【高级技术信息1200V XPTTMIGBTGenX3TM高速IGBT20-50 kHz开关IXYH8】,IC型号IXYH82N120C3,IXYH82N120C3 PDF资料,IXYH82N120C3经销商,ic,电子元器件-51电子网

高级技术信息

1200V XPT

TM

IGBT

GenX3

TM

高速IGBT

20-50 kHz开关

IXYH82N120C3

V

CES

I

C110

V

CE （ SAT ）

t

网络连接（典型值）

=

≤

=

1200V

82A

3.2V

93ns

的TO- 247的AD

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C110

I

CM

I

A

E

AS

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

T

J

T

JM

T

英镑

T

L

T

出售

M

d

重量

最大无铅焊接温度的

1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒

安装力矩

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25° C到150° C，R

GE

= 1MΩ

连续

短暂

T

C

= 25°C

T

C

= 110°C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

V

GE

= 15V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 2Ω

钳位感性负载

T

C

= 25°C

最大额定值

1200

±20

±30

160

82

320

41

800

I

CM

= 164

@V

CE

≤

V

CES

1040

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

260

1.13/10

6

V

A

mJ

A

W

°C

纳米/ lb.in 。

g

高功率密度

低栅极驱动要求

应用

高频电源逆变器

UPS

电机驱动

SMPS

PFC电路

电池充电器

焊接机

灯镇流器

特点

优化的低开关损耗

广场RBSOA

正温度系数

VCE （ SAT ）

额定雪崩

高电流处理能力

国际标准套餐

优势

G

C

E

TAB

G =门

E =发射器

C

=收藏家

TAB =收藏家

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

BV

CES

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

I

C

= 250μA ，V

GE

= 0V

= 250μA ，V

CE

= V

GE

T

J

= 125°C

V

CE

= 0V, V

GE

=

±20V

I

C

= 82A ，V

GE

= 15V ，注1

T

J

= 125°C

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

1200

2.5

4.5

25

250

±100

2.75

3.50

3.20

V

μA

nA

V

CE

= V

CES

, V

GE

= 0V

DS100335(05/11)

IXYH82N120C3

符号测试条件

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

30

50

4060

285

110

215

26

84

29

78

4.95

192

93

2.78

29

90

7.45

200

95

3.70

0.21

S

pF

nC

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

0.12 C / W

° C / W

e

TO- 247 （ IXYH ）大纲

g

fs

C

IES

C

OES

C

水库

Q

G（ ON）的

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

R

thJC

R

乡镇卫生院

I

C

= 60A ，V

CE

= 10V ，注1

V

CE

= 25V, V

GE

= 0V ， F = 1MHz的

1

2

3

P

I

C

= 75A ，V

GE

= 15V, V

CE

= 0.5 V

CES

感性负载，T

J

= 25°C

I

C

= 80A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 0.5 V

CES

, R

G

= 2

Ω

注2

端子： 1 - 门

3极 - 发射极

2 - 集电极

280

5.00

DIM 。

感性负载，T

J

= 125°C

I

C

= 80A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 0.5 V

CES

, R

G

= 2

Ω

注2

毫米

分钟。马克斯。

A

4.7

5.3

A

1

2.2

2.54

A

2

2.2

2.6

b

1.0

1.4

b

1

1.65

2.13

b

2

2.87

3.12

C

.4

.8

D

20.80 21.46

E

15.75 16.26

e

5.20

5.72

L

19.81 20.32

L1

4.50

P

3.55

3.65

Q

5.89

6.40

R

4.32

5.49

S

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

注意事项：

1.脉冲检验，t

≤

300μS ，占空比D

≤

2%.

2.切换时间&能量损失可能会增加更高的V

CE

（钳），T

J

或R

G

.

高级技术信息

本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生

从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成

"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试

条件和尺寸，恕不另行通知。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

通过以下一种或多项美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXYH82N120C3

图。 1.输出特性@ T

J

= 25C

300

160

140

120

V

GE

= 15V

13V

11V

10V

9V

V

GE

= 15V

13V

12V

11V

10V

图。 2.扩展的输出特性@ T

J

= 25C

250

I

C

- 安培

100

80

60

40

20

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

I

C

-

安培

8V

200

9V

150

7V

8V

100

6V

50

5V

0

4.5

5

0

5

10

15

20

7V

6V

5V

25

30

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 3.输出特性@ T

J

= 125C

2.2

160

140

120

V

GE

= 15V

13V

11V

10V

9V

8V

2.0

1.8

V

GE

= 15V

图。 4.依赖的V

CE （ SAT ）

on

结温

I

C

= 164A

V

CE （ SAT ）

- 归

I

C

- 安培

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

I

C

100

80

60

40

20

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

4.5

5

5.5

7V

= 82A

6V

I

C

= 41A

5V

6

6.5

0.4

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

V

CE

- 伏特

T

J

- 摄氏

图。 5.集电极 - 发射极电压 -

门极 - 发射极电压

8.5

7.5

6.5

5.5

4.5

3.5

2.5

41A

1.5

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

0

3

3.5

4

82A

T

J

= 25C

160

140

120

图。 6.输入导纳

I

C

= 164A

I

C

-

安培

V

CE

- 伏特

100

80

60

40

20

T

J

= 125C

25C

- 40C

4.5

5

5.5

6

6.5

7

7.5

8

V

GE

- 伏特

V

GE

- 伏特

IXYH82N120C3

图。 7.跨导

80

70

60

T

J

= - 40C

14

12

10

8

6

4

2

0

20

40

60

80

100

120

140

160

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

220

16

V

CE

= 600V

I

C

= 82A

I

G

= 10毫安

图。 8.栅极电荷

25C

125C

g

F小号

-

SIEMENS

40

30

20

10

0

V

GE

- 伏特

50

I

C

- 安培

Q

G

- nanocoulombs

图。 9.电容

10,000

180

160

图。 10.反向偏置安全工作区

电容 - 皮法

资本投资者入境计划

1,000

140

120

I

C

- 安培

卓越中心

100

80

60

100

CRES

40

20

0

200

T

J

= 125C

R

G

= 2

的dV / dt < 10V / ns的

f

= 1兆赫

10

0

5

10

15

20

25

30

35

40

300

400

500

600

700

800

900

1000

1100

1200

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 11.最大瞬态热阻抗

1

Z

（日） JC

- C / W

0.1

0.01

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

脉冲宽度 - 二

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYH82N120C3

图。 12.感应开关能量损耗与

栅极电阻

8

7

6

E

关闭

V

CE

= 600V

I

C

= 80A

E

on

-

16

5

4.5

4

E

关闭

V

CE

= 600V

E

on

图。 13.感应开关能量损耗与

集电极电流

10

---

T

J

= 125℃ ，V

GE

= 15V

14

12

----

9

8

7

R

G

= 2

,

V

GE

= 15V

E

关闭

- 毫焦耳

E

关闭

- 毫焦耳

3.5

3

2.5

2

T

J

= 25C

1.5

1

0.5

40

50

60

70

80

90

T

J

= 125C

E

on

- 毫焦耳

E

on

- 毫焦耳

5

4

3

2

I

1

0

2

4

6

8

10

12

C

10

8

6

4

6

5

4

3

2

1

100

= 40A

2

0

14

16

18

R

G

- 欧姆

I

C

- 安培

图。 14.感应开关能量损耗与

结温

4.5

4

3.5

E

关闭

V

CE

= 600V

E

on

9

200

180

160

图。 15.电感关断开关时间与

栅极电阻

780

----

R

G

= 2

,

V

GE

= 15V

8

7

t

fi

V

CE

= 600V

t

D（关闭）

- - - -

700

620

T

J

= 125°C ，V

GE

= 15V

t

D（关闭）

- 纳秒

t

F I

- 纳秒

E

关闭

- 毫焦耳

E

on

- 毫焦耳

3

I

C

= 80A

2.5

2

1.5

1

0.5

25

50

75

100

I

C

= 40A

6

5

4

3

2

1

125

140

I

120

100

80

I

60

40

2

4

6

8

10

12

14

16

18

C

540

= 40A

460

380

300

= 80A

220

140

T

J

- 摄氏

R

G

- 欧姆

图。 16.电感关断开关时间与

集电极电流

280

240

200

160

T

J

= 125C

120

80

T

J

= 25C

40

0

40

50

60

70

80

90

180

170

100

200

190

240

图。 17.电感关断开关时间与

结温

240

280

t

fi

V

CE

= 600V

t

D（关闭）

- - - -

t

fi

230

200

V

CE

= 600V

t

D（上）

- - - -

260

R

G

= 2

, V

GE

= 15V

R

G

= 2

, V

GE

= 15V

t

D（关闭）

- 纳秒

t

F I

- 纳秒

210

t

F I

- 纳秒

220

t

D（关闭）

- 纳秒

160

I

C

= 40A

120

240

220

80

I

C

= 80A

200

40

180

0

25

50

75

100

160

125

I

C

- 安培

T

J

- 摄氏