IXTA152N085T
IXTP152N085T
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
TO-220
0.50
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 25 A
电阻开关时间
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 25 A
R
G
= 5
（外部）
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
测试条件
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60 A，注1
特征值
分钟。
60
典型值。
100
5500
720
150
30
50
50
45
114
30
35
马克斯。
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42
° C / W
° C / W
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 ， TAB - 漏
TO- 263AA （ IXTA ）大纲
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
T
J
= 25 ° C除非另有说明）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
V
GS
= 0 V
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 25 A，V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 40 V, V
GS
= 0 V
90
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
152
410
1.0
A
A
V
ns
L
L1
L2
L3
L4
R
TO- 220AB （ IXTP ）大纲
注：1 。
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %;
2.在通孔封装，R
DS （ ON）
开尔文测试接触
位置必须是等于或小于5mm的封装体。
引脚：
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。技术规格
提供的是从过程中的初步目标刻画收集的数据导出
工程地段;而且还可能含有预期间提供了一些资料
产品设计评估。 IXYS保留更改限制，试验条件的权利，
和尺寸，恕不另行通知。
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 ， TAB - 漏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6771478 B2
7,005,734 B2
7,063,975 B2
7,071,537
IXTA152N085T
IXTP152N085T
图。 1.输出特性
@ 25C
160
140
120
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
300
270
240
210
V
GS
= 10V
9V
8V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
100
6V
80
60
40
I
D
- 安培
7V
180
150
120
90
60
6V
20
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
5V
30
0
5V
0.9
1
1.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 150C
160
140
120
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
2.6
2.4
2.2
图。 4.
DS （ ON）
归到我
D
= 76A价值
- 结温
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
I
D
= 152A
I
D
= 76A
I
D
- 安培
100
80
60
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
6V
5V
2.2
2.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
归到我
D
= 76A价值
与漏电流
3
2.8
2.6
V
GS
= 10V
15V
- - - -
T
J
= 175C
100
140
图。 6.漏电流与外壳温度
对于外部引线电流限制TO-263 （ 7引脚）
120
R
DS （ ON）
- 归
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
50
100
150
200
250
300
T
J
= 25C
I
D
- 安培
80
为TO-3P ， TO-220， & TO-263的外部引线电流限制
60
40
20
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2006 IXYS公司所有权利
IXTA152N085T
IXTP152N085T
图。 13.电阻导通
上升时间与结温
60
55
50
R
G
= 5
V
GS
= 10V
V
DS
= 43V
60
55
50
T
J
= 25C
R
G
= 5
V
GS
= 10V
V
DS
= 43V
图。 14.电阻导通
上升时间与漏极电流
t
r
- 纳秒
40
35
30
25
20
15
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
I
D
= 25A
I
D
= 50A
t
r
- 纳秒
45
45
40
35
30
25
20
15
10
24
T
J
= 125C
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 15.电阻导通
开关时间与栅极电阻
110
100
90
43
47
图。 16.电阻关断
开关时间与结温
76
t
r
V
DS
= 43V
t
D（上）
- - - -
41
46
39
45
t
f
t
D（关闭）
- - - -
72
T
J
= 125°C ，V
GS
= 10V
R
G
= 5
, V
GS
= 10V
V
DS
= 43V
t
（O F F ）
- 纳秒
t
r
- 纳秒
70
60
50
40
30
20
10
4
6
I
D
= 25A
35
33
31
29
I
D
= 50A
27
25
23
t
f
- 纳秒
80
37
68
t
（O N）
- 纳秒
44
I
D
= 50A
43
I
D
= 25A
42
41
40
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
64
60
56
52
48
8
10
12
14
16
18
20
125
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17.电阻关断
开关时间与漏电流
46
45
T
J
= 25C
44
80
图。 18.电阻关断
开关时间与栅极电阻
130
120
110
I
D
= 25A
220
200
180
75
t
（O F F ）
- 纳秒
t
（O F F ）
- 纳秒
70
t
f
- 纳秒
43
42
41
40
t
f
V
DS
= 43V
t
D（关闭）
- - - -
T
J
= 125C
t
f
- 纳秒
100
90
80
70
60
50
I
D
= 50A
160
140
120
100
80
65
R
G
= 5
, V
GS
= 10V
60
T
J
= 125C
55
t
f
V
DS
= 43V
4
6
8
10
12
14
t
D（关闭）
- - - -
50
T
J
= 125°C ，V
GS
= 10V
60
40
20
T
J
= 25C
39
24
28
32
36
40
44
48
45
40
30
16
18
20
I
D
- 安培
R
G
- 欧姆
2006 IXYS公司所有权利
IXYS REF ： T_152N085T （ 4V ） 6-12-06.xls
QQ：2880707522 复制
