【MegamosTMFETIXTH 35N30IXTH 40N30IXTM 40N30N沟道增强模式V】,IC型号IXTH35N30,IXTH35N30 PDF资料,IXTH35N30经销商,ic,电子元器件-51电子网

Megamos

FET

IXTH 35N30

IXTH 40N30

IXTM 40N30

N沟道增强模式

DSS

300 V

D25

35 A

40 A

DS （ ON）

0.10

0.085

0.088

符号

DSS

DGR

GSM

D25

英镑

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

35N30

40N30

35N30

40N30

最大额定值

300

±20

±30

140

160

300

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

AD TO- 247 （ IXTH ）

D（ TAB ）

TO- 204 AE （ IXTM ）

G =门，

S =源，

D =排水，

TAB =漏

安装力矩

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克

300

°C

特点

国际标准封装

低R

DS （ ON）

HDMOS

过程

坚固的多晶硅栅单元结构

低封装电感（ < 5 NH）

- 易于驾驶和保护

快速开关时间

最大无铅焊接温度的

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

300

±100

= 25°C

= 125°C

200

0.10

0.085

0.088

应用

开关模式和谐振模

电源

电机控制

不间断电源（ UPS ）

直流斩波器

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250

= V

, I

= 250

±20

, V

= 0

= 0.8 V

DSS

= 0 V

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXTH35N30

IXTH40N30

IXTM40N30

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

优势

易与1螺钉安装（ TO- 247 ）

（隔绝安装螺纹孔）

节省空间

高功率密度

91535E(5/96)

1-4

IXTH 35N30

IXTH 40N30

IXTM 40N30

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

4600

100

220

105

0.42

0.25

K / W

AD TO- 247 （ IXTH ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

650

240

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 2

（外部）

190

端子： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

标签 - 漏

DIM 。

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复;

脉冲宽度限制T

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

35N30

40N30

35N30

40N30

140

160

1.5

400

毫米

英寸

分钟。

马克斯。

分钟。马克斯。

4.7

5.3

.185 .209

2.2

2.54

.087 .102

2.2

2.6

.059 .098

1.0

1.4

.040 .055

1.65

2.13

.065 .084

2.87

3.12

.113 .123

.016 .031

D 20.80 21.46

.819 .845

15.75 16.26

.610 .640

5.20

5.72 0.205 0.225

19.81 20.32

.780 .800

4.50

.177

P 3.55

3.65

.140 .144

5.89

6.40 0.232 0.252

4.32

5.49

.170 .216

6.15 BSC

242 BSC

TO- 204AE （ IXTM ）大纲

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

= I

， -di / DT = 100 A / μs的，V

= 100 V

引脚

1 - GATE

2 - 源

案例 - 漏

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

6.4

11.4

1.53

3.42

1.45

1.60

22.22

10.67 11.17

5.21

5.71

英寸

分钟。马克斯。

.250 .450

.060 .135

.057 .063

.875

.420 .440

.205 .225

.440

.151

1.187

.495

.131

.655

.480

.165

BSC

.525

.188

.675

11.18 12.19

p 3.84

4.19

1 3.84

4.19

30.15 BSC

R 12.58 13.33

R1 3.33

4.77

16.64 17.14

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,881,106

5,017,508

5,049,961

5,187,117

5,486,715

4,850,072

4,931,844

5,034,796

5,063,307

5,237,481

5,381,025

2-4

IXTH 35N30

IXTH 40N30

IXTM 40N30

图。 1输出特性

= 25°C

= 10V

图。 2输入导纳

- 安培

= 25°C

- 伏特

图。 3 R

DS （ ON）

与漏电流

2.0

= 25°C

图。 4温度依赖性

的漏极至源极电阻

2.50

2.25

1.8

DS （ ON）

- 归

DS （ ON）

- 归

1.6

1.4

= 10V

2.00

1.75

1.50

1.25

1.00

0.75

= 20A

1.2

= 15V

1.0

0.8

0.6

100

120

0.50

-50

-25

100 125 150

- 安培

- 摄氏度

图。 5漏极电流 -

外壳温度

40N30

图。 6温度依赖性

分解和阈值电压

1.2

GS （ TH）

DSS

1.1

BV / V

G（ TH ）

- 归

100 125 150

- 安培

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

35N30

-25

0.5

-50

-25

100 125 150

- 摄氏度

3-4

IXTH 35N30

IXTH 40N30

IXTM 40N30

图7栅极电荷特性曲线

= 150V

图8正向偏置安全工作区

10s

100

限于由R

DS （ ON）

= 21A

= 10毫安

100 125 150 175 200

- 安培

100s

- 伏特

1ms

10ms

100ms

100

300

栅极电荷 - nCoulombs

- 伏特

图9电容曲线

4500

4000

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

OSS

RSS

F = 1 MHz的

= 25V

国际空间站

图10源电流和源

漏极电压

电容 - pF的

- 安培

= 25°C

= 125°C

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

VDS - 伏特

- 伏特

图11瞬态热阻抗

热响应 - K / W

D=0.5

0.1

D=0.2

D=0.1

D=0.05

0.01

D=0.02

D=0.01

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

时间 - SECONDS

4-4

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