IXTP 1R6N50P
IXTY 1R6N50P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
0.7
1.4
140
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
20
2.6
10
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=0.5 I
D25
R
G
= 20
(外部)
16
25
16
3.9
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
1.4
1.3
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
2.9 K / W
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
毫米
分钟。马克斯。
2.19
0.89
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
英寸
分钟。
0.086
0.035
0
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
马克斯。
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
TO- 252 AA大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40
0.51
0.64
0.89
2.54
10.42
1.02
1.02
1.27
2.92
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370
0.020
0.025
0.035
0.100
0.410
0.040
0.040
0.050
0.115
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
1.6
2.5
1.5
A
A
V
H
L
L1
L2
L3
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 1.6 A , -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V
400
的TO-220概要
ns
销: 1 - 门
2 - 漏极
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692