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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第557页 > IXTH88N30P
PolarHT
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
初步数据表
IXTH 88N30P
IXTT 88N30P
R
DS ( ON)
V
DSS
= 300
I
D25
= 88
= 40
m
V
A
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSM
I
D25
I
D( RMS)
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
最大额定值
300
300
±20
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
TO- 247 ( IXTH )
D( TAB )
T
C
= 25°C
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 4
T
C
= 25°C
88
75
220
60
60
2.0
10
600
-55 ... +150
150
-55 ... +150
TO- 268 ( IXTT )
G
S
D( TAB )
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
国际标准封装
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
安装力矩
TO-247
TO-264
TO-268
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6
10
5
g
g
g
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
300
2.5
5.0
±100
25
250
40
V
V
nA
A
A
m
易于安装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
PolarHT
TM
DMOS晶体管
利用专有的设计和
流程。美国专利正在申请中。
DS99129A(01/04)
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXTH 88N30P
IXTT 88N30P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
40
50
6300
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
950
190
25
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 3.3
(外部)
24
96
25
180
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
44
90
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.21 K / W
(TO-247)
(TO-264)
0.21
0.15
K / W
K / W
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
1
2
3
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
88
220
1.5
250
3.3
A
A
V
ns
C
TO- 268外形
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
I
F
= 25 A
-di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
:下列美国专利
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
IXTH 88N30P
IXTT 88N30P
图。 1.输出特性
@ 25
C
90
80
70
V
GS
= 10V
9V
8V
200
180
160
140
V
GS
= 10V
9V
8V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
6V
7V
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
6V
5V
10
12
14
16
18
20
7V
V
S
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125
C
90
80
70
V
GS
= 10V
9V
8V
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-50
-25
0
V
GS
= 10V
V
S
- 伏特
图。 4.
DS (上
)
规范alized 0.5我
D25
值与结tem温度
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
7V
R
S(上)
- 归
I
D
= 88A
I
D
= 44A
6V
5V
25
50
75
100
125
150
V
S
- 伏特
图。 5.
DS ( ON)
规范alized到
3.4
3.2
3
2.8
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
T
J
= 25C
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
tem温度
100
90
80
0.5 I
D25
价值与我
D
V
GS
= 10V
R
S(上)
- 归
I
D
- 安培
2.6
T
J
= 125C
70
60
50
40
30
20
10
0
I
D
- 安培
-50
-25
T
C
- 摄氏
0
25
50
75
100
125
150
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXTH 88N30P
IXTT 88N30P
图。 7.输入上将ittance
160
140
120
100
80
60
40
20
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
T
J
= 125C
25C
-40C
100
90
80
T
J
= -40C
25C
125C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
70
60
50
40
30
20
10
0
0
I
D
- 安培
20
40
60
80
100
120
140
160
180
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
280
240
200
10
9
8
V
DS
= 150V
I
D
= 44A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
7
V
的s
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
160
120
80
40
0
0.4
0.6
0.8
6
5
4
3
2
1
0
V
S.D。
- 伏特
1
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
1000
T
J
= 150C
R
DS ( ON)
极限
T
C
= 25C
25s
图。 11.电容
10000
电容 - 皮法
国际空间站
I
D
- 安培
100
1ms
10ms
10
DC
100s
1000
OSS
F = 1MHz的
RSS
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V
S
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
V
S
- 伏特
IXTH 88N30P
IXTT 88N30P
图。 13. M的Axim嗯牛逼一个S即NT牛逼赫姆人再s是棕褐色的CE
1.00
R
( TH) J·C
- C / W
0.10
0.01
1
10
1 00
1000
PULS东西ID - 米利斯EC哔声
版权所有2004 IXYS所有权利。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXTH88N30P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXTH88N30P
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXTH88N30P
IXYS
24+
12000
TO-247
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
IXTH88N30P
IXYS/艾赛斯
24+
12850
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXTH88N30P
Littelfuse Inc.
24+
10000
TO-247(IXTH)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXTH88N30P
IXYS/艾赛斯
2443+
23000
TO-247
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IXTH88N30P
IXYS
24+
27200
TO-247
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881243225 复制

电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
IXTH88N30P
TO-247
548
TO-247
IXYS
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IXTH88N30P
IXYS
21+22+
12600
TO-247
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IXTH88N30P
IXYS
04+
6
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3350142453 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393564 复制

电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
IXTH88N30P
IXYS
23+
1980
TO-247
绝对进口原装,公司现货
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