IXZR16N60 & IXZR16N60A / B
Z- MOS RF功率MOSFET
N沟道增强模式
N沟道增强模式开关模式射频MOSFET
低
Q
g
和Z -MOS可
TM
MOSFET工艺
低电容
R
g
高dv / dt
优化的RF操作
纳秒的开关
非常适用于C类，D ， &权证申请
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
c
= 25°C
T
c
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
j
≤
150℃ ，R
G
= 0.2
I
S
= 0
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
V / ns的
W
W
W
C / W
C / W
特点
=
=
≤
=
600 V
18 A
0.56
350
最大额定值
600
600
±20
±30
18
90
18
待定
5
>200
350
P
DC
S
D D
的s克
=的s
=
60 A = D
60 0B
6
P
DC
P
美国国土安全部
P
数字调幅广播
R
thJC
R
thJHS
T
c
= 25 ° C，减免4.4W /°C， 25°C以上
T
c
= 25°C
待定
3.0
待定
待定
符号
测试条件
特征值
(
T
J
= 25 ° C除非另有说明
)
分钟。
典型值。
马克斯。
V
4.6
±100
T
J
= 25C
T
J
=125C
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
重量
V
GS
= 0 V，I
D
= 4毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250Α
V
GS
= ±20 V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8V
DSS
V
GS
=0
600
隔离衬底上
高隔离电压（ >2500V ）
优异的热传递
升高的温度和功率
低栅极电荷和电容
容易驾驶
更快的开关
低R
DS （ ON）
极低的插入电感（ <2nH ）
无氧化铍（ BeO的）或其他
有害物质
优势
循环能力
IXYS先进的Z- MOS工艺
V
nA
A
mA
S
+175
°C
°C
+ 175
°C
°C
g
50
1
0.53
6.4
-55
175
-55
V
GS
= 20 V，I
D
= 0.5I
D25
脉冲测试，T
≤
300μS ，占空比
≤
2%
V
DS
= 50V ，我
D
= 0.5I
D25
，脉冲测试
高性能射频Z- MOS
TM
优化的RF和高速
共源RF包
A =门源漏
B =漏源门
独立包装，无绝缘
需要
1.6毫米（以0.063 ）的情况下10秒
300
3.5
IXZR16N60 & IXZR16N60A / B
Z- MOS RF功率MOSFET
符号
测试条件
特征值
(
T
J
= 25 ° C除非另有说明
)
分钟。
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
杂散
T
D（上）
T
on
T
D（关闭）
T
关闭
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
=
I
s,
V
GS
= 0 V ，脉冲检验，t ≤ 300秒，占空比
≤2%
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
I
D
= 0.5 I
D25
I
G
= 3毫安
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0.8 V
DSS
I
D
= 0.5 I
DM
R
G
= 1
（外部）
背面金属的任何引脚
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0.8 V
决策支持系统（MAX）
,
F = 1 MHz的
典型值。
马克斯。
1
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
2040
160
20
33
4
4
4
6
42
13
18
特征值
(
T
J
= 25 ° C除非另有说明
)
分钟。
典型值。
马克斯。
18
108
1.5
200
Α
A
V
ns
注意：操作达到或超过最大额定值值可能会影响器件的可靠性或对器件造成永久性损坏。
本文件中的信息被认为是准确和可靠。 IXYSRF保留随时更改信息的权利酒吧 -
在任何时候，恕不另行通知lished本文档中。
IXYS RF保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS RF的MOSFET覆盖以下一项美国专利中的一个或多个：
4,835,592
4,860,072
4,881,106
4,891,686
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
5,640,045
6,404,065
6,583,505
6,710,463
6,727,585
6,731,002
IXZR16N60 & IXZR16N60A / B
Z- MOS RF功率MOSFET
图。 1
栅极电荷与栅极至源极电压
V
S
= 300V ，我
D
= 9A ，我
G
= 3M公司
16
20
8V - 15V
7.5V
图。 2
典型的输出特性
栅极 - 源极电压（ V）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
0
0
20
40
60
80
100
120
I
D
，排水Currnet （ A）
15
10
7V
6.5V
5
6V
栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 3
典型的传输特性
V
S
= 50V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
图。 4
扩展的典型输出特性
80
顶部
12V - 15V
10V
9V
8.5V
8V
7.5V
7V
6.5V
6V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，排水Currnet （ A）
60
40
底部
20
0
0
20
40
60
80
100
120
V
GS
，栅极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。五
V
S
与
电容
10000
电容（pF）
1000
100
10
1
0
60
120
180
240
300
360
420
480
V
DS
电压（V）的
IXZR16N60 & IXZR16N60A / B
Z- MOS RF功率MOSFET
图。 6封装图
60： 1 = G 2 = D 3 = S
60A ： 1 = G ， 2 = S ， 3 = D
60B ： 1 = D ， 2 = S ， 3 = G
文件号dsIXZR16N60_A / B REV 08/09
2009 IXYS RF
An
IXYS
公司
2401研究大道，套房108
柯林斯堡，科罗拉多美国80526
970-493-1901传真： 970-493-1903
电子邮件： sales@ixyscolorado.com
网址： http://www.ixyscolorado.com
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