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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第408页 > IXTQ140N10P
PolarHT
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
IXTQ 140N10P
IXTT 140N10P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
=
=
100 V
140 A
11 m
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
D( RMS)
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25 ℃175 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25° C
外部引线电流限制
T
C
= 25 ℃,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 4
T
C
= 25° C
最大额定值
100
100
±20
±30
140
75
300
60
80
2.5
10
600
-55 ... +175
175
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°
C
G =门
S =源
G
S
D =漏
TAB =漏
D( TAB )
TO-3P ( IXTQ )
G
D
S
( TAB )
TO- 268 ( IXTT )
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
塑料机身10秒
安装力矩
TO-3P
TO-268
(TO-3P)
300
260
特点
l
l
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
5.5
5.0
g
g
l
国际标准封装
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 175° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
100
3.0
5.0
±100
25
500
11
9
V
V
nA
A
A
m
m
优势
l
l
l
易于安装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
V
GS
= 15 V,I
D
= 300 A
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
2006 IXYS所有权利
DS99133E(12/05)
IXTQ 140N10P
IXTT 140N10P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
分钟。
典型值。
马克斯。
45
65
4700
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
1850
600
35
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 4
(外部)
50
85
26
155
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
33
85
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.25°C/W
(TO-3P)
0.21
° C / W
TO- 3P ( IXTQ )大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
分钟。
典型值。
马克斯。
140
300
1.5
120
2.0
A
A
V
ns
C
TO- 268 ( IXTT )大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
I
F
= 25 A, -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 50 V, V
GS
= 0 V
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXTQ 140N10P
IXTT 140N10P
图。 1.输出特性
@ 25
C
140
120
100
V
GS
= 10V
9V
300
270
240
V
GS
= 10V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
210
9V
I
D
- 安培
80
60
180
150
120
90
60
7V
6V
0
1
2
3
4
6
V
S
5
-
7
8
9
10
8V
8V
7V
40
20
6V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
30
0
V
S
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 150
C
140
120
100
V
GS
= 10V
9V
2.4
2.2
图。 4.
DS (上
)
规范alized 0.5我
D25
值与结tem温度
V
GS
= 10V
R
S(O N)
- 归
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I
D
= 140A
I
D
- 安培
80
60
40
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
8V
7V
6V
I
D
= 70A
5V
2
2.4
2.8
3.2
V
S
- 伏特
图。 5.
DS ( ON)
规范alized 0.5我
D25
值与漏电流
3
2.75
-50
-25
0
T
J
- 摄氏
25
50
75
100
125
150
175
图。 6.漏电流与案例
tem温度
90
80
外部引线电流限制
R
S(O N)
- 归
2.5
2.25
2
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0
50
100
V
GS
= 15V
T
J
= 175
C
70
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
V
GS
= 10V
T
J
= 25
C
I
D
- 安培
150
200
250
300
350
-50
-25
0
T
C
- 摄氏
25
50
75
100
125
150
175
2006 IXYS所有权利
IXTQ 140N10P
IXTT 140N10P
图。 7.输入上将ittance
250
225
200
90
80
70
图。 8.跨导
150
125
100
75
50
25
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
T
J
= 150
C
25
C
-40
C
g
F小号
- 西门子
175
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
T
J
= -40
C
25
C
150
C
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
300
10
9
250
200
8
7
V
DS
= 50V
I
D
= 70A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
6
5
4
3
2
1
0
150
100
50
0
V
S.D。
- 伏特
图。 11.电容
10000
1000
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
T
J
= 175
C
电容 - 皮法
国际空间站
R
DS ( ON)
极限
T
C
= 25
C
25s
100s
1ms
10ms
I
D
- 安培
1000
OSS
100
RSS
F = 1MHz的
100
0
5
10
15
10
DC
V
DS
- 伏特
20
25
30
35
40
1
10
V
S
- 伏特
100
1000
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXTQ 140N10P
IXTT 140N10P
F IG 。 1 3 。 M IM AX UM牛逼失败者即NT牛逼有源冰箱 ES是tance
1.00
R
T H, J·C
- C / W
0.10
0.01
0.1
1
10
100
1000
浦LS东西ID日 - 米illis权证 N D s
2006 IXYS所有权利
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXTQ140N10P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
IXTQ140N10P
IXYS
TO-3P
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全新原装现货!品质有保证
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电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXTQ140N10P
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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▲10/11+
8330
贴◆插
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IXTQ140N10P
IXYS
2024
20000
TO-3P
原装现货上海库存,欢迎查询
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IXTQ140N10P
IXYS/艾赛斯
2024
20918
TO-3P
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
IXTQ140N10P
IXYS/艾赛斯
23+
65000
TO-3P
原装正品 华强现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制

电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
IXTQ140N10P
IXYS/艾赛斯
20+
26000
TO-3P
全新原装 货期两周
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXTQ140N10P
IXYS/艾赛斯
2443+
23000
TO-3P
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
IXTQ140N10P
IXYS/艾赛斯
24+
21000
TO-3P
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
IXTQ140N10P
IXYS
23+
1980
TO-3P
绝对进口原装,公司现货
查询更多IXTQ140N10P供应信息

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