IXTQ 140N10P
IXTT 140N10P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
分钟。
典型值。
马克斯。
45
65
4700
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
1850
600
35
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 4
(外部)
50
85
26
155
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
33
85
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.25°C/W
(TO-3P)
0.21
° C / W
TO- 3P ( IXTQ )大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
分钟。
典型值。
马克斯。
140
300
1.5
120
2.0
A
A
V
ns
C
TO- 268 ( IXTT )大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25 A, -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 50 V, V
GS
= 0 V
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXTQ 140N10P
IXTT 140N10P
F IG 。 1 3 。 M IM AX UM牛逼失败者即NT牛逼有源冰箱 ES是tance
1.00
R
T H, J·C
- C / W
0.10
0.01
0.1
1
10
100
1000
浦LS东西ID日 - 米illis权证 N D s
2006 IXYS所有权利