IXTA02N450HV
IXTT02N450HV
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
V
GS
= 10V, V
DS
= 1kV的，我
D
= 0.5 I
D25
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 500V ，我
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 10Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 60V ，我
D
= 30mA时注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
60
100
256
19
5.5
76
17
48
28
143
10.4
3.4
5.0
mS
pF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1.1
° C / W
PIN码： 1 - 门
2 - 源
3 - 漏极
TO- 263 （ VHV ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
=的200mA， -di / DT = 50A / μs的，V
R
= 100V
1.6
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
200毫安
800毫安
1.5
V
μs
TO- 268 （ VHV ）大纲
脚：
1 - GATE
2 - 源
3 - 漏极
注意：
1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试
条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
由一个或moreof以下美国专利： 4860072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXTA02N450HV
IXTT02N450HV
图。 13.正向偏置安全工作区
@ T
C
= 25C
1,000
1,000
图。 14.正向偏置安全工作区
@ T
C
= 75C
R
DS （ ON）
极限
1ms
R
DS （ ON）
极限
1ms
I
D
- 毫安
100
10ms
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
10
100
DC
100ms
T
J
= 150C
T
C
= 75C
单脉冲
DC
1,000
10,000
10
100
1,000
10ms
I
D
- 毫安
100
100ms
10,000
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
2012 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： T_02N450 （ H5 ） 12年10月31日-A
QQ：2880707522 复制
