IXTA170N075T2
IXTP170N075T2
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
TO-220
0.50
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V,
V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 3.3Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 60A ，注1
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
40
70
6860
810
148
19
11
25
19
109
37
25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42
° C / W
° C / W
TO- 263 （ IXTA ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 50A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 85A ，V
GS
= 0V
-di / DT = 100A / μs的
V
R
= 37V
63
4.8
150
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
170
680
1.0
A
A
V
ns
A
nC
TO- 220 （ IXTP ）大纲
注：1 。
脉冲测试，T
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
2.在通孔封装，R
DS （ ON）
开尔文测试接触
位置必须是粒径为5mm或从封装体少。
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
QQ：2881677436 复制
