IXTN60N50L2
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
安全工作区规范
符号
SOA
测试条件
V
DS
= 400V ，我
D
= 0.9A ，T
C
= 75 ° C， TP = 3S
分钟。
360
典型值。
马克斯。
W
0.05
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 30A
电阻开关时间
V
GS
= 15V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 30A
R
G
= 0.5Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 30A ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
18
25
24
1325
172
40
40
165
38
610
130
365
32
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.17
° C / W
° C / W
（ M4螺钉（ 4X ）提供）
SOT- 227B （ IXTN ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 60A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
980
73
35.8
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
60
240
1.5
A
A
V
ns
A
μC
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXTN60N50L2
图。 1.输出特性
@ 25C
60
55
50
45
V
GS
= 20V
14V
12V
10V
160
140
9V
120
V
GS
= 20V
14V
12V
10V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
5V
4.0
4.5
5.0
6V
7V
8V
100
9V
80
60
8V
40
7V
20
0
0
5
10
6V
15
20
25
30
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
60
55
50
45
V
GS
= 20V
12V
10V
9V
8V
2.8
2.6
2.4
图。 4.
DS （ ON）
归到我
D
= 30A价值
- 结温
V
GS
= 10V
I
D
- 安培
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
R
DS （ ON）
- 归
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I
D
= 30A
I
D
= 60A
7V
6V
5V
0.6
0.4
9
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
归到我
D
= 30A价值
与漏电流
2.8
2.6
2.4
V
GS
= 10V
20V
60
55
图。 6，最大漏极电流与
外壳温度
----
T
J
= 125C
50
45
R
DS （ ON）
- 归
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
J
= 25C
I
D
- 安培
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2008 IXYS公司，保留所有权利。
IXYS REF ： T_60N50L2 （ 9R ） 09年1月20日-C
IXTN60N50L2
图。 13.正向偏置安全工作区
@ T
C
= 25C
1,000.0
R
DS （ ON）
极限
1,000.0
R
DS （ ON）
极限
图。 14.正向偏置安全工作区
@ T
C
= 75C
100.0
25s
100.0
I
D
- 安培
I
D
- 安培
100s
10.0
1ms
10ms
100ms
1.0
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
DC
25s
100s
10.0
1ms
10ms
1.0
100ms
T
J
= 150C
T
C
= 75C
单脉冲
DC
0.1
10
100
1000
0.1
10
100
1000
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
2008 IXYS公司，保留所有权利。
IXYS REF ： T_60N50L2 （ 9R ） 09年1月20日-C
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