS
I
G
P
D
T
L
T
J
, T
英镑
价值
35
35
50
350
2.8
300
-65到+150
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
http://onsemi.com
1 DRAIN
3
2 SOURCE
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1
2
3
TO92
CASE 29-11
风格5
标记图
J11x
AYWW
G
G
J11x =器件代码
x = 1或2
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年3月 - 第2版
出版订单号:
J111/D
J111, J112
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
栅 - 源击穿电压
(I
G
= 1.0
MADC )
门反向电流
(V
GS
= -15伏直流)
门源截止电压
(V
DS
= 5.0伏,我
D
= 1.0
MADC )
汲极截止电流
(V
DS
= 5.0伏,V
GS
= -10伏直流)
基本特征
零栅极电压漏电流
(1)
(V
DS
= 15 VDC )
I
DSS
J111
J112
r
DS ( ON)
J111
J112
C
DG (上)
+
C
SG (上)
C
DG (关闭)
C
SG (关闭)
30
50
28
pF
20
5.0
2.0
W
MADC
J111
J112
I
D(关闭)
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
3.0
1.0
10
5.0
1.0
NADC
35
1.0
VDC
NADC
VDC
符号
最大
单位
静态漏源导通电阻
(V
DS
= 0.1伏)
排水门和源栅极导通电容
(V
DS
= V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
排水栅关断电容
(V
GS
= -10伏直流, F = 1.0兆赫)
源门关断电容
(V
GS
= -10伏直流, F = 1.0兆赫)
1,脉冲宽度= 300
女士,
占空比= 3.0 % 。
5.0
5.0
pF
pF
订购信息
设备
J111RL1
J111RL1G
J111RLRA
J111RLRAG
J111RLRP
J111RLRPG
J112
J112G
J112RL1
J112RL1G
J112RLRA
J112RLRAG
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
2000单位/带卷&
2000单位/带卷&
1000单位/散装
2000单位/带卷&
2000单位/带卷&
2000单位/带卷&
航运
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
J111, J112
典型的开关特性
1000
吨D( ON) ,导通延迟时间(纳秒)
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
D
,漏极电流(毫安)
20
30
50
R
K
= 0
R
K
= R
D
J111
J112
J113
T
J
= 25°C
V
GS ( OFF )
= 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
1000
500
200
吨R,上升时间( NS )
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
D
,漏极电流(毫安)
20
30
50
R
K
= 0
R
K
= R
D
T
J
= 25°C
J111
V
GS ( OFF )
= 12 V
J112
= 7.0 V
J113
= 5.0 V
图1.开启延迟时间
1000
吨D(关闭) ,关闭延迟时间(纳秒)
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
D
,漏极电流(毫安)
20
30
50
R
K
= 0
R
K
= R
D
T
J
= 25°C
J111
J112
J113
V
GS ( OFF )
= 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
1000
500
200
五六,下降时间( NS )
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
R
K
= 0
图2.上升时间
T
J
= 25°C
R
K
= R
D
J111
J112
J113
V
GS ( OFF )
= 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
D
,漏极电流(毫安)
20
30
50
图3.关闭延迟时间
图4.下降时间
注1
+V
DD
R
D
集V
DS (关闭)
= 10 V
输入
R
50
W
50
W
V
R
K
R
T
产量
R
GG
V
GG
50
W
使用测试上面所示的开关特性进行测定
电路类似于图5.在切换间隔的开始,
栅极电压在栅极电压( -V
GG
) 。漏源
电压(V
DS
)略低于漏极供电电压(V
DD
)由于
到电压分压器。因此,反向传输电容(C
RSS
)或
栅 - 漏电容(C
gd
)被充电到V
GG
+ V
DS
.
在导通时间,栅源电容(C
gs
)
排出至R的串联组合
和R
K
. C
gd
必须
放电V
DS ( ON)
通过研究
G
和R
K
串联并联
有效负载阻抗相结合( R'
D
)和漏源
电阻(R
ds
) 。在关断时,该电荷流是相反的。
预测的导通时间是作为沟道电阻有些困难
r
ds
是栅极 - 源极电压的函数。而C
gs
放电,V
GS
趋近于零和R
ds
减小。由于C
gd
排放到R
ds
,
开启时间是非线性的。在关断时,情况正好相反
有R
ds
增加为C
gd
收费。
上述的开关曲线显示2阻抗条件; 1)R
K
是等于R
D
,它模拟的级联的切换行为
级,其中所述驱动源阻抗通常是负载
阻抗前阶段,和2)R
K
= 0(低阻抗)的
驱动源阻抗是发电机。
输入脉冲
t
r
0.25纳秒
t
f
0.5纳秒
脉冲宽度= 2.0
ms
占空比
2.0%
R
GG
&放大器;
R
K
RD (RT
)
50)
RD
+
RD
)
RT
)
50
图5.开关时间测试电路
http://onsemi.com
3
J111, J112
FS ,远期转移导纳( mmho
20
J112
10
J111
10
7.0
5.0
T
通道
= 25°C
V
DS
= 15 V
C,电容(pF )
J113
7.0
5.0
C
gd
C
gs
15
3.0
2.0
0.5 0.7
3.0
2.0
1.5
T
通道
= 25°C
(C
ds
是可忽略的)
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
D
,漏极电流(毫安)
20
30
50
1.0
0.03 0.05
0.1
0.3 0.5 1.0
3.0 5.0
V
R
,反向电压(伏)
10
30
图6.典型正向转移导纳
图7.典型电容
200
RDS(ON ) ,漏极 - 源极导通状态
电阻(欧姆)
RDS(ON ) ,漏极 - 源极导通状态
电阻(标准化)
I
DSS
= 10
160毫安
25
mA
50毫安
75毫安百毫安
125毫安
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
70
40
20
50
80
110
T
通道
,路温度( ℃)
10
140
170
I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 0
120
80
T
通道
= 25°C
40
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
GS
,栅源电压(伏)
7.0
8.0
的栅源电压图8.影响
在漏源电阻
图9.影响温度对
漏源导通电阻
注2
100
RDS(ON ) ,漏极 - 源极导通状态
电阻(欧姆)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
9.0
8.0
r
DS ( ON)
@ V
GS
= 0
V
GS ( OFF )
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
VGS ,栅源电压(伏)
T
通道
= 25°C
10
在零栅极电压漏极电流(I
DSS
),是
其他J- FET特性的原则决定。
图10示出了栅源之间的关系关
电压(V
GS ( OFF )
和漏源导通电阻
(r
DS ( ON)
)到我
DSS
。大部分设备将内
±10%
在图10所示的值的该数据将是有益的
在预测的特性离散为一个给定的部分
号。
例如:
未知
r
DS ( ON)
和V
GS
范围为J112
电气特性表显示的J112
有一个我
DSS
范围为25 75毫安。图10中,示出了
r
DS ( ON)
= 52
W
对于我
DSS
= 25 mA和30
W
I
DSS
= 75 mA的电流。相应的V
GS
值是2.2 V
和4.8 V.
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
I
DSS
,零栅电压漏极电流(毫安)
我图10.影响
DSS
在漏源
电阻与栅源电压
http://onsemi.com
4
J111, J112
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格5 :
PIN 1.排放
2.源
3.门
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
传真:
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话:
81357733850
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
5
J111/D
查看更多J111RLRAPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    J111RLRA
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
J111RLRA
onsemi
24+
10000
-
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
J111RLRA
onsemi
24+
10000
TO-92(TO-226)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
J111RLRA
ONS
24+
8420
TO-92
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
J111RLRA
ON
22+
84000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
J111RLRA
ONS
2024+
9675
TO-92
优势现货,全新原装进口
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
J111RLRA
ON Semiconductor
24+
22000
000¥/片,原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
J111RLRA
ON/安森美
最新环保批次
28500
032K
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
J111RLRA
ON SEMICONDUCTOR
1405+
1000
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2850388356 复制 点击这里给我发消息 QQ:2850388351 复制
电话:0755-83039139
联系人:邓小姐
地址:深圳市福田区福华路29号16G(深圳市华美锐科技有限公司)
J111RLRA
ON SEMICONDUCTOR
193800
原装正品热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2850388359 复制 点击这里给我发消息 QQ:2850388357 复制
电话:0755-83035161
联系人:肖先生
地址:福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
J111RLRA
ON SEMICONDUCTOR
193800
原装正品热卖
查询更多J111RLRA供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!