焦耳/ SST111系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX的J / SST111系列
低栅极漏电流
快速开关
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
结工作温度
最大功率耗散
连续功率耗散（J ）
连续功率耗散（ SST ）
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏
门源
-35V
-35V
50mA
360mW
350mW
-55 ℃150℃
-55 135℃
S摹
1 2 3
92
1
单N沟道JFET
5pA
4ns
J系列
TO-92
底部视图
SST系列
SOT-23
顶视图
D
S
1
3
2
G
静态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS （ F）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
r
DS （ ON）
特征
栅源击穿电压
门源截止电压
门源正向电压
漏极至源极饱和电流
2
栅极漏电流
门工作电流
排水截止电流
漏极至源极导通电阻
-0.005
-5
0.005
1
30
1
50
1
100
0.7
20
-1
5
-1
2
-1
mA
nA
pA
nA
典型值
J/SST111
民
-35
-3
-10
最大
J/SST112
民
-35
-1
-5
最大
J/SST113
民
-35
-3
V
最大
单位
条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
V
DS
= 5V ，我
D
= 1A
I
G
= 1mA时， V
DS
= 0V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
V
DG
= 15V ，我
D
= 10毫安
V
DS
= 5V, V
GS
= -10V
I
G
= 1mA时， V
DS
= 0V
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
动态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
特征
正向跨导
输出电导
漏极至源极导通电阻
输入电容
反向传输电容
等效噪声电压
7
3
3
典型值
6
25
30
12
5
50
12
5
100
12
5
J/SST111
民
最大
J/SST112
民
最大
J/SST113
民
最大
单位
mS
S
pF
纳伏/赫兹÷
条件
V
DS
= 20V ，我
D
= 1毫安
f
= 1kHz时
V
GS
= 0V时，我
D
= 0毫安
f
= 1kHz时
V
DS
= 0V, V
GS
= -10V
f
= 1MHz的
V
DG
= 10V ，我
D
= 1毫安
f
= 1千赫
开关特性
符号。
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
启动时间
关闭时间
典型值
2
2
6
15
ns
V
DD
= 10V
V
GS （H ）
= 0V
单位
条件
开关电路特性
符号。
V
GS （ L）
R
L
I
D（上）
J/SST111
-12V
800
12mA
J/SST112
-7V
1600
6mA
J/SST113
-5V
3200
3mA
TO-92
0.175
0.195
0.130
0.155
0.045
0.060
0.170
0.195
SOT-23
0.89
1.03
切换测试电路
V
DD
1
1.78
2.05
0.37
0.51
LS XXX
YYWW
V
GS （H ）
R
L
OUT
3
2
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
2.80
3.04
V
GS （ L）
1k
51
0.016
0.022
0.500
0.610
0.014
0.020
0.89
1.12
51
1
2
3
0.013
0.100
0.095
0.105
0.045
0.055
尺寸
英寸。
0.55
尺寸
MILLIMETERS
笔记
1.
2.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
脉冲测试： PW
≤
300μS ，占空比
≤
3%
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
焦耳/ SST111系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX的J / SST111系列
低栅极漏电流
快速开关
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
结工作温度
最大功率耗散
连续功率耗散（J ）
连续功率耗散（ SST ）
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏
门源
-35V
-35V
50mA
360mW
350mW
-55 ℃150℃
-55 135℃
S摹
1 2 3
92
1
单N沟道JFET
5pA
4ns
J系列
TO-92
底部视图
SST系列
SOT-23
顶视图
D
S
1
3
2
G
静态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS （ F）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
r
DS （ ON）
特征
栅源击穿电压
门源截止电压
门源正向电压
漏极至源极饱和电流
2
栅极漏电流
门工作电流
排水截止电流
漏极至源极导通电阻
-0.005
-5
0.005
1
30
1
50
1
100
0.7
20
-1
5
-1
2
-1
mA
nA
pA
nA
典型值
J/SST111
民
-35
-3
-10
最大
J/SST112
民
-35
-1
-5
最大
J/SST113
民
-35
-3
V
最大
单位
条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
V
DS
= 5V ，我
D
= 1A
I
G
= 1mA时， V
DS
= 0V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
V
DG
= 15V ，我
D
= 10毫安
V
DS
= 5V, V
GS
= -10V
I
G
= 1mA时， V
DS
= 0V
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
动态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
特征
正向跨导
输出电导
漏极至源极导通电阻
输入电容
反向传输电容
等效噪声电压
7
3
3
典型值
6
25
30
12
5
50
12
5
100
12
5
J/SST111
民
最大
J/SST112
民
最大
J/SST113
民
最大
单位
mS
S
pF
纳伏/赫兹÷
条件
V
DS
= 20V ，我
D
= 1毫安
f
= 1kHz时
V
GS
= 0V时，我
D
= 0毫安
f
= 1kHz时
V
DS
= 0V, V
GS
= -10V
f
= 1MHz的
V
DG
= 10V ，我
D
= 1毫安
f
= 1千赫
开关特性
符号。
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
启动时间
关闭时间
典型值
2
2
6
15
ns
V
DD
= 10V
V
GS （H ）
= 0V
单位
条件
开关电路特性
符号。
V
GS （ L）
R
L
I
D（上）
J/SST111
-12V
800
12mA
J/SST112
-7V
1600
6mA
J/SST113
-5V
3200
3mA
TO-92
0.175
0.195
0.130
0.155
0.045
0.060
0.170
0.195
SOT-23
0.89
1.03
切换测试电路
V
DD
1
1.78
2.05
0.37
0.51
LS XXX
YYWW
V
GS （H ）
R
L
OUT
3
2
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
2.80
3.04
V
GS （ L）
1k
51
0.016
0.022
0.500
0.610
0.014
0.020
0.89
1.12
51
1
2
3
0.013
0.100
0.095
0.105
0.045
0.055
尺寸
英寸。
0.55
尺寸
MILLIMETERS
笔记
1.
2.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
脉冲测试： PW
≤
300μS ，占空比
≤
3%
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
焦耳/ SST111系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
J111
J112
J113
产品概述
产品型号
J/SST111
J/SST112
J/SST113
SST111
SST112
SST113
V
GS （ OFF ）
(V)
-3至-10
-1至-5
v–3
r
DS （ ON）
最大值（W）的
30
50
100
I
D（关闭）
典型值（PA ）
5
5
5
t
ON
典型值（ NS ）
4
4
4
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 111 < 30
W
快速切换-T
ON
： 4纳秒
低漏： 5 pA的
低电容3 pF的
低插入损耗
好处
D
D
D
D
D
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”，出色的精度
良好的频率响应，低毛刺
消除了额外的缓冲
应用
D
D
D
D
D
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
描述
在J / SST111系列包括全功能的模拟开关
设计为支持一个宽范围的应用。该
焦耳/ SST113是在一个高增益放大器模式是有用的。
J系列， TO- 226AA （ TO- 92 ）塑料封装，提供
成本低，而将SST系列， TO236 （ SOT-23 ）封装，
提供表面贴装能力。无论是J和SST系列
在带与卷筒的自动组装功能（见
包装信息） 。
TO- 226AA （ TO-92 ）
D
1
D
1
3
S
2
S
2
G
对于同类产品采用TO- 206AA （ TO- 18 ）的包装，看
2N / PN / SST4391系列， 2N4856A / 4857A / 4858A和
2N5564 / 5566分之5565 （对偶）的数据表。
TO- 236 （ SOT -23 ）
G
3
顶视图
顶视图
J111
J112
J113
SST111 （C1） *
SST112 （C2） *
SST113 （C3） *
*标识代码为TO- 236
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -35 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
焊接温度（
1
/
16
“从壳体为10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
应用程序信息，请参阅AN105 。
文档编号： 70232
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
功耗
a
（TO- 236）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
（TO- 226AA ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 360毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
7-1
焦耳/ SST111系列
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
J/SST111
J/SST112
J/SST113
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
=
5
V，I
D
= 1
mA
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= 15 V，I
D
= 10毫安
V
DS
= 5 V, V
GS
= –10 V
T
A
= 125_C
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0.1 V
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
–55
–35
–3
20
–10
–35
–1
5
–1
–1
–5
–35
V
–3
2
–1
nA
pA
mA
–0.005
–3
–5
0.005
3
1
1
1
nA
30
0.7
50
100
W
V
动态
共源转发
跨
共源
输出电导
漏源导通电阻
共源
输入电容
共源反向传输
电容
等效输入
噪声电压
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= 20 V，I
D
= 1毫安
F = 1千赫
6
25
30
7
3
3
12
5
50
12
5
100
12
pF
5
nV/
√Hz的
mS
mS
W
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安
F = 1千赫
V
DS
= 0 V, V
GS
=
-10
V
F = 1 MHz的
V
DG
= 10 V，I
D
= 1毫安
F = 1千赫
开关
t
D（上）
开启时间
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V, V
GS （H ）
= 0 V
见开关电路
2
2
ns
6
15
打开-O FF时间
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
NCB
www.vishay.com
7-2
文档编号： 70232
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
焦耳/ SST111系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
100
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
200
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
100
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
导通电阻与漏电流
T
A
= 25° C
r
DS
@
I
D
=
1毫安
,
V
GS
= 0
I
DSS
@
V
DS
=
20 V, V
GS
= 0
80
I
DSS
120
160
80
V
GS （ OFF ）
= –2 V
60
60
r
DS
40
80
40
–4 V
–8 V
20
40
20
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
0
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
导通电阻与温度
200
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
I
D
= 1毫安
r
DS
改变X 0.7 ％ / _
160
4
切换时间（纳秒）
5
导通开关
t
r
大约独立的我
D
V
DD
= 5 V ，R
G
= 50
V
GS （ L）
= –10 V
t
r
120
V
GS （ OFF ）
= –2 V
3
t
D（上）
@
I
D
= 12毫安
2
80
–4 V
–8 V
40
1
t
D（上）
@
I
D
= 3毫安
0
–55 –35
–15
5
25
45
65
85
105
125
T
A
- 温度（ _C ）
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
关断开关
30
t
D（关闭）
独立设备的V
GS （关闭
)
V
DD
= 5 V, V
GS （ L）
= –10 V
24
切换时间（纳秒）
电容（pF）
24
30
电容与栅源电压
F = 1 MHz的
18
t
f
@
V
GS （ OFF ）
= –2 V
18
12
t
D（关闭）
6
t
f
@
V
GS （ OFF ）
= –8 V
0
0
2
4
6
8
10
I
D
- 漏电流（mA ）
12
C
国际空间站
@ V
DS
= 0 V
6
C
RSS
@ V
DS
= 0 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
文档编号： 70232
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
7-3
焦耳/ SST111系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
噪声电压与频率的关系
100
V
DS
= 10 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
Hz
40
g
fs
30
正向跨导和输出电导
与门源截止电压
50
g
fs
和G
os
@ V
DS
= 20 V
V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
500
克操作系统 - 输出电导（MS ）
恩 - 噪声电压内华达州/
g
os
250
10
I
D
= 1毫安
20
I
D
= 10毫安
10
1
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
栅极漏电流
10 nA的
I
D
= 10毫安
I
GSS
@ 125_C
T
A
= 125_C
100
共栅输入导纳
V
DG
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25_C
1 nA的
g
ig
1毫安
- 栅极泄漏
100 pA的
（女士）
1毫安
10 pA的
T
A
= 25_C
1 pA的
10毫安
10
b
ig
I
GSS
@ 25_C
1
I
G
0.1帕
0
6
12
18
24
30
0.1
100
200
500
1000
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
的F - 频率（MHz ）
共栅极正向导纳
100
V
DG
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25_C
–g
fg
10
（女士）
（女士）
g
fg
b
fg
1.0
10
共栅反转导纳
V
DG
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25_C
–b
rg
+g
rg
–g
rg
0.1
1
0.1
100
200
500
1000
的F - 频率（MHz ）
www.vishay.com
0.01
100
200
500
的F - 频率（MHz ）
文档编号： 70232
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
1000
7-4
焦耳/ SST111系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
共栅输出导纳
100
V
DG
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25_C
I
D
- 漏电流（mA ）
b
og
10
（女士）
100
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –4 V
80
60
V
GS
= 0 V
–0.5
g
og
1
40
–1.0
–1.5
20
–2.0
–2.5
0.1
100
200
500
1000
0
0
2
4
6
8
10
的F - 频率（MHz ）
V
DS
- 漏源电压（ V）
输出特性
40
V
GS （ OFF ）
= –4 V
32
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
24
–0.5
–1.0
16
–1.5
–2.0
8
–2.5
–3.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
–1
I
D
- 漏电流（mA ）
80
100
传输特性
V
GS （ OFF ）
= –4 V
V
DS
= 20 V
T
A
= –55_C
60
25_C
40
20
125_C
–2
–3
–4
–5
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
开关时间测试电路
J/SST111
V
GS （ L）
R
L
*
I
D（上）
*无感
–12 V
800
W
12毫安
V
DD
J/SST112
–7 V
1600
W
6毫安
J/SST113
–5 V
3200
W
3毫安
R
L
OUT
V
GS （H ）
V
GS （ L）
输入脉冲
上升时间< 1纳秒
下降时间< 1纳秒
脉冲宽度为100ns
PRF 1兆赫
采样示波器
上升时间0.4纳秒
输入阻抗10兆瓦
输入电容1.5 pF的
V
GS
范围
1
kW
51
W
51
W
文档编号： 70232
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-5
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