IXTP 1N80 1N80 IXTA
IXTY 1N80
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
0.7
0.8
220
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
23
4
11
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 1A
R
G
= 47,
（外部）
19
40
28
8.5
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 1A
2.5
4.5
3.1
（ IXTP ）
0.50
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
销： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
底侧
TO- 220 AD尺寸
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
GS
Q
GD
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 20V;我
D
= 500毫安，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
750
3
1.8
710
2
mA
A
V
ns
TO- 263 AA大纲
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
TO- 252 AA大纲
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
L1
L2
L3
毫米
分钟。马克斯。
2.19 2.38
0.89 1.14
0 0.13
0.64 0.89
0.76 1.14
5.21 5.46
0.46 0.58
0.46 0.58
5.97 6.22
4.32 5.21
6.35 6.73
4.32 5.21
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51 1.02
0.64 1.02
0.89 1.27
2.54 2.92
英寸
分钟。
马克斯。
0.086 0.094
0.035 0.045
0 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.205 0.215
0.018 0.023
0.018 0.023
0.235 0.245
0.170 0.205
0.250 0.265
0.170 0.205
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370 0.410
0.020 0.040
0.025 0.040
0.035 0.050
0.100 0.115
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
底侧
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。
马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXTP 1N80 1N80 IXTA
IXTY 1N80
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
0.7
0.8
220
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
23
4
11
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 1A
R
G
= 47,
（外部）
19
40
28
8.5
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 1A
2.5
4.5
3.1
（ IXTP ）
0.50
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
销： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
底侧
TO- 220 AD尺寸
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
GS
Q
GD
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 20V;我
D
= 500毫安，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
750
3
1.8
710
2
mA
A
V
ns
TO- 263 AA大纲
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
TO- 252 AA大纲
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
L1
L2
L3
毫米
分钟。马克斯。
2.19 2.38
0.89 1.14
0 0.13
0.64 0.89
0.76 1.14
5.21 5.46
0.46 0.58
0.46 0.58
5.97 6.22
4.32 5.21
6.35 6.73
4.32 5.21
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51 1.02
0.64 1.02
0.89 1.27
2.54 2.92
英寸
分钟。
马克斯。
0.086 0.094
0.035 0.045
0 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.205 0.215
0.018 0.023
0.018 0.023
0.235 0.245
0.170 0.205
0.250 0.265
0.170 0.205
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370 0.410
0.020 0.040
0.025 0.040
0.035 0.050
0.100 0.115
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
底侧
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。
马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
QQ：2881677436 复制
