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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第309页 > IXTP1R6N50P
高级技术信息
PolarHV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
IXTP 1R6N50P
IXTY 1R6N50P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 500
= 1.6
6.5
V
A
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 50
T
C
= 25°C
最大额定值
TO- 252 ( IXTY )
500
500
±30
±40
1.6
2.5
1.6
5
75
10
43
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
G
G
S
( TAB )
TAB
的TO-220 ( IXTP )
W
°C
°C
°C
°C
°C
S
( TAB )
D =漏
TAB =漏
G =门
S =源
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
最高温度标签焊接
TO- 252封装的10秒
安装扭矩( TO- 220 )
TO-252
TO-220
300
260
特点
国际标准封装
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
M
d
重量
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
0.8
4
g
g
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
3.0
5.5
±100
5
50
6.5
V
V
nA
A
A
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
版权所有2005 IXYS所有权利
DS99441(09/05)
IXTP 1R6N50P
IXTY 1R6N50P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
0.7
1.4
140
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
20
2.6
10
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=0.5 I
D25
R
G
= 20
(外部)
16
25
16
3.9
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
1.4
1.3
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
2.9 K / W
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
毫米
分钟。马克斯。
2.19
0.89
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
英寸
分钟。
0.086
0.035
0
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
马克斯。
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
TO- 252 AA大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40
0.51
0.64
0.89
2.54
10.42
1.02
1.02
1.27
2.92
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370
0.020
0.025
0.035
0.100
0.410
0.040
0.040
0.050
0.115
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
1.6
2.5
1.5
A
A
V
H
L
L1
L2
L3
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
I
F
= 1.6 A , -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V
400
的TO-220概要
ns
销: 1 - 门
2 - 漏极
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
IXTP 1R6N50P
IXTY 1R6N50P
图。 1.输出特性
@ 25
C
1.6
1.4
1.2
V
GS
= 10V
8V
7V
2.7
2.4
2.1
V
GS
= 10V
8V
7V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
1.0
0.8
6V
0.6
0.4
0.2
0.0
0
2
4
6
8
10
12
5V
I
D
- 安培
1.8
1.5
1.2
6V
0.9
0.6
0.3
0.0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
5V
V
S
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125
C
1.6
1.4
1.2
V
GS
= 10V
7V
3.00
2.75
V
GS
= 10V
V
S
- 伏特
图。 4.
DS (上
)
规范alized 0.5我
D25
值与结tem温度
R
S(O N)
- 归
2.50
2.25
2.00
I
D
= 1.6A
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
I
D
= 0.8A
I
D
- 安培
1.0
6V
0.8
0.6
0.4
5V
0.2
0.0
0
4
8
12
16
20
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
S
- 伏特
图。 5.
DS ( ON)
规范alized到
0.5 I
D25
价值与我
D
3.0
2.8
2.6
V
GS
= 10V
T
J
= 125
C
1.8
1.6
1.4
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
T
J
= 25
C
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
tem温度
R
S(O N)
- 归
I
D
- 安培
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
版权所有2005 IXYS所有权利
T
C
- 摄氏
IXTP 1R6N50P
IXTY 1R6N50P
图。 7.输入上将ittance
2.0
1.8
1.6
2.2
2.0
1.8
1.6
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
T
J
= 125
C
25
C
-40
C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
T
J
= -40
C
25
C
125
C
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
5.0
4.5
4.0
10
9
8
7
V
DS
= 250V
I
D
= 0.8A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
3.5
V
的s
- 伏特
T
J
= 25
C
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
T
J
= 125
C
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
S.D。
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
10
T
J
= 150
C
图。 11.电容
1000
F = 1MHz的
电容 - 皮法
国际空间站
100
OSS
R
DS ( ON)
极限
T
C
= 25
C
I
D
- 安培
1
25s
100s
10
RSS
DC
1ms
10ms
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
10
100
1000
V
S
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
V
S
- 伏特
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXTP1R6N50P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXTP1R6N50P
IXYS
24+
9000
TO-220-3
原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXTP1R6N50P
IXYS
24+
10000
TO-220-3
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXTP1R6N50P
IXYS/艾赛斯
2443+
23000
TO-220
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IXTP1R6N50P
IXYS
24+
19000
TO-220-3
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
IXTP1R6N50P
VB
25+23+
35500
TO-220
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
IXTP1R6N50P
IXYS
22+
3241
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881243225 复制

电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
IXTP1R6N50P
IXYS
13+
18500
TO-252(DPAK)
全新原装正品,大量现货库存供应
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3350142453 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393564 复制

电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
IXTP1R6N50P
IXYS
23+
1980
TO-220
绝对进口原装,公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
IXTP1R6N50P
IXYS/艾赛斯
24+
21000
TO-220
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
IXTP1R6N50P
IXYS/艾赛斯
24+
32000
TO-220
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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