IXTH / IXTT 10P50
IXTH / IXTT 11P50
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
5
9
4700
V
GS
= 0 V, V
DS
= -25 V，F = 1兆赫
430
135
33
V
GS
= -10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 4.7
（外部）
27
35
35
160
V
GS
= -10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
46
92
0.42
(TO-247)
0.25
S
1
2
3
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= -10 V ;我
D
= I
D25
，脉冲测试
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
2.2
2.6
A
2
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
10P50
11P50
10P50
11P50
-10
-11
-40
-44
-3
500
A
A
A
A
V
ns
TO- 268外形
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
，的di / dt = 100 A / μs的
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXTH / IXTT 10P50
IXTH / IXTT 11P50
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
5
9
4700
V
GS
= 0 V, V
DS
= -25 V，F = 1兆赫
430
135
33
V
GS
= -10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 4.7
（外部）
27
35
35
160
V
GS
= -10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
46
92
0.42
(TO-247)
0.25
S
1
2
3
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= -10 V ;我
D
= I
D25
，脉冲测试
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
2.2
2.6
A
2
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
10P50
11P50
10P50
11P50
-10
-11
-40
-44
-3
500
A
A
A
A
V
ns
TO- 268外形
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
，的di / dt = 100 A / μs的
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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