IXZ308N120
Z- MOS RF功率MOSFET
N沟道增强型线性175MHz的射频MOSFET
开关模式射频MOSFET
低电容Z- MOS MOSFET工艺
罗电容Z- MOS
TMTM
MOSFET工艺
优化的RF操作
线性操作
理想的类ABD ，C ，E的应用
C， & & &广播通信中的应用
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
c
= 25°C
T
c
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
j
≤
150℃ ，R
G
= 0.2
I
S
= 0
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
P
DC
=
=
=
=
1200 V
8.0 A
2.1
880 W
最大额定
英格斯
1200
1200
±20
±30
8
40
8
待定
V
V
V
V
A
A
A
mJ
5 V / ns的
>200 V / ns的
漏
P
DC
P
美国国土安全部
P
数字调幅广播
R
thJC
R
thJHS
T
c
= 25 ° C，减免4.4W /°C， 25°C以上
T
c
= 25°C
880
440
3.0
W
W
W
门
0.17 C / W
0.34 C / W
SG1
SG2
SD1
SD2
特点
分钟。
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
重量
1.6毫米（以0.063 ）的情况下10秒
V
GS
= 0 V，I
D
= 4毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250Α
V
GS
= ±20 V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8V
DSS
V
GS
=0
T
J
= 25C
T
J
=125C
典型值。
马克斯。
V
6.5
±100
50
1
V
nA
A
mA
S
+175
°C
°C
+ 175
°C
°C
g
1200
3.5
隔离衬底上
高隔离电压（ >2500V ）
优异的热传递
升高的温度和功率
低栅极电荷和电容
容易驾驶
更快的开关
低R
DS （ ON）
极低的插入电感（ <2nH ）
无氧化铍（ BeO的）或其他
有害物质
优势
循环能力
IXYS先进的Z- MOS工艺
V
GS
= 20 V，I
D
= 0.5I
D25
脉冲测试，T
≤
300μS ，占空比
≤
2%
V
DS
= 50 V，I
D
= 0.5I
D25
，脉冲测试
2.1
10.1
-55
175
-55
300
3.5
优化的RF和高速
易于安装，无需绝缘子
高功率密度
IXZ308N120
Z- MOS RF功率MOSFET
符号
测试条件
特征值
(
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
杂散
T
D（上）
T
on
T
D（关闭）
T
关闭
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;脉冲宽度有限的
T
JM
I
F=
I
s,
V
GS
= 0 V ，脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比
≤2%
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0.8 V
DSS
I
D
= 0.5 I
DM
R
G
= 1
（外部）
背面金属的任何引脚
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0.8 V
决策支持系统（MAX）
,
F = 1 MHz的
典型值。
马克斯。
1
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
1960
59
9.2
33
4
5
4
6
特征值
(
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
8
48
1.5
待定
Α
A
V
ns
IXYS RF保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS RF的MOSFET覆盖以下一项美国专利中的一个或多个：
4,835,592
4,860,072
4,881,106
4,891,686
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
5,640,045
6,404,065
6,583,505
6,710,463
6,727,585
6,731,002
IXZ308N120
Z- MOS RF功率MOSFET
10000
1000
西塞
电容的单位为pF
100
科斯
10
CRSS
1
0
200
400
600
800
1000
1200
以伏VDS
IXZ308N120的电容Vds的诗句
文件号dsIXZ308N12 REV 06/04
2004 IXYS RF
An
IXYS
公司
2401研究大道，套房108
柯林斯堡，科罗拉多美国80526
970-493-1901传真： 970-493-1903
电子邮件： info@ixysrf.com
网址： http://www.ixysrf.com
IXZ308N120
Z- MOS RF功率MOSFET
N沟道增强型线性175MHz的射频MOSFET
开关模式射频MOSFET
低电容Z- MOS MOSFET工艺
罗电容Z- MOS
TMTM
MOSFET工艺
优化的RF操作
线性操作
理想的类ABD ，C ，E的应用
C， & & &广播通信中的应用
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
c
= 25°C
T
c
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
j
≤
150℃ ，R
G
= 0.2
I
S
= 0
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
P
DC
=
=
=
=
1200 V
8.0 A
2.1
880 W
最大额定
英格斯
1200
1200
±20
±30
8
40
8
待定
V
V
V
V
A
A
A
mJ
5 V / ns的
>200 V / ns的
漏
P
DC
P
美国国土安全部
P
数字调幅广播
R
thJC
R
thJHS
T
c
= 25 ° C，减免4.4W /°C， 25°C以上
T
c
= 25°C
880
440
3.0
W
W
W
门
0.17 C / W
0.34 C / W
SG1
SG2
SD1
SD2
特点
分钟。
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
重量
1.6毫米（以0.063 ）的情况下10秒
V
GS
= 0 V，I
D
= 4毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250Α
V
GS
= ±20 V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8V
DSS
V
GS
=0
T
J
= 25C
T
J
=125C
典型值。
马克斯。
V
6.5
±100
50
1
V
nA
A
mA
S
+175
°C
°C
+ 175
°C
°C
g
1200
3.5
隔离衬底上
高隔离电压（ >2500V ）
优异的热传递
升高的温度和功率
低栅极电荷和电容
容易驾驶
更快的开关
低R
DS （ ON）
极低的插入电感（ <2nH ）
无氧化铍（ BeO的）或其他
有害物质
优势
循环能力
IXYS先进的Z- MOS工艺
V
GS
= 20 V，I
D
= 0.5I
D25
脉冲测试，T
≤
300μS ，占空比
≤
2%
V
DS
= 50 V，I
D
= 0.5I
D25
，脉冲测试
2.1
10.1
-55
175
-55
300
3.5
优化的RF和高速
易于安装，无需绝缘子
高功率密度
IXZ308N120
Z- MOS RF功率MOSFET
符号
测试条件
特征值
(
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
杂散
T
D（上）
T
on
T
D（关闭）
T
关闭
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;脉冲宽度有限的
T
JM
I
F=
I
s,
V
GS
= 0 V ，脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比
≤2%
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0.8 V
DSS
I
D
= 0.5 I
DM
R
G
= 1
（外部）
背面金属的任何引脚
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0.8 V
决策支持系统（MAX）
,
F = 1 MHz的
典型值。
马克斯。
1
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
1960
59
9.2
33
4
5
4
6
特征值
(
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
8
48
1.5
待定
Α
A
V
ns
IXYS RF保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS RF的MOSFET覆盖以下一项美国专利中的一个或多个：
4,835,592
4,860,072
4,881,106
4,891,686
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
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5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
5,640,045
6,404,065
6,583,505
6,710,463
6,727,585
6,731,002
IXZ308N120
Z- MOS RF功率MOSFET
10000
1000
西塞
电容的单位为pF
100
科斯
10
CRSS
1
0
200
400
600
800
1000
1200
以伏VDS
IXZ308N120的电容Vds的诗句
文件号dsIXZ308N12 REV 06/04
2004 IXYS RF
An
IXYS
公司
2401研究大道，套房108
柯林斯堡，科罗拉多美国80526
970-493-1901传真： 970-493-1903
电子邮件： info@ixysrf.com
网址： http://www.ixysrf.com
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