TrenchP
TM
功率MOSFET
P沟道增强模式
额定雪崩
IXTA96P085T
IXTP96P085T
IXTH96P085T
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
=
=
≤
- 85V
- 96A
13mΩ
Ω
TO- 263 AA （ IXTA ）
G
S
D（ TAB ）
TO- 220AB （ IXTP ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩（ TO- 220 & TO- 247 ）
TO-263
TO-220
TO-247
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
最大额定值
- 85
- 85
±15
±25
- 96
- 300
- 48
1
298
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
1.13/10
2.5
3.0
6.0
V
V
V
V
A
A
A
J
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
g
G =门
S =源
G
G
DS
D（ TAB ）
TO- 247 （ IXTH ）
D
S
D（ TAB ）
D
=漏
TAB =漏
特点
国际标准封装
额定雪崩
扩展FBSOA
快速内在二极管
低R
DS （ ON）
和Q
G
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= - 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250μA
V
GS
=
±
15V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
分钟。典型值。马克斯。
- 85
- 2.0
- 4.0
V
V
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
高侧开关
推挽放大器
直流斩波器
自动测试设备
电流调节器
充电器中的应用
±100
nA
- 10
μA
- 750
μA
13 mΩ
V
GS
= -10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
2013 IXYS公司，版权所有
DS100025B(01/13)
IXTA96P085T IXTP96P085T
IXTH96P085T
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-220
TO-247
0.50
0.21
V
GS
= -10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= -10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= - 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= -10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
40
66
13.1
1175
460
23
34
45
22
180
52
62
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42
° C / W
° C / W
° C / W
引脚：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
的TO- 247概要
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= - 48A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= - 48A ， -di / DT = -100A / μs的
V
R
= - 43V, V
GS
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
- 96
- 394
-1.3
55
100
- 3.6
A
A
V
ns
nC
A
的TO-220概要
记
1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
TO- 263外形
DIM 。
A
b
b2
c
c2
D
D1
E
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
0.51
1.14
0.40
1.14
8.64
8.00
9.65
6.22
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
4.83
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.89
10.41
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.13
英寸
分钟。马克斯。
.160
.020
.045
.016
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.190
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.005
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4860072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
QQ：2881677436 复制
