IXTP64N055T
IXTY64N055T
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-220
0.5
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 10 A
R
G
= 18Ω （外部）
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
17
28
1420
255
68
19
52
37
30
37
10
11
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 ， TAB - 漏
TO- 220 （ IXTP ）大纲
nC
nC
nC
1.15
° C / W
° C / W
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
V
GS
= 0 V
重复
I
F
= 25 A，V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 30 V, V
GS
= 0 V
30
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
64
170
1.2
A
A
V
ns
注意事项：
1.
脉冲测试：吨
≤
300
μs,
占空比
d
≤
2 %;
2.在通孔封装，R
DS （ ON）
开尔文测试触点位置必须
5mm或从封装体少。
TO- 252 （ IXTY ）大纲
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
L1
L2
L3
毫米
分钟。马克斯。
2.19 2.38
0.89 1.14
0 0.13
0.64 0.89
0.76 1.14
5.21 5.46
0.46 0.58
0.46 0.58
5.97 6.22
4.32 5.21
6.35 6.73
4.32 5.21
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51 1.02
0.64 1.02
0.89 1.27
2.54 2.92
英寸
分钟。
马克斯。
0.086
0.035
0
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
0.090
0.180
0.370
0.020
0.025
0.035
0.100
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
BSC
BSC
0.410
0.040
0.040
0.050
0.115
PRELIMINARYTECHNICAL
信息
1阳极
2 NC
3阳极
4阴极
本文中所呈现的产物是下
发展。该技术规范
提供系统蒸发散是从数据中得出
在目标人物塑造云集
初步工程系统蒸发散手;但
也还可能包含一些信息
在预生产设计提供
评价。 IXYS保留权利
变化范围，测试条件，并
尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6771478 B2
7,005,734 B2
7,063,975 B2
7,071,537
IXTP64N055T
IXTY64N055T
图。 13. Resistiv e打开通
上升时间v秒。结温
65
60
55
R
G
= 18
Ω
V
GS
= 10V
V
DS
= 27.5V
55
65
60
T
J
= 25C
图。 14. Resistiv e打开通
上升时间v秒。漏电流
t
r
- 纳秒
t
r
- 纳秒
50
45
40
I
D
= 30A
35
30
25
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
I
D
= 10A
50
45
40
35
30
25
20
10
R
G
= 18
Ω
V
GS
= 10V
V
DS
= 27.5V
T
J
= 125C
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 15. Resistiv e打开通
开关时间V秒。栅极电阻
90
30
42
40
38
图。 16. Resistiv e打开关闭
开关时间V秒。结温
54
50
t
r
80
t
D（上）
- - - -
28
T
J
= 125°C ，V
GS
= 10V
V
DS
= 27.5V
t
t
r
- 纳秒
I
D
= 30A
60
50
40
30
20
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
I
D
= 10A
24
22
20
18
16
t
f
-
纳秒
70
26
46
42
I
D
= 10A
38
34
I
D
= 30A
t
D（上）
D（关闭）
36
34
32
30
28
26
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
- 纳秒
- 纳秒
t
f
t
D（关闭）
- - - -
30
26
22
125
R
G
= 18
Ω
, V
GS
= 10V
V
DS
= 27.5V
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17. Resistiv e打开关闭
开关时间V秒。漏电流
40
58
120
110
54
100
图。 18. Resistiv e打开关闭
开关时间V秒。栅极电阻
130
t
f
38
36
t
D（关闭）
- - - -
t
f
t
D（关闭）
- - - -
R
G
= 18
Ω
, V
GS
= 10V
V
DS
= 27.5V
120
110
100
T
J
= 125°C ，V
GS
= 10V
V
DS
= 27.5V
t
t
t
f
- 纳秒
50
46
D（关闭）
D（关闭）
90
80
70
60
I
D
= 30A
50
40
30
20
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
I
D
= 10A
t
f
-
纳秒
34
T
J
= 125C
32
30
28
T
J
= 25C
26
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
90
80
70
60
50
40
30
- 纳秒
- 纳秒
42
38
34
30
I
D
- 安培
R
G
- 欧姆
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IXYS REF ： T_64N055T （ 1V ） 7-14-06.xls
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