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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第661页 > IXTH75N10
Megamos
TM
FET
IXTH / IXTM 67N10
IXTH / IXTM 75N10
N沟道增强模式
V
DSS
100 V
100 V
I
D25
R
DS （ ON）
67一25毫欧
75一个20 mΩ的
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
67N10
75N10
67N10
75N10
最大额定值
100
100
±20
±30
67
75
268
300
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXTH ）
D（ TAB ）
TO- 204 AE （ IXTM ）
D
G =门，
S =源，
G
D =排水，
TAB =漏
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
300
°C
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
低封装电感（ < 5 NH）
- 易于驾驶和保护
快速开关时间
l
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
100
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
0.025
0.020
V
应用
开关模式和谐振模
电源
电机控制
不间断电源（ UPS ）
直流斩波器
l
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
nA
A
mA
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
节省空间
高功率密度
l
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
l
l
67N10
75N10
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
l
V
l
l
l
l
l
l
91533E(5/96)
1-4
IXTH 67N10
IXTM 67N10
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
25
30
4500
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1300
550
40
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
,
（外部）
60
100
30
180
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
30
90
60
110
140
60
260
70
160
0.42
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
1
IXTH 75N10
IXTM 75N10
AD TO- 247 （ IXTH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
2
3
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
67N10
75N10
67N10
75N10
67
75
268
300
1.75
300
A
A
A
A
V
ns
毫米
英寸
分钟。
马克斯。
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
.185 .209
A
1
2.2
2.54
.087 .102
A
2
2.2
2.6
.059 .098
b
1.0
1.4
.040 .055
b
1
1.65
2.13
.065 .084
b
2
2.87
3.12
.113 .123
C
.4
.8
.016 .031
D 20.80 21.46
.819 .845
E
15.75 16.26
.610 .640
e
5.20
5.72 0.205 0.225
L
19.81 20.32
.780 .800
L1
4.50
.177
P 3.55
3.65
.140 .144
Q
5.89
6.40 0.232 0.252
R
4.32
5.49
.170 .216
S
6.15 BSC
242 BSC
TO- 204AE （ IXTM ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
引脚
1 - GATE
2 - 源
案例 - 漏
DIM 。
A
A1
b
D
e
e1
毫米
分钟。
马克斯。
6.4
11.4
1.53
3.42
1.45
1.60
22.22
10.67 11.17
5.21
5.71
英寸
分钟。马克斯。
.250 .450
.060 .135
.057 .063
.875
.420 .440
.205 .225
.440
.151
.151
1.187
.495
.131
.655
.480
.165
.165
BSC
.525
.188
.675
L
11.18 12.19
p 3.84
4.19
p
1 3.84
4.19
q
30.15 BSC
R 12.58 13.33
R1 3.33
4.77
s
16.64 17.14
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXTH 67N10
IXTM 67N10
IXTH 75N10
IXTM 75N10
图。 1输出特性
200
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
9V
图。 2输入导纳
150
125
150
I
D
- 安培
8V
I
D
- 安培
100
75
50
25
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T
J
= 125°C
100
7V
6V
50
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
5V
T
J
= 25°C
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
1.4
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
1.3
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
2.00
1.75
1.50
I
D
= 37.5A
1.2
V
GS
= 10V
1.1
1.0
V
GS
= 15V
1.25
1.00
0.75
0.9
0.8
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
80
75N10
67N10
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
1.1
V
GS （ TH）
BV
DSS
60
BV / V
G（ TH ）
- 归
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
40
20
0
-50
-25
0
25
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
IXTH 67N10
IXTM 67N10
IXTH 75N10
IXTM 75N10
图7栅极电荷特性曲线
10
9
8
7
V
DS
= 50V
I
D
= 37.5A
I
G
= 1毫安
图8正向偏置安全工作区
10s
100s
限于由R
DS （ ON）
100
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
I
D
- 安培
V
GS
- 伏特
1ms
10
10ms
100ms
1
1
10
100
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
图9电容曲线
6000
5000
图10源电流和源
漏极电压
150
125
电容 - pF的
3000
2000
1000
0
0
5
F = 1MHz的
V
DS
= 25V
C
OSS
I
S
- 安培
4000
C
国际空间站
100
75
50
T
J
= 125°C
25
C
RSS
T
J
= 25°C
10
15
20
25
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V
DS
- 伏特
V
SD
- 伏
图11瞬态热阻抗
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
时间 - SECONDS
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
Megamos
TM
FET
IXTH / IXTM 67N10
IXTH / IXTM 75N10
N沟道增强模式
V
DSS
100 V
100 V
I
D25
R
DS （ ON）
67一25毫欧
75一个20 mΩ的
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
67N10
75N10
67N10
75N10
最大额定值
100
100
±20
±30
67
75
268
300
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXTH ）
D（ TAB ）
TO- 204 AE （ IXTM ）
D
G =门，
S =源，
G
D =排水，
TAB =漏
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
300
°C
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
低封装电感（ < 5 NH）
- 易于驾驶和保护
快速开关时间
l
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
100
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
0.025
0.020
V
应用
开关模式和谐振模
电源
电机控制
不间断电源（ UPS ）
直流斩波器
l
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
nA
A
mA
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
节省空间
高功率密度
l
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
l
l
67N10
75N10
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
l
V
l
l
l
l
l
l
91533E(5/96)
1-4
IXTH 67N10
IXTM 67N10
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
25
30
4500
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1300
550
40
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
,
（外部）
60
100
30
180
V
GS
= 10 V, V
DS
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DSS
, I
D
= 0.5 I
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30
90
60
110
140
60
260
70
160
0.42
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
1
IXTH 75N10
IXTM 75N10
AD TO- 247 （ IXTH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
2
3
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
67N10
75N10
67N10
75N10
67
75
268
300
1.75
300
A
A
A
A
V
ns
毫米
英寸
分钟。
马克斯。
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
.185 .209
A
1
2.2
2.54
.087 .102
A
2
2.2
2.6
.059 .098
b
1.0
1.4
.040 .055
b
1
1.65
2.13
.065 .084
b
2
2.87
3.12
.113 .123
C
.4
.8
.016 .031
D 20.80 21.46
.819 .845
E
15.75 16.26
.610 .640
e
5.20
5.72 0.205 0.225
L
19.81 20.32
.780 .800
L1
4.50
.177
P 3.55
3.65
.140 .144
Q
5.89
6.40 0.232 0.252
R
4.32
5.49
.170 .216
S
6.15 BSC
242 BSC
TO- 204AE （ IXTM ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
引脚
1 - GATE
2 - 源
案例 - 漏
DIM 。
A
A1
b
D
e
e1
毫米
分钟。
马克斯。
6.4
11.4
1.53
3.42
1.45
1.60
22.22
10.67 11.17
5.21
5.71
英寸
分钟。马克斯。
.250 .450
.060 .135
.057 .063
.875
.420 .440
.205 .225
.440
.151
.151
1.187
.495
.131
.655
.480
.165
.165
BSC
.525
.188
.675
L
11.18 12.19
p 3.84
4.19
p
1 3.84
4.19
q
30.15 BSC
R 12.58 13.33
R1 3.33
4.77
s
16.64 17.14
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXTH 67N10
IXTM 67N10
IXTH 75N10
IXTM 75N10
图。 1输出特性
200
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
9V
图。 2输入导纳
150
125
150
I
D
- 安培
8V
I
D
- 安培
100
75
50
25
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T
J
= 125°C
100
7V
6V
50
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
5V
T
J
= 25°C
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
1.4
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
1.3
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
2.00
1.75
1.50
I
D
= 37.5A
1.2
V
GS
= 10V
1.1
1.0
V
GS
= 15V
1.25
1.00
0.75
0.9
0.8
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
80
75N10
67N10
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
1.1
V
GS （ TH）
BV
DSS
60
BV / V
G（ TH ）
- 归
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
40
20
0
-50
-25
0
25
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
IXTH 67N10
IXTM 67N10
IXTH 75N10
IXTM 75N10
图7栅极电荷特性曲线
10
9
8
7
V
DS
= 50V
I
D
= 37.5A
I
G
= 1毫安
图8正向偏置安全工作区
10s
100s
限于由R
DS （ ON）
100
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
I
D
- 安培
V
GS
- 伏特
1ms
10
10ms
100ms
1
1
10
100
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
图9电容曲线
6000
5000
图10源电流和源
漏极电压
150
125
电容 - pF的
3000
2000
1000
0
0
5
F = 1MHz的
V
DS
= 25V
C
OSS
I
S
- 安培
4000
C
国际空间站
100
75
50
T
J
= 125°C
25
C
RSS
T
J
= 25°C
10
15
20
25
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V
DS
- 伏特
V
SD
- 伏
图11瞬态热阻抗
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
时间 - SECONDS
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
HIGH CURRENT
功率MOSFET
N沟道增强模式
V
DSS
IXTN 58N50
IXTN 61N50
500 V
500 V
I
D25
R
DS （ ON）
58 A 85毫欧
61 A 75毫欧
初步数据
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
V
ISOL
50/60赫兹， RMS
T = 1分钟
T = 1秒
M
d
安装力矩
终端连接力矩（ M4）的
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1.0 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
-40 ... +150
150
-40 ... +150
IXTN
IXTN
IXTN
IXTN
58N50
61N50
58N50
61N50
最大额定值
500
500
±20
±30
58
61
232
244
625
°C
°C
°C
2500
3000
V~
V~
特点
国际标准套餐
隔离电压3000V （有效值）
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
低漏 - 壳电容
（ <100 pF的）
- 减少RFI
低封装电感（ < 10 NH）
- 易于驾驶和保护
氮化铝隔离
- 增加了额定电流
应用
直流斩波器
交流电机速度控制器
直流伺服和机器人的驱动器
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模式
电源
V
V
G
S
miniBLOC ， SOT- 227 B
E153432
V
V
A
A
A
A
W
S
D
G =门
S =源
D =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
1.7
4.0
±200
500
2
58N50
61N50
85
75
V
V
nA
A
mA
m
m
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 5毫安
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 12毫安
V
GS
=
±20
V DC ，V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300微秒，占空比
≤
2 %
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
版权所有1997 IXYS所有权利。
95501B(4/97)
IXTN 58N50
IXTN 61N50
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
20
30
11000
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1550
225
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 50 A
R
G
= 1
（外部）
60
100
50
420
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D2
55
160
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.20 K / W
0.05
K / W
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
miniBLOC ， SOT- 227 B
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
测试条件
V
GS
= 0 V
额定值和特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
MIN 。 TYP 。
马克斯。
61
244
1.5
A
A
V
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S,
V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300微秒，占空比
≤
2 %
t
rr
I
F
= 50A
,
的di / dt = -100 A / μs的，V
R
= 100 V
800
ns
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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