【TRENCHTM功率MOSFETIXTA60N20TIXTP60N20TIXTQ60N20TVDSS】,IC型号IXTP60N20T,IXTP60N20T PDF资料,IXTP60N20T经销商,ic,电子元器件-51电子网

TRENCH

功率MOSFET

IXTA60N20T

IXTP60N20T

IXTQ60N20T

DSS

D25

DS （ ON）

= 200V

= 60A

≤

40mΩ

TO- 263 AA （ IXTA ）

N沟道增强模式

对于PDP驱动程序

额定雪崩

D（ TAB ）

TO- 220AB （ IXTP ）

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

D25

英镑

出售

重量

1.6毫米从案例（ 0.062英寸） 10秒

塑料体10秒

安装扭矩（ TO- 220 &TO -3P ）

TO-263

TO-220

TO-3P

测试条件

= 25 ℃至175 ℃的

= 25° C到175 ° C，R

= 1MΩ

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

最大额定值

200

±20

±30

150

700

500

-55 ... +175

175

-55 ... +175

300

260

1.13 / 10

2.5

3.0

5.5

°C

纳米/ lb.in 。

G =门

S =源

D（ TAB ）

=漏

TAB =漏

D（ TAB ）

TO-3P （ IXTQ ）

特点

高电流处理能力

175 ° C工作温度

额定雪崩

快速内在整流器

低R

DS （ ON）

优势

符号

测试条件

= 25 ° C除非另有规定编）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0V时，我

= 250μA

= V

, I

= 250μA

20V, V

= 0V

= V

DSS

, V

= 0V

= 150°C

= 10V ，我

= 0.5 I

D25

注意1

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

200

3.0

5.0

易于安装

节省空间

高功率密度

应用

DC- DC转换器

电池充电器

开关模式和谐振模

电源

直流斩波器

交流马达驱动器

不间断电源

高速电源开关

应用

±200

μA

250

μA

40 mΩ

DS99359B(7/10)

IXTA60N20T IXTP60N20T

IXTQ60N20T

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

TO-220

TO-3P

0.50

0.25

= 10V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

电阻开关时间

= 10V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 10Ω

（外部）

= 0V, V

= 25V ， F = 1MHz的

= 10V ，我

= 0.5 I

D25

注意1

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

4530

490

0.30 ° C / W

° C / W

引脚：

1 - GATE

3 - 来源

2 - 漏极

TO- 220 （ IXTP ）大纲

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

= 0V

重复，脉冲宽度为T有限公司

= 60A ，V

= 0V ，说明1

= 0.5 I

D25

, V

= 0V

-di / DT = 100A / μs的

= 85V

118

9.3

550

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

240

1.3

TO- 3P （ IXTQ ）大纲

记

脉冲测试，T

≤

300μS ，占空比D

≤

2%.

TO- 263 （ IXTA ）大纲

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.06

0.51

1.14

0.40

1.14

8.64

8.00

9.65

6.22

2.54

14.61

2.29

1.02

1.27

4.83

0.99

1.40

0.74

1.40

9.65

8.89

10.41

8.13

BSC

15.88

2.79

1.40

1.78

0.13

英寸

分钟。马克斯。

.160

.020

.045

.016

.045

.340

.280

.380

.270

.100

.575

.090

.040

.050

.190

.039

.055

.029

.055

.380

.320

.405

.320

BSC

.625

.110

.055

.070

.005

门

集热器

辐射源

集热器

底侧

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

通过以下一种或多项美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXTA60N20T IXTP60N20T

IXTQ60N20T

图。 1.输出特性@ T

= 25C

= 15V

10V

200

180

160

140

= 15V

10V

图。 2.扩展的输出特性@ T

= 25C

- 安培

120

100

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

- 伏特

图。 3.输出特性@ T

= 150C

= 15V

10V

3.4

3.0

2.6

图。 4.

DS （ ON）

归到我

= 30A与价值

结温

= 10V

DS （ ON）

- 归

= 60A

2.2

= 30A

1.8

1.4

1.0

0.6

- 安培

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

0.2

-50

-25

100

125

150

175

- 伏特

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

= 30A与价值

漏电流

5.0

4.5

4.0

= 10V

= 175C

图。 6，最大漏极电流与

外壳温度

DS （ ON）

- 归

3.5

- 安培

180

200

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

100

120

140

160

= 25C

-50

-25

100

125

150

175

- 安培

- 摄氏

IXTA60N20T IXTP60N20T

IXTQ60N20T

图。 7.输入导纳

120

= - 40C

图。 8.跨导

100

F小号

- 西门子

- 安培

= 150C

25C

- 40C

25C

150C

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

100

120

140

- 伏特

- 安培

图。征二极管9.正向电压降

180

160

140

120

= 100V

= 30A

= 10毫安

图。 10.栅极电荷

- 安培

100

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

= 150C

- 伏特

= 25C

- 伏特

- nanocoulombs

图。 11.电容

10,000

1.00

图。 12.最大瞬态热阻抗

西塞

电容 - 皮法

（日） JC

- C / W

1,000

科斯

100

CRSS

0.10

= 1兆赫

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

- 伏特

脉冲宽度 - 二

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS REF ： T_60N20T （ 5G ） 10年2月10日

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