IXTN200N10L2
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.05
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 100A
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 100A
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 60A ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
55
73
23
3200
610
40
225
127
27
540
115
226
90
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.15
° C / W
° C / W
SOT- 227B （ IXTN ）大纲
（ M4螺钉（ 4X ）提供）
安全工作，规范区
符号
SOA
测试条件
V
DS
= 100V ，我
D
= 5A ，T
C
= 75 ° C， TP = 5S
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
500
W
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 100A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 100A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 50V, V
GS
= 0V
245
24.4
3.0
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
200
800
1.4
A
A
V
ns
A
μC
记
1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试
条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405 B2
6,710,463
6,727,585
7,005,734 B2
6,759,692
7,063,975 B2
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXTN200N10L2
图。 13.正向偏置安全工作区
@ T
C
= 25C
1,000
图。 14.正向偏置安全工作区
@ T
C
= 75C
1,000
RDS （ ON）限制
25s
100s
RDS （ ON）限制
25s
100
100s
100
I
D
- 安培
1ms
I
D
- 安培
1ms
10ms
100ms
10
DC
10ms
10
100ms
DC
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
1
1
10
100
T
J
= 150C
T
C
= 75C
单脉冲
1
1
10
100
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
2010 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： T_200N10L2 （ 9R ） 10年1月26日
QQ：2880707522 复制
