【沟槽栅功率MOSFETN沟道增强模式TO- 263 AA （ IXTA ）IXTA50N25T IX】,IC型号IXTQ50N25T,IXTQ50N25T PDF资料,IXTQ50N25T经销商,ic,电子元器件-51电子网

沟槽栅

功率MOSFET

N沟道增强模式

TO- 263 AA （ IXTA ）

IXTA50N25T IXTQ50N25T

IXTP50N25T IXTH50N25T

DSS

D25

DS （ ON）

≤

250V

50A

60mΩ

TO- 220AB （ IXTP ）

TO-3P （ IXTQ ）

D（ TAB ）

TO- 247 （ IXTH ）

符号

DSS

DGR

GSM

D25

英镑

重量

1.6毫米从案例（ 0.062英寸） 10秒

塑料机身10秒

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25° C到150° C，R

= 1MΩ

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

最大额定值

250

130

1.5

400

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

260

°C

Nmlb.in.

N /磅。

特点

额定雪崩

高电流处理能力

快速内在整流器

低R

DS （ ON）

优势

高功率密度

易于安装

节省空间

应用

5.0

的DC-DC Coverters

电池充电器

开关模式和谐振模

电源

直流斩波器

AC和DC马达驱动器

不间断电源

高速电源开关

应用

D（ TAB ）

=漏

TAB =漏

G =门

S =源

安装扭矩（ TO-220， TO-3P &TO -247 ）

1.13 / 10

安装力（ TO- 263 ）

10..65 / 2.2..14.6

TO-263

TO-220

TO-3P

TO-247

2.5

3.0

5.5

6.0

符号

测试条件

= 25 ° C除非另有规定编）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0V时，我

= 1毫安

= V

, I

= 1毫安

20V, V

= 0V

= V

DSS

, V

= 0V

= 125°C

= 10V ，我

= 0.5 I

D25

注意1

特征值

分钟。

典型值。马克斯。

250

3.0

100 nA的

μA

150

μA

60 mΩ

DS99346B(01/10)

IXTA50N25T IXTQ50N25T

IXTP50N25T IXTH50N25T

符号

测试条件

= 25 ° C除非另有规定编）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCH

(TO-220)

（ TO-3P & TO-247 ）

0.50

0.25

= 10V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

电阻开关时间

= 15V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 3.3Ω （外部）

= 0V, V

= 25V ， F = 1MHz的

= 10V ，我

= 0.5 I

D25

注意1

特征值

分钟。

典型值。马克斯。

4000

410

0.31

° C / W

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 25 ° C除非另有规定编）

= 0V

重复，脉冲宽度为T有限公司

= I

, V

= 0V ，说明1

= 25A ， -di / DT = 250A / μs的

= 100V, V

= 0V

166

1.9

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

200

1.5

μC

注意：

脉冲测试，T

≤

300μS ;占空比D

≤

2%.

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

由一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXTA50N25T IXTQ50N25T

IXTP50N25T IXTH50N25T

TO- 263 （ IXTA ）大纲

TO- 220 （ IXTP ）大纲

端子： 1 - 门

2 - 漏极

3 - 来源

引脚：

1 - GATE

3 - 来源

2 - 漏极

TO- 247 （ IXTH ）大纲

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

TO- 3P （ IXTQ ）大纲

端子： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

端子： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

IXTA50N25T IXTQ50N25T

IXTP50N25T IXTH50N25T

图。 1.输出特性@ T

= 25C

120

= 10V

160

140

= 10V

图。 2.扩展的输出特性@ T

= 25C

- 安培

100

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

- 伏特

图。 3.输出特性@ T

= 125C

= 10V

3.2

2.8

图。 4.

DS （ ON）

归到我

= 25A与价值

结温

= 10V

DS （ ON）

- 归

- 安培

2.4

1.6

1.2

0.8

0.4

= 50A

= 25A

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

-50

-25

100

125

150

- 伏特

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

= 25A与价值

漏电流

4.0

3.5

= 10V

= 125C

图。 6，最大漏极电流与

外壳温度

DS （ ON）

- 归

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

100

120

140

- 安培

= 25C

-50

-25

100

125

150

- 安培

- 摄氏

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXTA50N25T IXTQ50N25T

IXTP50N25T IXTH50N25T

图。 7.输入导纳

100

= - 40C

图。 8.跨导

F小号

- 西门子

125C

25C

- 安培

3.6

4.0

4.4

4.8

5.2

5.6

6.0

6.4

= 125C

25C

- 40C

100

- 伏特

- 安培

图。 9.正向电压降

征二极管

180

160

140

= 125V

= 25A

= 10毫安

图。 10.栅极电荷

- 安培

120

100

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

= 125C

= 25C

- 伏特

- nanocoulombs

图。 11.电容

10,000

1.00

图。 12.最大瞬态热阻抗

= 1兆赫

电容 - 皮法

西塞

（日） JC

- C / W

1,000

科斯

100

CRSS

0.10

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

- 伏特

脉冲宽度 - 秒

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