IXTA3N100P IXTP3N100P
IXTH3N100P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V ，我
D
=
0.5
I
D25
注意1
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
=
0.5
I
D25
R
G
= 18Ω （外部）
特征值
分钟。
典型值。
最大
1.5
2.4
1220
70
14.5
22
27
75
29
39
6
20
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
TO- 220 （ IXTP ）大纲
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
=
0.5
I
D25
引脚：
1 - GATE
2 - 漏极
(TO-220)
(TO-247)
1.0
° C / W
0.50
° C / W
0.21
° C / W
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 3A ， -di / DT = 100A / μs的，
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
3
9
A
A
TO- 247 （ IXTH ）大纲
1.5 V
820
ns
1
2
3
P
注1 ：脉冲检验，t
≤
300
μs;
占空比D
≤
2%.
TO- 263 （ IXTA ）大纲
端子： 1 - 2号门 - 漏
3 - 来源
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
由一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123B1
6,306,728B1
6,404,065B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
7,005,734B2
6,759,692
7,063,975B2
6,771,478B2 7,071,537
7,157,338B2
IXTA3N100P IXTP3N100P
IXTH3N100P
图。 7.输入导纳
4.0
3.5
3.0
4.5
T
J
= - 40C
4.0
3.5
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
3
3.5
4
T
J
= 125C
25C
-40C
125C
4.5
5
5.5
6
6.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
9
8
7
10
9
8
7
V
DS
= 500V
I
D
= 1.5A
I
G
= 1毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 25C
0.7
0.8
0.9
6
5
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
T
J
= 125C
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
F = 1 MHz的
10.00
图。 12.最大瞬态热
阻力
电容 - 皮法
西塞
100
科斯
Z
（日） JC
- C / W
1,000
1.00
0.10
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： T_3N100P （ 3C ） 06年10月31日
QQ：2881677436 复制
