IXTH 88N30P
IXTT 88N30P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
40
50
6300
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
950
190
25
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 3.3
(外部)
24
96
25
180
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
44
90
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.21 K / W
(TO-247)
(TO-264)
0.21
0.15
K / W
K / W
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
1
2
3
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
88
220
1.5
250
3.3
A
A
V
ns
C
TO- 268外形
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25 A
-di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
:下列美国专利
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
IXTH 88N30P
IXTT 88N30P
图。 13. M的Axim嗯牛逼一个S即NT牛逼赫姆人再s是棕褐色的CE
1.00
R
( TH) J·C
- C / W
0.10
0.01
1
10
1 00
1000
PULS东西ID - 米利斯EC哔声
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