【PolarHTTM功率MOSFETN沟道增强模式初步数据表IXTQ 96N15PIXTT 96N15】,IC型号IXTT96N15P,IXTT96N15P PDF资料,IXTT96N15P经销商,ic,电子元器件-51电子网

PolarHT

功率MOSFET

N沟道增强模式

初步数据表

IXTQ 96N15P

IXTT 96N15P

DSS

D25

DS （ ON）

= 150 V

= 96 A

= 24

符号

DSS

DGR

GSM

D25

D（ RMS）

dv / dt的

英镑

重量

测试条件

= 25 ℃至175 ℃的

= 25 ℃175 ℃;

= 1 M

最大额定值

150

±20

V / ns的

°C

TO-3P （ IXTQ ）

= 25°C

外部引线电流限制

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 4

= 25°C

250

1.0

480

-55 ... +175

175

-55 ... +150

（ TAB ）

TO- 268 （ IXTT ）

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

D（ TAB ）

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

安装力矩

TO-3P

TO-268

(TO-3P)

300

特点

国际标准封装

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

优势

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

5.5

5.0

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250

= V

, I

= 250A

±20

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 150°C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

150

2.5

5.0

±100

250

易于安装

节省空间

高功率密度

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

PolarHT

DMOS晶体管

利用专有的设计和

流程。美国专利正在申请中。

DS99131C(05/04)

IXTQ 96N15P

IXTT 96N15P

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。

马克斯。

3500

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

1000

280

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 60 A

= 4

（外部）

110

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

0.31 K / W

(TO-3P)

0.21

K / W

TO- 3P （ IXTQ ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。

马克斯。

250

1.5

150

2.0

TO- 268外形

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

= 25 A

-di / DT = 100 A / μs的

= 100 V

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖

一个或moreof以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

6,727,585

IXTQ 96N15P

IXTT 96N15P

图。 1.输出特性

@ 25

100

= 10V

200

175

150

= 10V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25

- 安培

0.5

1.5

2.5

125

100

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 150

100

= 10V

2.8

2.6

2.4

= 10V

- 伏特

图。 4.

DS （上

)

规范alized 0.5我

D25

值与结tem温度

S（O N）

- 归

- 安培

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

5.5

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

= 96A

= 48A

- 伏特

-50

-25

100

125

150

175

- 摄氏

图。 6.漏电流与案例

tem温度

= 175C

外部导线电流

极限

图。 5.

DS （ ON）

规范alized到

3.8

3.4

0.5 I

D25

价值与我

S（O N）

- 归

2.6

2.2

1.8

1.4

0.6

= 15V

- 安培

= 10V

= 25C

- 安培

100

150

200

250

-50

-25

- 摄氏

100

125

150

175

IXTQ 96N15P

IXTT 96N15P

图。 7.输入上将ittance

180

160

140

= -40C

25C

150C

图。 8.跨导

F小号

- 西门子

= 150C

25C

-40C

- 安培

120

100

125

150

175

200

的s

- 伏特

图。 9.源电流和

源 - 漏电压

300

250

= 75V

= 48A

= 10毫安

- 安培

图。 10.栅极电荷

- 安培

200

的s

- 伏特

= 150C

= 25C

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

150

100

S.D。

- 伏特

图。 11.电容

10000

F = 1MHz的

1000

- nanocoulombs

90 100 110

图。 12. FORW ARD偏置

安全工作区

电容 - 皮法

DS （ ON）

极限

- 安培

国际空间站

100

25s

100s

1ms

10ms

1000

OSS

= 175C

RSS

100

= 25C

- 伏特

100

1000

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXTQ 96N15P

IXTT 96N15P

图。 1 3 。 M IM AX UM牛逼失败者即NT牛逼有源冰箱，再s是tance

1.00

T H， J·C

- C / W

0.10

0.01

100

1000

浦LS东西ID日 - 米illis权证 N D s

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IXYS

19+

355

标准封装

一级授权代理IGBT模块可控硅模块二极管晶闸管熔断器保证全新原装正品

深圳市杭湘棋科技有限公司

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IXTT96N15P

IXYS/LITTELFUSE

2029

450

TO-268

450￥/片,7-14天交期

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IXYS

2025+

26820

TO-268-3

【原装优势★★★绝对有货】

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IXTT96N15P

Littelfuse Inc.

24+

10000

TO-268AA

原厂一级代理，原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

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IXYS/艾赛斯

2443+

23000

TO-268

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

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Littelfuse Inc.

24+

338

TO-268AA

全新原装现货，原厂代理。

深圳市科雨电子有限公司

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联系人：周小姐，171-4729-9698微信同号，无线联通更快捷！

地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室

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IXYS

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326

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84￥/片,★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:84元

深圳和润天下电子科技有限公司

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联系人：许先生

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IXYS/艾赛斯

23+

59580

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原装正品华强现货

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22590

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