J105 / J106 / J107 / JFTJ105
J105
J106
J107
JFTJ105
G
D
G
SOT-223
G
S
S
TO-92
D
注：资料来源&漏
可互换
N沟道开关
该器件是专为模拟或数字开关应用
非常低的导通电阻是强制性的。从工艺59采购。
绝对最大额定值*
符号
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
, T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
25
- 25
10
-55到+150
单位
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
5
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
J105 - 107
625
5.0
125
357
最大
JFTJ105
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
J105 / J106 / J107 / JFTJ105
N沟道开关
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
D（关闭）
V
GS （ OFF ）
栅源击穿电压
门反向电流
栅源截止电压
栅源截止电压
I
G
= - 10
A,
V
DS
= 0
V
GS
= - 15 V, V
DS
= 0
V
GS
= - 15 V, V
DS
= 0, T
A
= 100°C
V
DS
= - 5.0 V, V
GS
= - 10 V
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 1.0
A
105
106
107
- 4.5
- 2.0
- 0.5
- 25
- 3.0
- 200
3.0
- 10
- 6.0
- 4.5
V
nA
nA
nA
V
V
V
基本特征
I
DSS
零栅极电压漏极电流*
V
DS
= 15 V，I
GS
= 0
V
DS
≤
0.1 V, V
GS
= 0
105
106
107
105
106
107
500
200
100
3.0
6.0
8.0
mA
mA
mA
r
DS （
on
)
漏源导通电阻
小信号特性
C
DG （上）
C
SG （上）
C
DG （关闭）
C
SG （关闭）
排水闸门&源门开
电容
漏极 - 栅极关断电容
源极 - 栅极关断电容
V
DS
= 0, V
GS
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0, V
GS
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0, V
GS
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
160
35
35
pF
pF
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
典型特征
常见的漏源
特征
200
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
V
=0V
GS
-1V
常见的漏源
特征
50
V
=0V
GS
T
A
= + 25 C
0
150
40
30
- 0.1V
典型值V
= -0.7V
GS （ OFF ）
-2V
- 0.2V
100
-3V
20
10
0
- 0.3V
50
-4V
-5V
T
A
= + 25 C
0
-0.4V
- 0.5V
典型值V
= -5V
GS （ OFF ）
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
- 漏 - 源电压（V ）
2
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏 - 源电压（V ）
5
J105 / J106 / J107 / JFTJ105
N沟道开关
（续）
典型特征
（续）
参数相互作用
)
电容VS电压
2,000
f=0.1-1.0MHz
200
r
r
DS
- 漏极"ON"电阻（
V
50
20
10
5
2
1
0.1
@ VDS = 5.0V ， ID =为3nA
GS （ OFF ）
I
D
- 漏电流（mA ）
100
DS
1,000
I
DSS
顺式（ CRS） - 电容（pF）
@ VDS = 100MV ， VGS = 0
C
500
200
100
(V
=5V)
EI ?????? ， 5
20
10
5
C
HI
(V
,5
=0V)
r
DS
50
20
0.2 0.3 0.5
1
2 3
5
V
GS
- 栅极截止电压（ V）
10
10
1
0
-5
-10
-15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
-20
---归一化电阻
归漏极电阻
VS偏置电压
- 漏极"ON"电阻（
)
20
10
5
V
GS （ OFF ）
@ 5V ，为10uA
r
DSB
RDS
= ---------------
V
GS
1 - ----------
V
导通电阻VS
漏电流
V
GS
= 0
V
20
10
5
= - 3.0V
GS （ OFF ）
+125 C
+125 C
+25 C
+25 C
- 55 C
V
= - 5.0V
GS （ OFF ）
0
0
0
0
0
GS （ OFF ）
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
GS
/ V
GS （ OFF ）
归一化门源电压（ V）
--
0.5
1
1
2
3
5
10
20 30
I
D
- 漏电流（mA ）
50
100
5
r
DSB
输出电导（U姆欧）
- 跨导（U姆欧）
输出电导VS
漏电流
V DG = 5.0V
10V
15V
20V
10V
15V
20V
5.0V
10V
15V
20V
5.0V
V
r
DS
跨VS
漏电流
V DG = 10.0V
T
A
= +25
0
T
T
A
A
= - 55 C
= +25
0
0
0
C
C
F = 1.0 赫兹
T = 125
A
GS （ OFF ）
20
10
-4.0V
20
10
V
= - 1.0V
GS （ OFF ）
-2.0V
5
T A = 25
-1.0V
F = 1.0 赫兹
0
5
V
C
= - 3.0V
GS （ OFF ）
= - 5.0V
GS （ OFF ）
V
os
-
g
1
0.1
fs
0.2 0.3 0.5
1
2
3
I
D
- 漏电流（mA ）
5
10
1
0.1
g
0.2 0.3 0.5
1
2
3
I
D
- 漏电流（mA ）
5
10
J105 / J106 / J107 / JFTJ105
N沟道开关
（续）
典型特征
（续）
噪声电压VS
频率
20
V
DG
= 10 V
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
)
SOT-223
0.75
Hz
恩 - 噪声电压（NV /
15
BW = 6.0 Hz的@ F = 10Hz的， 100Hz的
= 0.2F @频率> 1.0 赫兹
TO-92
10
我= 1毫安
D
0.5
5
I
D
= 10毫安
0.25
0
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
的F - 频率（K赫兹）
30
100
0
0
25
50
75
100
温度（℃）
125
150
TO- 92卷带数据
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直： PKG 92 ，
94 （ NON PROELECTRON
系列）， 96
TO- 92标准
直： PKG 94
（ PROELECTRON系列
BCXXX ， BFXXX ， BSRXXX ）
97, 98
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
L34Z
NO LEADCLIP
2.0 K /盒
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
2001仙童半导体公司
2001年3月，修订版B1
J105/106/107
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
产品概述
产品型号
J105
J106
J107
V
GS （ OFF ）
(V)
-4.5 -10
± 2 ± 6
-0.5到-4.5
r
DS （ ON）
最大值（W）的
3
6
8
I
D（关闭）
典型值（PA ）
10
10
10
t
ON
典型值（ NS ）
14
14
14
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： J105 < 3
W
快速切换-T
ON
： 14纳秒
低泄漏： 10 pA的
低电容： 20 pF的
低插入损耗
好处
D
D
D
D
D
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”，出色的精度
良好的频率响应
消除了额外的缓冲
应用
D
D
D
D
D
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
描述
该J105 /一百○七分之一百○六是高性能JFET模拟
开关设计提供低导通电阻和快速
切换。
DS （ ON）
<3
W
保证为J105使这个
设备中最低的任何市售的JFET 。
低成本TO - 226AA （ TO- 92 ）塑料封装可用
在宽范围的带与卷盘的选项（见包装
信息） 。对于同类产品TO- 206AC （ TO- 52 ）
包装，看到U290 / 291的数据表。
TO-226AA
(TO-92)
D
1
S
2
G
3
顶视图
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
文档编号： 70230
S- 04028 -REV 。 D， 04军， 01
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
www.vishay.com
7-1
J105/106/107
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
J105
J106
J107
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
b
排水截止电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 1
mA
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 25毫安
V
DS
= 5 V, V
GS
= –10 V
T
A
= 125_C
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
–35
–25
–4.5
500
–10
–25
–2
200
–3
–3
–6
–25
V
–0.5
100
–3
–4.5
mA
–0.02
–10
–0.01
0.01
5
nA
3
3
3
3
0.7
6
8
W
V
动态
共源转发
跨
b
共源
输出电导
b
漏源导通电阻
共源
输入电容
共源反向传输
电容
等效输入
噪声电压
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= 10 V，I
D
= 25毫安
F = 1千赫
55
mS
5
3
120
20
3
160
35
6
160
35
8
160
pF
35
nV/
√Hz的
W
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安
F = 1千赫
V
DS
= 0 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 0 V, V
GS
= –10 V
F = 1 MHz的
V
DG
= 10 V，I
D
= 25毫安
F = 1千赫
开关
t
D（上）
开启时间
t
r
打开-O FF时间
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
V
DD
= 1.5 V, V
GS （H ）
= 0 V
见切换图
8
ns
5
9
NVA
6
www.vishay.com
7-2
文档编号： 70230
S- 04028 -REV 。 D， 04军， 01
J105/106/107
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
10
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
r
DS
@ I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
8
1.6
2 .0
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
20
导通电阻与漏电流
T
A
= 25_C
16
6
r
DS
I
DSS
1.2
12
V
GS （ OFF ）
= –3 V
4
0.8
8
–5 V
4
–8 V
0
10
100
I
D
- 漏电流（mA ）
1000
2
0.4
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
导通电阻与温度
10
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
I
D
= 10毫安
r
DS
变化
X
0.7%/_C
8
I
D
- 漏电流（mA ）
400
500
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –5 V
V
GS
= 0 V
–0.5 V
300
–1.0 V
–1.5 V
200
–2.0 V
100
–2.5 V
–3.0 V
6
V
GS （ OFF ）
= –3 V
–5 V
4
–8 V
2
0
–55
0
–35
–15
5
25
45
65
85
105
125
2
4
6
8
10
T
A
- 温度（ _C ）
V
DS
- 漏源电压（ V）
导通开关
20
t
r
大约独立的我
D
V
DD
= 1.5 V ，R
G
= 50
W
V
GS （ L）
= –10 V
切换时间（纳秒）
切换时间（纳秒）
关断开关
t
D（关闭）
独立设备的V
GS （关闭
)
V
DD
= 1.5 V, V
GS （ L）
= –10 V
16
t
r
t
D（上）
@ I
D
= 30毫安
8
12
t
D（关闭）
8
t
f
4
V
GS （ OFF ）
= –3 V
4
t
D（上）
@ I
D
= 10毫安
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
V
GS （ OFF ）
= –8 V
0
0
10
20
30
40
50
I
D
- 漏电流（mA ）
文档编号： 70230
S- 04028 -REV 。 D， 04军， 01
www.vishay.com
7-3
J105/106/107
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
电容与栅源电压
150
g
fs
- 正向跨导（MS ）
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
120
200
V
GS （ OFF ）
= –5 V
100
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
跨导主场迎战漏电流
T
A
= –55_C
25_C
10
C（ pF）的
90
C
国际空间站
60
C
RSS
30
125_C
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
1
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出电导与漏极电流
20
V
GS （ OFF ）
= –5 V
10
g
os
- 输出电导（MS ）
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
100
噪声电压与频率的关系
V
DG
= 10 V
T
A
= –55_C
25_C
1
125_C
e
n
- 噪声电压
(
nV
√
Hz
)
10
I
D
= 10毫安
0.1
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
1
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
正向跨导和输出电导
与门源截止电压
300
g
fs
和G
os
@ V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
g
fs
- 正向跨导（MS ）
260
24
10 nA的
g
os
- 输出电导（MS ）
克 - 输出电导（MS ）
30
100 nA的
栅极漏电流
T
A
= 125_C
百毫安
I
GSS
@ 125_C
I
G
- 栅极泄漏
1 nA的
百毫安
100 pA的
T
A
= 25_C
25毫安
25毫安
220
g
fs
g
os
18
180
12
140
6
10 pA的
I
GSS
@ 25_C
100
0
–2
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
–10
1 pA的
0
4
8
12
16
20
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
www.vishay.com
7-4
文档编号： 70230
S- 04028 -REV 。 D， 04军， 01
J105/106/107
Vishay Siliconix公司
开关时间测试电路
J105
V
GS （ L）
R
L*
I
D（上）
*无感
–12V
50 W
28毫安
V
DD
J106
–7V
50 W
27毫安
J107
–5V
50 W
26毫安
V
GS （H ）
R
L
OUT
输入脉冲
上升时间< 1纳秒
下降时间< 1纳秒
脉冲宽度为100ns
PRF 1兆赫
采样示波器
上升时间0.4纳秒
输入阻抗10兆瓦
输入电容1.5 pF的
V
GS （ L）
1 KW
V
IN
范围
51
W
51
W
文档编号： 70230
S- 04028 -REV 。 D， 04军， 01
www.vishay.com
7-5
J105 / J106 / J107 / JFTJ105
分立功率&信号
技术
J105
J106
J107
JFTJ105
G
D
G
S
TO-92
D
G
SOT-223
S
N沟道开关
该器件是专为模拟或数字开关应用
非常低的导通电阻是强制性的。从工艺59采购。
绝对最大额定值*
符号
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
, T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
25
- 25
10
-55到+150
单位
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θ
JA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
J105 / J106 / J107
350
2.8
125
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
J105 J106 J107 JFTJ105
J105 J106 // // J107 / / NDSJ105
N沟道开关
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
栅源击穿电压
门反向电流
栅源截止电压
I
G
= - 10
A,
V
DS
= 0
V
GS
= - 15 V, V
DS
= 0
V
GS
= - 15 V, V
DS
= 0, T
A
= 100°C
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 nA的
J105
J106
J107
- 25
- 3.0
- 200
- 10
- 6.0
- 4.5
V
nA
nA
V
V
V
- 4.5
- 2.0
- 0.5
基本特征
I
DSS
零栅极电压漏极电流*
V
DS
= 15 V，I
GS
= 0
V
DS
≤
0.1 V, V
GS
= 0
J105
J106
J107
J105
J106
J107
500
200
100
3.0
6.0
8.0
mA
mA
mA
r
DS （
on
)
漏源导通电阻
小信号特性
C
DG （上）
C
SG （上）
C
DG （关闭）
C
SG （关闭）
排水闸门&源门开
电容
漏极 - 栅极关断电容
源极 - 栅极关断电容
V
DS
= 0, V
GS
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0, V
GS
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0, V
GS
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
160
35
35
pF
pF
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
典型特征
常见的漏源
特征
200
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
V
=0 V
GS
-1V
常见的漏源
特征
50
V
=0V
GS
- 0.1V
T
A
= + 25 C
0
150
40
30
典型值V
= -0.7V
GS （ OFF ）
-2V
- 0.2V
100
-3V
20
10
0
- 0.3V
50
-4V
-5V
T
A
= + 25 C
0
-0.4V
- 0.5V
典型值V
= -5V
GS （ OFF ）
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
- 漏 - 源电压（V ）
2
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏 - 源电压（V ）
5
J105 / J106 / J107 / JFTJ105
N沟道开关
（续）
典型特征
（续）
参数相互作用
)
电容VS电压
2,000
f=0.1-1.0MHz
200
r
r
DS
- 漏极"ON"电阻（
50
20
10
5
2
V
@ VDS = 5.0V ， ID =为3nA
GS （ OFF ）
I
D
- 漏电流（mA ）
100
DS
1,000
I
DSS
顺式（ CRS） - 电容（pF）
@ VDS = 100MV ， VGS = 0
C
500
200
100
is
(V
DS
= 5V)
20
10
5
C
rs
( V
DS
= 0 V )
r
DS
50
20
1
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
5
V
GS
- 栅极截止电压（ V）
10
10
1
0
-5
-10
-15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
-20
---归一化电阻
归漏极电阻
VS偏置电压
)
20
10
5
V
GS （ OFF ）
@ 5V ，为10uA
r
RDS
= ---------------
V
GS
1 - ----------
V
导通电阻VS
漏电流
r
DS
- 漏极"ON"电阻（
V
GS
= 0
V
20
10
5
= - 3.0V
GS （ OFF ）
DSB
0
+125 C
+125 C
0
0
GS （ OFF ）
+25 C
+25 C
- 55 C
V
= - 5.0V
GS （ OFF ）
0
0
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
GS
/ V
GS （ OFF ）
归一化门源电压（ V）
--
0.5
r
DSB
1
1
2
3
5
10
20 30
I
D
- 漏电流（mA ）
50
100
输出电导（U姆欧）
- 跨导（U姆欧）
输出电导VS
漏电流
V DG = 5.0V
10V
15V
20V
10V
15V
20V
5.0V
10V
15V
20V
5.0V
V
跨VS
漏电流
V DG = 10.0V
T
A
= +25
0
T
A
= - 55 C
0
C
F = 1.0 赫兹
T A = 25
0
C
0
TA = + 125
GS （ OFF ）
20
10
-4.0V
20
10
V
= - 1.0V
GS （ OFF ）
-2.0V
5
T A = 25
-1.0V
F = 1.0 赫兹
0
5
V
C
= - 3.0V
GS （ OFF ）
= - 5.0V
GS （ OFF ）
V
os
-
g
1
0.1
fs
0.2 0.3 0.5
1
2
3
I
D
- 漏电流（mA ）
5
10
1
0.1
g
0.2 0.3 0.5
1
2
3
I
D
- 漏电流（mA ）
5
10
J105 / J106 / J107 / JFTJ105
N沟道开关
（续）
典型特征
（续）
噪声电压VS
频率
Hz
功耗与
环境温度
P
D
- 功耗（MW ）
350
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
20
V
DG
= 10 V
BW = 6.0 Hz的@ F = 10Hz的， 100Hz的
= 0.2F @频率> 1.0 赫兹
恩 - 噪声电压（NV /
)
15
TO-92
10
我= 1毫安
D
5
I
D
= 10毫安
0
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
的F - 频率（K赫兹）
30
100
J105/106/107
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
产品概述
产品型号
J105
J106
J107
V
GS （ OFF ）
(V)
-4.5 -10
± 2 ± 6
-0.5到-4.5
r
DS （ ON）
最大值（W）的
3
6
8
I
D（关闭）
典型值（PA ）
10
10
10
t
ON
典型值（ NS ）
14
14
14
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： J105 < 3
W
快速切换-T
ON
： 14纳秒
低泄漏： 10 pA的
低电容： 20 pF的
低插入损耗
好处
D
D
D
D
D
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”，出色的精度
良好的频率响应
消除了额外的缓冲
应用
D
D
D
D
D
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
描述
该J105 /一百○七分之一百○六是高性能JFET模拟
开关设计提供低导通电阻和快速
切换。
DS （ ON）
<3
W
保证为J105使这个
设备中最低的任何市售的JFET 。
低成本TO - 226AA （ TO- 92 ）塑料封装可用
在宽范围的带与卷盘的选项（见包装
信息） 。对于同类产品TO- 206AC （ TO- 52 ）
包装，看到U290 / 291的数据表。
TO-226AA
(TO-92)
D
1
S
2
G
3
顶视图
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
文档编号： 70230
S- 04028 -REV 。 D， 04军， 01
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
www.vishay.com
7-1
J105/106/107
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
J105
J106
J107
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
b
排水截止电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 1
mA
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 25毫安
V
DS
= 5 V, V
GS
= –10 V
T
A
= 125_C
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
–35
–25
–4.5
500
–10
–25
–2
200
–3
–3
–6
–25
V
–0.5
100
–3
–4.5
mA
–0.02
–10
–0.01
0.01
5
nA
3
3
3
3
0.7
6
8
W
V
动态
共源转发
跨
b
共源
输出电导
b
漏源导通电阻
共源
输入电容
共源反向传输
电容
等效输入
噪声电压
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= 10 V，I
D
= 25毫安
F = 1千赫
55
mS
5
3
120
20
3
160
35
6
160
35
8
160
pF
35
nV/
√Hz的
W
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安
F = 1千赫
V
DS
= 0 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 0 V, V
GS
= –10 V
F = 1 MHz的
V
DG
= 10 V，I
D
= 25毫安
F = 1千赫
开关
t
D（上）
开启时间
t
r
打开-O FF时间
t
D（关闭）
t
f
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
V
DD
= 1.5 V, V
GS （H ）
= 0 V
见切换图
8
ns
5
9
NVA
6
www.vishay.com
7-2
文档编号： 70230
S- 04028 -REV 。 D， 04军， 01
J105/106/107
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
10
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
r
DS
@ I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
8
1.6
2 .0
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
20
导通电阻与漏电流
T
A
= 25_C
16
6
r
DS
I
DSS
1.2
12
V
GS （ OFF ）
= –3 V
4
0.8
8
–5 V
4
–8 V
0
10
100
I
D
- 漏电流（mA ）
1000
2
0.4
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
导通电阻与温度
10
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
I
D
= 10毫安
r
DS
变化
X
0.7%/_C
8
I
D
- 漏电流（mA ）
400
500
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –5 V
V
GS
= 0 V
–0.5 V
300
–1.0 V
–1.5 V
200
–2.0 V
100
–2.5 V
–3.0 V
6
V
GS （ OFF ）
= –3 V
–5 V
4
–8 V
2
0
–55
0
–35
–15
5
25
45
65
85
105
125
2
4
6
8
10
T
A
- 温度（ _C ）
V
DS
- 漏源电压（ V）
导通开关
20
t
r
大约独立的我
D
V
DD
= 1.5 V ，R
G
= 50
W
V
GS （ L）
= –10 V
切换时间（纳秒）
切换时间（纳秒）
关断开关
t
D（关闭）
独立设备的V
GS （关闭
)
V
DD
= 1.5 V, V
GS （ L）
= –10 V
16
t
r
t
D（上）
@ I
D
= 30毫安
8
12
t
D（关闭）
8
t
f
4
V
GS （ OFF ）
= –3 V
4
t
D（上）
@ I
D
= 10毫安
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
V
GS （ OFF ）
= –8 V
0
0
10
20
30
40
50
I
D
- 漏电流（mA ）
文档编号： 70230
S- 04028 -REV 。 D， 04军， 01
www.vishay.com
7-3
J105/106/107
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
电容与栅源电压
150
g
fs
- 正向跨导（MS ）
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
120
200
V
GS （ OFF ）
= –5 V
100
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
跨导主场迎战漏电流
T
A
= –55_C
25_C
10
C（ pF）的
90
C
国际空间站
60
C
RSS
30
125_C
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
1
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出电导与漏极电流
20
V
GS （ OFF ）
= –5 V
10
g
os
- 输出电导（MS ）
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
100
噪声电压与频率的关系
V
DG
= 10 V
T
A
= –55_C
25_C
1
125_C
e
n
- 噪声电压
(
nV
√
Hz
)
10
I
D
= 10毫安
0.1
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
1
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
正向跨导和输出电导
与门源截止电压
300
g
fs
和G
os
@ V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
g
fs
- 正向跨导（MS ）
260
24
10 nA的
g
os
- 输出电导（MS ）
克 - 输出电导（MS ）
30
100 nA的
栅极漏电流
T
A
= 125_C
百毫安
I
GSS
@ 125_C
I
G
- 栅极泄漏
1 nA的
百毫安
100 pA的
T
A
= 25_C
25毫安
25毫安
220
g
fs
g
os
18
180
12
140
6
10 pA的
I
GSS
@ 25_C
100
0
–2
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
–10
1 pA的
0
4
8
12
16
20
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
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7-4
文档编号： 70230
S- 04028 -REV 。 D， 04军， 01
J105/106/107
Vishay Siliconix公司
开关时间测试电路
J105
V
GS （ L）
R
L*
I
D（上）
*无感
–12V
50 W
28毫安
V
DD
J106
–7V
50 W
27毫安
J107
–5V
50 W
26毫安
V
GS （H ）
R
L
OUT
输入脉冲
上升时间< 1纳秒
下降时间< 1纳秒
脉冲宽度为100ns
PRF 1兆赫
采样示波器
上升时间0.4纳秒
输入阻抗10兆瓦
输入电容1.5 pF的
V
GS （ L）
1 KW
V
IN
范围
51
W
51
W
文档编号： 70230
S- 04028 -REV 。 D， 04军， 01
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7-5
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