IXXH50N60C3D1
符号测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
11
18
2320
138
42
64
I
C
=
36A
, V
GE
= 15V, V
CE
= 0.5
V
CES
18
25
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= 36A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 360V ，R
G
= 5
Ω
注2
24
40
0.72
62
42
0.33
25
44
1.46
80
90
0.48
0.21
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.25 ° C / W
° C / W
e
TO- 247 （ IXXH ）大纲
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
乡镇卫生院
I
C
=
36A
, V
CE
= 10V ，注1
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
1
2
3
P
端子： 1 - 门
3 - 发射的
2 - 集电极
100
0.55
DIM 。
感性负载，T
J
= 150°C
I
C
= 36A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 360V ，R
G
= 5
Ω
注2
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
反向二极管（ FRED ）
符号测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
I
F
= 24A ，V
GE
= 0V ，说明1
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
2.7
T
J
= 150°C
1.6
4
100
25
V
V
A
ns
ns
T
J
= 100°C
I
F
= 30A ，V
GE
= 0V ， - 二
F
/ DT = 100A / μs的，
V
R
= 100V
T
J
= 100°C
I
F
= 1A ，V
GE
= 0V ， - 二
F
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 30V
0.9 ° C / W
注意事项：
1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
2.切换时间&能量损失可能会增加更高的V
CE
（钳） ，T
J
或R
G
.
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试
条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
QQ：2880707522 复制
