IXXK100N60C3H1
IXXX100N60C3H1
符号测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
22
40
4810
455
80
150
34
60
30
70
2.00
90
75
0.95
30
65
3.00
105
115
1.40
0.15
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.18 ° C / W
° C / W
PLUS247
TM
概要
反向二极管（ FRED ）
符号测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
I
F
= 60A ，V
GE
= 0V ，说明1
I
F
= 60A ，V
GE
= 0V,
- 二
F
/ DT = 200A / μs的，V
R
= 300V
T
J
= 150°C
T
J
= 100°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
1.6
1.4
8.3
140
2.0
1.8
V
V
A
ns
0.30
° C / W
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
端子： 1 - 门
2 - 集电极
3极 - 发射极
TO- 264外形
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
乡镇卫生院
I
C
= 60A ，V
CE
= 10V ，注1
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
I
C
= 70A ，V
GE
= 15V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= 70A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 360V ，R
G
= 2
Ω
注2
终端：
1 - 门
2,4 =收藏家
3 =发射器
1.40
感性负载，T
J
= 150°C
I
C
= 70A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 360V ，R
G
= 2
Ω
注2
注意事项：
1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
2.切换时间&能量损失可能会增加更高的V
CE
（钳） ，T
J
或R
G
.
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
QQ：2881677436 复制
