【PolarHVTM功率MOSFETN沟道增强模式额定雪崩IXTP 2N60PIXTY 2N60PVD】,IC型号IXTP2N60P,IXTP2N60P PDF资料,IXTP2N60P经销商,ic,电子元器件-51电子网

PolarHV

功率MOSFET

N沟道增强模式

额定雪崩

IXTP 2N60P

IXTY 2N60P

DSS

D25

DS （ ON）

= 500

≤

5.1

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

D25

dv / dt的

英镑

出售

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25° C

= 25 ℃，脉冲宽度限制T

= 25° C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 50

= 25° C

最大额定值

600

150

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V / ns的

的TO-220 （ IXTP ）

（ TAB ）

TO- 252 AA （ IXTY ）

°C

G =门

S =源

（ TAB ）

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

塑料机身10秒

安装力矩

TO-220

TO-252

(TO-220)

300

260

D =漏

TAB =漏

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

0.8

特点

符号

测试条件

= 25 ℃，除非另有规定）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 25

= V

, I

= 250

±30

V, V

= 0 V

= V

DSS

= 0 V

= 125° C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

600

3.0

5.0

±50

5.1

国际标准封装

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

优势

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

易于安装

节省空间

高功率密度

2006 IXYS所有权利

DS99422E(04/06)

IXTP 2N60P

IXTY 2N60P

符号

测试条件

特征值

= 25 ℃，除非另有规定）

分钟。

典型值。

马克斯。

1.4

2.2

240

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

3.5

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

=0.5 I

D25

= 50

（外部）

7.0

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

2.5

2.1

2.25 ° C / W

(TO-220)

0.25

C / W

销： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

4 - 漏极

TO- 220 （ IXTP ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

= 20V;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复

特征值

= 25 ° C除非另有说明）

分钟。

典型值。

马克斯。

1.5

400

TO- 252 AA （ IXTY ）大纲

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

= 2 A

-di / DT = 100 A / μs的

销： 1 - 门

4 - 漏极

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

2.19

0.89

0.64

0.76

5.21

0.46

5.97

4.32

6.35

4.32

2.38

1.14

0.13

0.89

1.14

5.46

0.58

6.22

5.21

6.73

5.21

3 - 来源

英寸

分钟。

0.086

0.035

0.025

0.030

0.205

0.018

0.235

0.170

0.250

0.170

马克斯。

0.094

0.045

0.005

0.035

0.045

0.215

0.023

0.245

0.205

0.265

0.205

2.28 BSC

4.57 BSC

9.40 10.42

0.51 1.02

0.64

0.89

2.54

1.02

1.27

2.92

0.090 BSC

0.180 BSC

0.370

0.020

0.025

0.035

0.100

0.410

0.040

0.050

0.115

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT均受4835592

一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

6,727,585

6,759,692

6,771,478 B2

IXTP 2N60P

IXTY 2N60P

图。 1.输出特性

@ 25

1.8

1.6

1.4

= 10V

3.6

3.2

2.8

= 10V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25

- 安培

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

- 安培

2.4

1.6

1.2

0.8

0.4

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125

1.8

1.6

= 10V

3.4

3.1

= 10V

- 伏特

图。 4.

DS （上

)

规范alized 0.5我

D25

值与结tem温度

S（O N）

- 归

2.8

2.5

2.2

1.9

1.6

1.3

0.7

0.4

= 2A

= 1A

- 安培

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

-50

-25

100

125

150

- 伏特

图。 5.

DS （ ON）

规范alized到

0.5 I

D25

价值与我

2.8

2.6

= 10V

= 125

2.2

1.8

1.6

- 摄氏

图。 6.漏电流与案例

tem温度

S（O N）

- 归

2.4

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.5

1.5

- 安培

= 25

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

-50

-25

100

125

150

2.5

3.5

- 安培

2006 IXYS所有权利

- 摄氏

IXTP 2N60P

IXTY 2N60P

图。 7.输入上将ittance

3.6

3.2

2.8

3.6

3.2

= -40

125

图。 8.跨导

- 安培

2.4

1.6

1.2

0.8

0.4

4.5

5.5

6.5

7.5

=125

-40

F小号

- 西门子

2.8

2.4

1.6

1.2

0.8

0.4

0.8

1.2

1.6

2.4

2.8

3.2

的s

- 伏特

图。 9.源电流和

源 - 漏电压

= 300V

= 1A

= 10毫安

- 安培

图。 10.栅极电荷

- 安培

的s

- 伏特

= 25

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

= 125

S.D。

- 伏特

图。 11.电容

1000

F = 1MHz的

10.0

- nanocoulombs

图。 13.马克西姆嗯瞬态千卡人

阻力

电容 - 皮法

100

T H， J·C

C / W

国际空间站

1.0

OSS

RSS

0.1

100

1000

- 伏特

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

脉冲宽度 - 毫秒

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20+

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