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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第870页 > IXTN600N04T2
TrenchT2
TM
GigaMOS
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXTN600N04T2
V
DSS
I
D25
=
=
R
DS （ ON）
≤
40V
600A
1.3mΩ
Ω
miniBLOC ， SOT- 227
E153432
S
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSM
I
D25
I
L（ rms）的
I
DM
I
A
E
AS
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
V
ISOL
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C，R
GS
= 1MΩ
短暂
T
C
= 25 ° C（芯片功能）
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
最大额定值
40
40
±20
600
200
1800
200
3
940
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V
V
V
A
A
A
A
J
W
°C
°C
°C
°C
°C
V~
V~
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
无论源终端S能用作
源终端或开尔文源
（回门）码头。
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1mA
T = 1分钟
吨= 1秒
300
260
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
特点
国际标准套餐
miniBLOC ，用氮化铝
隔离
175 ° C工作温度
隔离电压2500
V~
高电流处理能力
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS （ ON）
优势
安装力矩
终端连接扭矩
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 150°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
40
1.5
3.5
±200
V
V
nA
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
的DC- DC转换器和离线UPS
原边开关
高速电源开关
应用
10
μA
1毫安
1.3 mΩ
V
GS
= 10V ，我
D
= 100A ，注1
2012 IXYS公司，版权所有
DS100172B(10/12)
IXTN600N04T2
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
GI
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.05
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
DSS
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 200A
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 60A ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
90
150
40
6400
1470
1.32
40
20
90
250
590
127
163
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.16
° C / W
° C / W
（ M4螺钉（ 4X ）提供）
SOT- 227B （ IXTN ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 100A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 150A ，V
GS
= 0V
-di / DT = 100A / μs的
V
R
= 20V
100
3.3
165
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
600
1800
1.2
A
A
V
ns
A
nC
记
1.
脉冲测试，T
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4860072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXTN600N04T2
图。 1.输出特性@ T
J
= 25C
350
300
250
V
GS
= 15V
10V
7V
400
V
GS
= 15V
350
300
10V
7V
6V
图。 2.扩展的输出特性@ T
J
= 25C
I
D
- 安培
200
150
100
50
I
D
- 安培
6V
250
5V
200
150
100
50
4V
4.5V
5V
4.5V
4V
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
= 150C
350
300
250
V
GS
= 15V
10V
7V
2.0
图。 4.归
DS （ ON）
- 结温
V
GS
= 10V
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I
D
< 600A
I
D
- 安培
6V
200
5V
150
100
50
3V
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
4V
R
DS （ ON）
- 归
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.归
DS （ ON）
与漏电流
2.0
V
GS
= 10V
15V
220
200
180
160
图。 6.漏电流与外壳温度
1.8
外部引线电流限制
R
DS （ ON）
- 归
1.6
I
D
- 安培
350
T
J
= 175C
140
120
100
80
60
40
20
1.4
1.2
T
J
= 25C
1.0
0.8
0
50
100
150
200
250
300
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2012 IXYS公司，版权所有
IXTN600N04T2
图。 7.输入导纳
200
180
160
140
T
J
= 150C
25C
- 40C
200
25C
240
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
120
100
80
60
40
20
0
2.0
2.5
3.0
g
F小号
- 西门子
160
150C
120
I
D
- 安培
80
40
0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
350
300
8
250
7
10
9
V
DS
= 20V
I
D
= 300A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
200
150
100
50
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
T
J
= 150C
T
J
= 25C
V
GS
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
100
200
300
400
500
600
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100.0
10,000
图。 12.正向偏置安全工作区
R
DS （ ON）
极限
电容 - 纳法
西塞
10.0
1,000
25s
100s
外部引线限制
1ms
10ms
科斯
I
D
- 安培
100
1.0
CRSS
10
T
J
= 175C
T
C
= 25C
单脉冲
100ms
DC
f
= 1兆赫
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
0.1
1
10
100
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXTN600N04T2
图。 13.电阻导通上升时间
- 结温
90
80
70
R
G
= 1 , V
GS
= 10V
V
DS
= 20V
100
90
80
R
G
= 1 , V
GS
= 10V
V
DS
= 20V
T
J
= 125C
图。 14.电阻导通上升时间
与漏电流
t
r
- 纳秒
60
50
40
30
20
10
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
I
D
t
r
- 纳秒
70
60
50
40
30
20
10
0
40
60
80
100
120
140
I
D
= 200A
= 100A
T
J
= 25C
160
180
200
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 15.电阻导通开关时间
与栅极电阻
600
140
400
350
300
图。 16.电阻关断开关时间
- 结温
160
t
r
500
V
DS
= 20V
t
D（上）
- - - -
120
t
f
V
DS
= 20V
t
D（关闭）
- - - -
T
J
= 125°C ，V
GS
= 10V
150
140
130
I
D
= 200A
120
110
100
90
80
125
R
G
= 1, V
GS
= 10V
t
D（关闭）
- 纳秒
t
D（上）
- 纳秒
t
r
- 纳秒
t
f
- 纳秒
400
I
D
= 200A
300
I
D
= 100A
100
250
200
150
100
50
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
I
D
= 100A
80
200
60
100
40
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17.电阻关断开关时间
与漏电流
400
350
300
200
800
700
600
图。 18.电阻关断开关时间
与栅极电阻
800
t
f
V
DS
= 20V
t
D（关闭）
- - - -
R
G
= 1, V
GS
= 10V
180
160
140
120
t
f
V
DS
= 20V
t
D（关闭）
- - - -
I
D
= 200A, 100A
T
J
= 125°C ，V
GS
= 10V
700
600
500
400
300
200
100
0
t
D（关闭）
- 纳秒
t
D（关闭）
- 纳秒
t
f
- 纳秒
250
200
T
J
= 125C, 25C
150
100
50
0
40
60
80
100
120
140
160
180
t
f
- 纳秒
500
400
300
200
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
100
80
60
40
200
I
D
- 安培
R
G
- 欧姆
2012 IXYS公司，版权所有
查看更多IXTN600N04T2PDF信息
推荐型号
IDT72V14071L15
IS42S16800E-7TL
ICX209
ICL7622ACWE
IDT7205L12TPG
IRXXH214
ISL9011AIRKPZ
ISL9011IRFMZ
IRFD1Z3
IRKNF200-10CP
IRKH230-08N
IRKV135-14N
IRKNF102-06HK
IDT7210L75J
ICL7632ACSE
IA2412D
IAM4810C1S
IAM4820C32
IRF9Z14STRL
IL213
供货商
型号
厂家
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封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    联系人：杨小姐
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    IXTN600N04T2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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原装正品 华强现货
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