沟槽栅
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
TO- 263 （ IXTA ）
TO- 247 （ IXTH ）
IXTA102N15T
IXTH102N15T
IXTP102N15T
IXTQ102N15T
的TO-220 （ IXTP ）
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 150V
= 102A
≤
18mΩ
Ω
TO-3P （ IXTQ ）
G
S
（ TAB ）
G
D
S
（ TAB ）
G
S
（ TAB ）
G
D
S
（ TAB ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
LRMS
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
铅电流限制， RMS
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
175°C
T
C
= 25°C
最大额定值
150
150
±
20
±
30
102
75
300
51
750
10
455
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
Nmlb.in.
N /磅。
g
g
g
g
特点
国际标准封装
额定雪崩
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
应用
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料体10秒
安装力矩
安装力
TO-263
TO-220
TO-3P
TO-247
（ TO-220， TO-3P ，TO- 247 ）
(TO-263)
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
5.5
6.0
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
150
3.0
5.0
10..65/2.2..14.6
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0V
T
J
= 150°C
V
V
±
200 nA的
5
μA
250
μA
18 mΩ
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
2008 IXYS公司，保留所有权利。
DS99661B(10/08)
IXTA102N15T IXTH102N15T
IXTP102N15T IXTQ102N15T
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
(TO-220)
（ TO-3P & TO-247 ）
0.50
0.25
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 25A
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
= 0.5
I
D25
R
G
= 3.3Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
50
80
5220
685
95
20
14
25
22
87
23
31
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.33
° C / W
° C / W
° C / W
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 100A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 51A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 75V, V
GS
= 0V
97
8.4
409
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
102
400
1.3
A
A
V
ns
A
nC
注1 ：
脉冲测试，T
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
由一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXTA102N15T IXTH102N15T
IXTP102N15T IXTQ102N15T
图。 7.输入导纳
160
140
120
100
80
60
40
20
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
T
J
= 150C
25C
- 40C
120
110
100
90
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
25C
150C
80
100
120
140
160
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
300
275
250
225
10
9
8
7
V
DS
= 75V
I
D
= 51A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
T
J
= 150C
T
J
= 25C
V
GS
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
1000.0
图。 12.正向偏置安全工作区
电容 - 皮法
西塞
100.0
R
DS （ ON）
极限
25s
100s
科斯
I
D
- 安培
1,000
10.0
1ms
100
CRSS
1.0
T
J
= 175C
T
C
= 25C
单脉冲
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
DC
10ms
100ms
f
= 1兆赫
10
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
2008 IXYS公司，保留所有权利。
IXYS REF ： F_102N15T （ 6E ） 90-30-08
QQ：2881677436 复制
