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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第723页 > IXTH76P10T
TrenchP
TM
功率MOSFET
IXTA76P10T
IXTP76P10T
IXTH76P10T
D
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
=
=
- 100V
- 76A
25mΩ
Ω
P沟道增强模式
额定雪崩
G
TO- 263 AA ( IXTA )
G
S
S
D( TAB )
TO- 220AB ( IXTP )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩( TO- 220 & TO- 247 )
TO-263
TO-220
TO-247
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
最大额定值
- 100
- 100
±15
±25
- 76
- 230
- 38
1
298
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
1.13 /10
2.5
3.0
6.0
V
V
V
V
A
A
A
J
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
g
G
D
S
D( TAB )
G
DS
D( TAB )
TO- 247 ( IXTH )
G =门
S =源
D
=漏
TAB =漏
特点
国际标准封装
额定雪崩
扩展FBSOA
快速内在二极管
低R
DS ( ON)
和Q
G
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= - 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250μA
V
GS
=
±15V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
分钟。典型值。马克斯。
-100
- 2.0
- 4.0
V
V
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
高侧开关
推挽放大器
直流斩波器
自动测试设备
电流调节器
充电器中的应用
DS100024B(01/13)
±100
nA
- 15
μA
- 750
μA
25 mΩ
V
GS
= -10V ,我
D
= 0.5 I
D25
注意1
2013 IXYS公司,版权所有
IXTA76P10T IXTP76P10T
IXTH76P10T
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-220
TO-247
0.50
0.21
V
GS
= -10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= -10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1Ω (外部)
V
GS
= 0V, V
DS
= - 25V , F = 1MHz的
V
DS
= -10V ,我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
35
58
13.7
890
275
25
40
52
20
197
65
65
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42
° C / W
° C / W
° C / W
引脚:
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
的TO- 247概要
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复,脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= - 38A ,V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= - 38A , -di / DT = -100A / μs的
V
R
= - 50V, V
GS
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
- 76
- 304
-1.3
70
215
-6
A
A
V
ns
nC
A
的TO-220概要
1:
脉冲测试,T
300μS ,占空比D
2%.
TO- 263外形
引脚:
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
引脚:
1 - GATE
2,4 - 漏
3 - 来源
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4860072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXTA76P10T IXTP76P10T
IXTH76P10T
图。 1.输出特性@ T
J
= 25C
-80
-70
-60
V
GS
= -10V
- 9V
- 8V
- 7V
-280
V
GS
= -10V
-240
-200
- 9V
- 8V
图。 2.扩展的输出特性@ T
J
= 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
-50
-40
-30
-20
-10
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2
- 5V
- 6V
-160
-120
-80
-40
0
0
-5
-10
-15
- 7V
- 6V
- 5V
-20
-25
-30
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
= 125C
-80
-70
-60
V
GS
= -10V
- 9V
- 8V
- 7V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2
-2.4
-2.8
-3.2
-50
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= - 38A与价值
结温
V
GS
= -10V
R
DS ( ON)
- 归
I
D
- 安培
-50
-40
-30
- 6V
I
D
= - 76A
I
D
= - 38A
- 5V
-20
-10
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS ( ON)
归到我
D
= - 38A与价值
漏电流
2.2
V
GS
= -10V
2.0
T
J
= 125C
-80
-70
-60
图。 6,最大漏极电流与
外壳温度
R
DS ( ON)
- 归
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
-40
-80
-120
-160
-200
-240
I
D
- 安培
T
J
= 25C
-50
-40
-30
-20
-10
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2013 IXYS公司,版权所有
IXTA76P10T IXTP76P10T
IXTH76P10T
图。 7.输入导纳
-140
-120
80
-100
25C
T
J
= 125C
25C
- 40C
100
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
-80
-60
-40
60
125C
40
20
-20
0
-3.0
0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
-6.5
-7.0
0
-20
-40
-60
-80
-100
-120
-140
-160
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。征二极管9.正向电压降
-240
-10
-9
-200
-8
-7
V
DS
= - 50V
I
D
= - 38A
I
G
= -1mA
图。 10.栅极电荷
-160
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 25C
-1.0
-1.1
-1.2
-1.3
-1.4
-1.5
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-120
T
J
= 125C
-80
-40
0
-0.4
0
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
- 1,000
图。 12.正向偏置安全工作区
f
= 1兆赫
1ms
100s
25s
电容 - 皮法
R
DS ( ON)
极限
10,000
10ms
100ms
I
D
- 安培
西塞
- 100
DC
- 10
1,000
科斯
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
-25
-30
-35
-40
-1
-1
- 10
-100
CRSS
100
0
-5
-10
-15
-20
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXTA76P10T IXTP76P10T
IXTH76P10T
图。 13.电阻导通上升时间 -
结温
44
R
G
= 1, V
GS
= -10V
V
DS
= - 50V
44
图。 14.电阻导通上升时间 -
漏电流
40
40
t
r
- 纳秒
36
t
r
- 纳秒
36
R
G
= 1, V
GS
= -10V
32
V
DS
= - 50V
T
J
= 25C
32
I
D
= - 38A
28
I
24
D
= - 76A
28
T
J
= 125C
24
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
20
-36
-40
-44
-48
-52
-56
-60
-64
-68
-72
-76
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 15.电阻导通开关时间与
栅极电阻
200
110
24
23
I
D
= - 76A, - 38A
90
22
图。 16.电阻关断开关时间与
结温
75
t
r
160
V
DS
= - 50V
t
D(上)
- - - -
T
J
= 125°C ,V
GS
= -10V
t
f
t
D(关闭)
- - - -
70
65
60
I
D
= - 38A
55
50
I
D
= - 76A
45
40
35
125
R
G
= 1, V
GS
= -10V
V
DS
= - 50V
t
D(关闭)
- 纳秒
t
D(上)
- 纳秒
t
r
- 纳秒
t
f
- 纳秒
120
70
21
20
19
18
17
80
50
40
30
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
10
16
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17.电阻关断开关时间与
漏电流
24
23
22
66
200
图。 18.电阻关断开关时间与
栅极电阻
300
62
160
58
t
f
V
DS
= - 50V
t
D(关闭)
- - - -
t
f
V
DS
= - 50V
t
D(关闭)
- - - -
240
R
G
= 1, V
GS
= -10V
T
J
= 125°C ,V
GS
= -10V
t
D(关闭)
- 纳秒
t
D(关闭)
- 纳秒
t
f
- 纳秒
t
f
- 纳秒
21
20
19
T
J
= 125C, 25C
18
17
16
-36
-40
-44
-48
-52
-56
-60
-64
-68
-72
-76
54
50
46
42
38
34
120
I
D
= - 38A, - 76A
180
80
120
40
60
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
I
D
- 安培
R
G
- 欧姆
2013 IXYS公司,版权所有
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封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXTH76P10T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXTH76P10T
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制

电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
IXTH76P10T
IXYS/艾赛斯
20+
26000
TO-247
全新原装 货期两周
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
IXTH76P10T
IXYS
22+
4730
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXTH76P10T
IXYS
19+
8800
标准封装
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电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXTH76P10T
IXYS
8800
原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:83415655 复制

电话:13311626995
联系人:易
地址:上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
IXTH76P10T
IXYS
22+
7200
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXTH76P10T
IXYS/艾赛斯
2443+
23000
TO-247
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXTH76P10T
IXYS
24+
12000
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
IXTH76P10T
艾赛斯-IXYS
22+
25200
TO-247
原装现货 量大可订货 欢迎询价
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电话:13381567868
联系人:陈
地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
IXTH76P10T
IXYS
22+
7000
只有原装正品
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