V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
Megamos
TM
FET
N沟道增强模式
IXTH / IXTM 11N80 800 V
IXTH / IXTM 13N80 800 V
11 A 0.95
13 A 0.80
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
11N80
13N80
11N80
13N80
最大额定值
800
800
±20
±30
11
13
44
52
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXTH ）
D（ TAB ）
TO- 204 AA （ IXTM ）
G
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
300
°C
特点
q
q
q
q
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
q
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
低封装电感（ < 5 NH）
- 易于驾驶和保护
快速开关时间
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
800
2
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
11N80
13N80
250
1
0.95
0.80
V
V
nA
A
mA
应用
q
q
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
q
q
开关模式和谐振模
电源
电机控制
不间断电源（ UPS ）
直流斩波器
优势
q
q
q
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
节省空间
高功率密度
I
XYS保留改变限，测试条件，和尺寸的权利。
915380F (5/96)
IXYS公司
3540巴西特街，圣克拉拉， CA 95054
电话： 408-982-0700传真： 408-496-0670
IXYS半导体
Edisonstr 。 15 ， D- 68623兰佩尔泰姆，德国
电话： + 49-6206-5030
传真： + 49-6206-503629
IXTH 11N80 13N80 IXTH
IXTM 11N80 13N80 IXTM
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
8
14
4500
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
310
65
20
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
,
（外部）
33
63
32
145
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
30
55
50
50
100
50
170
45
80
0.42
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
1
2
3
AD TO- 247 （ IXTH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
毫米
分钟。马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
英寸
分钟。马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.209
.102
.098
.055
.084
.123
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
11N80
13N80
11N80
13N80
11
13
44
52
1.5
800
A
A
A
A
V
ns
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 204AA （ IXTM ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
引脚
1 - GATE
2 - 源
案例 - 漏
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
6.4
11.4
A1
3.42
b
.97
1.09
D
22.22
e
10.67 11.17
e1
5.21
5.71
L
7.93
p
3.84
4.19
p1
3.84
4.19
q
30.15 BSC
R
13.33
R1
4.77
s
16.64 17.14
英寸
分钟。马克斯。
.250 .450
.135
.038 .043
.875
.420 .440
.205 .225
.312
.151 .165
.151 .165
1.187 BSC
.525
.188
.655 .675
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
IXTH 11N80
IXTM 11N80
IXTH 13N80
IXTM 13N80
图。 1输出特性
18
16
14
18
16
14
图。 2输入导纳
T
J
= 25°C
V
DS
= 10V
I
D
- 安培
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 安培
12
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
1.40
1.35
1.30
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
V
GS
= 10V
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
R
DS （ ON）
- 归
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
R
DS （ ON）
- 欧姆
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
18
16
14
1.2
1.1
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
V
GS （ TH）
BV / V
G（ TH ）
- 归
I
D
- 安培
12
10
8
6
4
2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 摄氏度
I
XYS保留改变限，测试条件，和尺寸的权利。
T
J
- 摄氏度
IXYS公司
3540巴西特街，圣克拉拉， CA 95054
电话： 408-982-0700传真： 408-496-0670
IXYS半导体
Edisonstr 。 15 ， D- 68623兰佩尔泰姆，德国
电话： + 49-6206-5030
传真： + 49-6206-503629
IXTH 11N80
IXTM 11N80
IXTH 13N80
IXTM 13N80
图7栅极电荷特性曲线
10
图8正向偏置安全工作区
10s
8
V
DS
= 400V
I
D
= 13A
限于由R
DS （ ON）
100s
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
I
G
= 10毫安
10
1ms
10ms
100ms
V
GE
- 伏特
1
0.1
1
10
100
1000
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
图9电容曲线
4500
4000
C
国际空间站
图10源电流和源
漏极电压
18
16
14
电容 - pF的
3500
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
F = 1 MHz的
V
DS
= 25V
I
D
- 安培
3000
12
10
8
6
4
2
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
C
OSS
C
RSS
10
15
20
25
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
CE
- 伏特
V
SD
- 伏特
图11瞬态热阻抗
1
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
Megamos
TM
FET
N沟道增强模式
IXTH / IXTM 11N80 800 V
IXTH / IXTM 13N80 800 V
11 A 0.95
13 A 0.80
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
11N80
13N80
11N80
13N80
最大额定值
800
800
±20
±30
11
13
44
52
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXTH ）
D（ TAB ）
TO- 204 AA （ IXTM ）
G
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
300
°C
特点
q
q
q
q
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
q
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
低封装电感（ < 5 NH）
- 易于驾驶和保护
快速开关时间
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
800
2
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
11N80
13N80
250
1
0.95
0.80
V
V
nA
A
mA
应用
q
q
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
q
q
开关模式和谐振模
电源
电机控制
不间断电源（ UPS ）
直流斩波器
优势
q
q
q
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
节省空间
高功率密度
I
XYS保留改变限，测试条件，和尺寸的权利。
915380F (5/96)
IXYS公司
3540巴西特街，圣克拉拉， CA 95054
电话： 408-982-0700传真： 408-496-0670
IXYS半导体
Edisonstr 。 15 ， D- 68623兰佩尔泰姆，德国
电话： + 49-6206-5030
传真： + 49-6206-503629
IXTH 11N80 13N80 IXTH
IXTM 11N80 13N80 IXTM
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
8
14
4500
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
310
65
20
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
,
（外部）
33
63
32
145
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
30
55
50
50
100
50
170
45
80
0.42
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
1
2
3
AD TO- 247 （ IXTH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
毫米
分钟。马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
英寸
分钟。马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.209
.102
.098
.055
.084
.123
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
11N80
13N80
11N80
13N80
11
13
44
52
1.5
800
A
A
A
A
V
ns
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 204AA （ IXTM ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
引脚
1 - GATE
2 - 源
案例 - 漏
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
6.4
11.4
A1
3.42
b
.97
1.09
D
22.22
e
10.67 11.17
e1
5.21
5.71
L
7.93
p
3.84
4.19
p1
3.84
4.19
q
30.15 BSC
R
13.33
R1
4.77
s
16.64 17.14
英寸
分钟。马克斯。
.250 .450
.135
.038 .043
.875
.420 .440
.205 .225
.312
.151 .165
.151 .165
1.187 BSC
.525
.188
.655 .675
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
IXTH 11N80
IXTM 11N80
IXTH 13N80
IXTM 13N80
图。 1输出特性
18
16
14
18
16
14
图。 2输入导纳
T
J
= 25°C
V
DS
= 10V
I
D
- 安培
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 安培
12
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
1.40
1.35
1.30
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
V
GS
= 10V
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
R
DS （ ON）
- 归
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
R
DS （ ON）
- 欧姆
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
18
16
14
1.2
1.1
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
V
GS （ TH）
BV / V
G（ TH ）
- 归
I
D
- 安培
12
10
8
6
4
2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 摄氏度
I
XYS保留改变限，测试条件，和尺寸的权利。
T
J
- 摄氏度
IXYS公司
3540巴西特街，圣克拉拉， CA 95054
电话： 408-982-0700传真： 408-496-0670
IXYS半导体
Edisonstr 。 15 ， D- 68623兰佩尔泰姆，德国
电话： + 49-6206-5030
传真： + 49-6206-503629
IXTH 11N80
IXTM 11N80
IXTH 13N80
IXTM 13N80
图7栅极电荷特性曲线
10
图8正向偏置安全工作区
10s
8
V
DS
= 400V
I
D
= 13A
限于由R
DS （ ON）
100s
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
I
G
= 10毫安
10
1ms
10ms
100ms
V
GE
- 伏特
1
0.1
1
10
100
1000
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
图9电容曲线
4500
4000
C
国际空间站
图10源电流和源
漏极电压
18
16
14
电容 - pF的
3500
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
F = 1 MHz的
V
DS
= 25V
I
D
- 安培
3000
12
10
8
6
4
2
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
C
OSS
C
RSS
10
15
20
25
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
CE
- 伏特
V
SD
- 伏特
图11瞬态热阻抗
1
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
QQ：2880707522 复制
