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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第814页 > IXTP42N25P
PolarHT
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
IXTA 42N25P
IXTP 42N25P
IXTQ 42N25P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 250 V
= 42 A
84 m
TO- 263 ( IXTA )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25° C
T
C
= 25 ℃,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 10
T
C
= 25° C
最大额定值
250
250
±20
±30
42
110
42
30
1.0
10
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°
C
G
D
G
S
( TAB )
G
S
( TAB )
的TO-220 ( IXTP )
TO-3P ( IXTQ )
S
( TAB )
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
塑料机身10秒
安装力矩
TO-3P
TO-220
TO-263
( TO-3P / TO-220 )
300
260
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
5.5
4
3
g
g
g
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
l
l
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
250
3.0
5.5
±100
25
250
84
V
V
nA
A
A
m
l
国际标准封装
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
l
l
l
易于安装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
2006 IXYS所有权利
DS99157E(12/05)
IXTA 42N25P IXTP 42N25P
IXTQ 42N25P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
分钟。
典型值。
马克斯。
12
20
2300
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
430
115
24
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 10
(外部)
28
81
30
70
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
17
37
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42°C/W
(TO-3P)
(TO-220)
0.21
0.25
° C / W
° C / W
TO- 3P ( IXTQ )大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
分钟。
典型值。
马克斯。
42
110
1.5
200
2.0
A
A
V
ns
C
TO- 220 ( IXTP )大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
I
F
= 25 A
-di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V
TO- 263 ( IXTA )大纲
销: 1 - 门
2 - 漏极
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXTA 42N25P IXTP 42N25P
IXTQ 42N25P
图。 1.输出Characte RIS抽动
@ 25
C
45
40
35
V
GS
= 10V
9V
110
100
90
8V
80
V
GS
= 10V
9V
图。 2. EXTE NDE D输出Characte r是抽动
@ 25
C
I
D
- 安培
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I
D
- 安培
70
60
50
40
30
20
6V
5V
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
7V
8V
7V
6V
5V
3
3.5
4
10
0
V
S
- V OLTS
图。 3.输出Characte RIS抽动
@ 125
C
45
40
35
V
GS
= 10V
9V
8V
2.8
2.6
2.4
V
GS
= 10V
V
S
- V OLTS
图。 4.
DS (上
)
规范艾莉婕d可我0.5
D25
价值VS 。结テ米PE ratur ê
R
S(O N)
- 归
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I
D
= 42A
I
D
= 21A
I
D
- 安培
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
6V
7V
5V
4
5
6
7
8
9
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
S
- V OLTS
T
J
- 摄氏
图。 6.漏Curre NT VS 。 CAS ê
TE米PE叉涂抹
45
40
35
图。 5.
DS ( ON)
也不米艾莉婕d可
4.6
4.2
3.8
0.5 I
D25
价值VS 。我
D
V
GS
= 10V
R
S(O N)
- 归
3.4
3
2.6
2.2
1.8
1.4
1
0.6
0
10
20
30
40
T
J
= 25C
T
J
= 125C
I
D
- 安培
60
70
80
90 100 110
30
25
20
15
10
5
0
I
D
- 一个mperes
50
-50
-25
T
C
- 摄氏
0
25
50
75
100
125
150
2006 IXYS所有权利
IXTA 42N25P IXTP 42N25P
IXTQ 42N25P
图。 7.输入上将ittance
70
60
50
30
27
24
T
J
= -40C
25C
125C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
21
18
15
12
9
6
3
0
I
D
- 安培
40
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
T
J
= 125C
25C
-40C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
120
105
90
10
9
8
7
V
DS
= 125V
I
D
= 21A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
T
J
= 25C
75
60
45
30
15
0
0.4
0.6
6
5
4
3
2
1
0
T
J
= 125C
V
S.D。
- 伏特
0.8
1
1.2
1.4
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
1000
T
J
= 150C
R
DS ( ON)
极限
T
C
= 25C
图。 11.电容
10000
F = 1MHz的
国际空间站
电容 - 皮法
1000
OSS
I
D
- 安培
100
25s
100s
10
1ms
DC
10ms
100
RSS
10
0
5
10
15
1
V
S
- 伏特
20
25
30
35
40
10
V
S
- 伏特
100
1000
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXTA 42N25P IXTP 42N25P
IXTQ 42N25P
图。 1 3 。 M IM AX UM牛逼失败者即NT牛逼有源冰箱,再s是tance
0.45
0.40
0.35
R
T H, J·C
-
C / W
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
1
10
100
1000
浦LS东西ID日 - 米illis权证 N D s
2006 IXYS所有权利
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