Megamos
TM
FET
IXTH / IXTM 21N50
IXTH / IXTM 24N50
N沟道增强模式
V
DSS
500 V
500 V
I
D25
R
DS （ ON）
21 A 0.25
24 A 0.23
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
21N50
24N50
21N50
24N50
最大额定值
500
500
±20
±30
21
24
84
96
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXTH ）
D（ TAB ）
TO- 204 AE （ IXTM ）
D
G =门，
S =源，
G
D =排水，
TAB =漏
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
300
°C
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
低封装电感（ < 5 NH）
- 易于驾驶和保护
快速开关时间
l
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
0.25
0.23
V
应用
开关模式和谐振模
电源
电机控制
不间断电源（ UPS ）
直流斩波器
l
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
nA
A
mA
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
节省空间
高功率密度
l
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
l
l
21N50
24N50
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
l
V
l
l
l
l
l
l
91536F(5/97)
1-4
IXTH 21N50
IXTM 21N50
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
11
21
4200
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
450
135
24
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
,
（外部）
33
65
30
160
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
28
75
30
45
80
40
190
40
85
0.42
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
1
IXTH 24N50
IXTM 24N50
AD TO- 247 （ IXTH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
2
3
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
21N50
24N50
21N50
24N50
21
24
84
96
1.5
600
A
A
A
A
V
ns
毫米
英寸
分钟。
马克斯。
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
.185 .209
A
1
2.2
2.54
.087 .102
A
2
2.2
2.6
.059 .098
b
1.0
1.4
.040 .055
b
1
1.65
2.13
.065 .084
b
2
2.87
3.12
.113 .123
C
.4
.8
.016 .031
D 20.80 21.46
.819 .845
E
15.75 16.26
.610 .640
e
5.20
5.72 0.205 0.225
L
19.81 20.32
.780 .800
L1
4.50
.177
P 3.55
3.65
.140 .144
Q
5.89
6.40 0.232 0.252
R
4.32
5.49
.170 .216
S
6.15 BSC
242 BSC
TO- 204 AE （ IXTM ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
引脚
1 - GATE
2 - 源
案例 - 漏
DIM 。
A
A1
b
D
e
e1
毫米
分钟。
马克斯。
6.4
11.4
1.53
3.42
1.45
1.60
22.22
10.67 11.17
5.21
5.71
英寸
分钟。马克斯。
.250 .450
.060 .135
.057 .063
.875
.420 .440
.205 .225
.440
.151
.151
1.187
.495
.131
.655
.480
.165
.165
BSC
.525
.188
.675
L
11.18 12.19
p 3.84
4.19
p
1 3.84
4.19
q
30.15 BSC
R 12.58 13.33
R1 3.33
4.77
s
16.64 17.14
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXTH 21N50
IXTM 21N50
IXTH 24N50
IXTM 24N50
图。 1输出特性
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5V
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
图。 2输入导纳
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
T
J
= 25°C
7V
6V
I
D
- 安培
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
- 安培
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
1.6
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
1.5
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
1.4
1.3
V
GS
= 10V
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I
D
= 12A
1.2
1.1
1.0
0.9
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
GS
= 15V
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
1.2
30
24N50
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
V
GS （ TH）
BV
CES
1.1
BV / V
G（ TH ）
- 归
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
20
21N50
10
0
-50
-25
0
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
Megamos
TM
FET
IXTH / IXTM 21N50
IXTH / IXTM 24N50
N沟道增强模式
V
DSS
500 V
500 V
I
D25
R
DS （ ON）
21 A 0.25
24 A 0.23
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
21N50
24N50
21N50
24N50
最大额定值
500
500
±20
±30
21
24
84
96
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXTH ）
D（ TAB ）
TO- 204 AE （ IXTM ）
D
G =门，
S =源，
G
D =排水，
TAB =漏
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
300
°C
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
低封装电感（ < 5 NH）
- 易于驾驶和保护
快速开关时间
l
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
0.25
0.23
V
应用
开关模式和谐振模
电源
电机控制
不间断电源（ UPS ）
直流斩波器
l
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
nA
A
mA
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
节省空间
高功率密度
l
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
l
l
21N50
24N50
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
l
V
l
l
l
l
l
l
91536F(5/97)
1-4
IXTH 21N50
IXTM 21N50
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
11
21
4200
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
450
135
24
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
,
（外部）
33
65
30
160
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
28
75
30
45
80
40
190
40
85
0.42
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
1
IXTH 24N50
IXTM 24N50
AD TO- 247 （ IXTH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
2
3
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
21N50
24N50
21N50
24N50
21
24
84
96
1.5
600
A
A
A
A
V
ns
毫米
英寸
分钟。
马克斯。
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
.185 .209
A
1
2.2
2.54
.087 .102
A
2
2.2
2.6
.059 .098
b
1.0
1.4
.040 .055
b
1
1.65
2.13
.065 .084
b
2
2.87
3.12
.113 .123
C
.4
.8
.016 .031
D 20.80 21.46
.819 .845
E
15.75 16.26
.610 .640
e
5.20
5.72 0.205 0.225
L
19.81 20.32
.780 .800
L1
4.50
.177
P 3.55
3.65
.140 .144
Q
5.89
6.40 0.232 0.252
R
4.32
5.49
.170 .216
S
6.15 BSC
242 BSC
TO- 204 AE （ IXTM ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
引脚
1 - GATE
2 - 源
案例 - 漏
DIM 。
A
A1
b
D
e
e1
毫米
分钟。
马克斯。
6.4
11.4
1.53
3.42
1.45
1.60
22.22
10.67 11.17
5.21
5.71
英寸
分钟。马克斯。
.250 .450
.060 .135
.057 .063
.875
.420 .440
.205 .225
.440
.151
.151
1.187
.495
.131
.655
.480
.165
.165
BSC
.525
.188
.675
L
11.18 12.19
p 3.84
4.19
p
1 3.84
4.19
q
30.15 BSC
R 12.58 13.33
R1 3.33
4.77
s
16.64 17.14
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXTH 21N50
IXTM 21N50
IXTH 24N50
IXTM 24N50
图。 1输出特性
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5V
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
图。 2输入导纳
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
T
J
= 25°C
7V
6V
I
D
- 安培
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
- 安培
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
1.6
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
1.5
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
1.4
1.3
V
GS
= 10V
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I
D
= 12A
1.2
1.1
1.0
0.9
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
GS
= 15V
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
1.2
30
24N50
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
V
GS （ TH）
BV
CES
1.1
BV / V
G（ TH ）
- 归
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
20
21N50
10
0
-50
-25
0
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
QQ：2880707522 复制
