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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第579页 > IXTA3N50D2
耗尽型
MOSFET
IXTA3N50D2
IXTP3N50D2
V
DSX
I
D(上)
R
DS ( ON)
=
& GT ;
500V
3A
Ω
1.5Ω
N沟道
TO- 263 AA ( IXTA )
符号
V
DSX
V
GSX
V
GSM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
连续
短暂
T
C
= 25°C
最大额定值
500
±20
±30
125
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
G =门
S =源
G
S
D( TAB )
TO- 220AB ( IXTP )
G
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩( TO- 220 )
TO-263
TO-220
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
DS
D( TAB )
D
=漏
TAB =漏
特点
常开模式
国际标准封装
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSX
V
GS ( OFF )
I
GSX
I
DSX (关闭)
R
DS ( ON)
I
D(上)
V
GS
= - 5V ,我
D
= 250μA
V
DS
= 25V ,我
D
= 250μA
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSX
, V
GS
= - 5V
V
GS
= 0V时,我
D
= 1.5A ,注1
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ,注1
3
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
500
- 2.0
- 4.0
V
V
应用
音频放大器
启动电路
保护电路
斜坡发生器
电流调节器
有源负载
易于安装
节省空间
高功率密度
±100
nA
5
μA
50
μA
1.5
Ω
A
2009 IXYS公司,版权所有
DS100148B(12/09)
IXTA3N50D2
IXTP3N50D2
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-220
0.50
V
GS
= 5V, V
DS
= 250V ,我
D
= 1.5A
电阻开关时间
V
GS
=
±
5V, V
DS
= 250V ,我
D
= 1.5A
R
G
= 3.3Ω (外部)
V
GS
= -10V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DS
= 30V ,我
D
= 1.5A ,注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
1.3
2.1
1070
102
24
27
71
56
42
40
5
20
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1.00
° C / W
° C / W
DIM 。
A
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
0.51
1.14
0.40
1.14
8.64
8.00
9.65
6.22
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
4.83
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.89
10.41
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.13
英寸
分钟。马克斯。
.160
.020
.045
.016
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.190
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.005
1.
2.
3.
4.
来源
底部
SIDE
TO- 263 ( IXTA )大纲
安全工作,规范区
符号
SOA
测试条件
V
DS
= 400V ,我
D
= 0.19A ,T
C
= 75 ° C, TP = 5S
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
75
W
TO- 220 ( IXTP )大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
I
F
= 3A ,V
GS
= -10V ,注1
I
F
= 3A , -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= -10V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
0.8
340
10.9
1.86
1.3
V
ns
A
μC
引脚:
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
注1.脉冲检验,t
300μS ,占空比D
2%.
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXTA3N50D2
IXTP3N50D2
图。 1.输出特性@ T
J
= 25C
3.0
V
GS
= 5V
3V
2V
1V
16
14
12
2V
0V
1.5
V
GS
= 5V
3V
图。 2.扩展的输出特性@ T
J
= 25C
2.5
I
D
- 安培
2.0
I
D
- 安培
10
8
6
4
1V
1.0
-1V
0V
0.5
-1V
-2V
-3V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
2
0
0
5
10
15
20
-2V
25
30
0.0
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
= 125C
3.0
V
GS
= 5V
2V
1V
0V
2.0
1.E-02
1.E+00
图。 4.漏电流@ T
J
= 25C
V
GS
= - 2.50V
1.E-01
2.5
- 2.75V
- 3.00V
I
D
- 安培
1.5
-1V
I
D
- 安培
- 3.25V
- 3.50V
- 3.75V
1.E-03
1.0
-2V
0.5
-3V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
1.E-04
1.E-05
- 4.00V
1.E-06
0
100
200
300
400
500
600
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 5.漏电流@ T
J
= 100C
1.E+00
1.E+08
图。 6.动态电阻与栅极电压
V
DS
= 350V - 100V
1.E+07
V
GS
= -2.75V
1.E-01
-3.00V
I
D
- 安培
1.E-02
-3.50V
R
O
- 欧姆
-3.25V
1.E+06
1.E+05
T
J
= 25C
T
J
= 100C
-3.75V
1.E-03
1.E+04
-4.00V
1.E-04
1.E+03
0
100
200
300
400
500
600
-4.2
-4.0
-3.8
-3.6
-3.4
-3.2
-3.0
-2.8
-2.6
-2.4
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
2009 IXYS公司,版权所有
IXTA3N50D2
IXTP3N50D2
图。 7.归
DS ( ON)
- 结温
2.6
2.4
2.2
V
GS
= 0V
I
D
= 1.5A
2.6
3.0
V
GS
= 0V
5V
- - - -
T
J
= 125C
图。 8以下。R
DS ( ON)
归到我
D
= 1.5A价值
与漏电流
R
DS ( ON)
- 归
R
DS ( ON)
- 归
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.2
1.8
1.4
T
J
= 25C
1.0
0.6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 9.输入导纳
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-3.5
0
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
0
1
2
T
J
= 125C
25C
- 40C
V
DS
= 30V
5
6
V
DS
= 30V
图。 10.跨导
T
J
= - 40C
25C
g
F小号
- 西门子
4
125C
I
D
- 安培
3
2
1
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 11.故障和阈值电压
- 结温
1.4
10
9
1.3
8
7
V
GS
= -10V
图。 12.正向电压降
征二极管
BV / V
GS ( OFF )
- 归
1.2
I
S
- 安培
V
GS ( OFF )
@ V
DS
= 25V
6
5
4
3
2
1
T
J
= 25C
T
J
= 125C
1.1
BV
DSX
@ V
GS
= - 5V
1.0
0.9
0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
T
J
- 摄氏
V
SD
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXTA3N50D2
IXTP3N50D2
图。 13.电容
10,000
5
图。 14.栅极电荷
4
3
V
DS
= 250V
I
D
= 1.5A
I
G
= 10毫安
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
西塞
1,000
2
V
GS
- 伏特
1
0
-1
-2
-3
科斯
100
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-4
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
DS
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 15.正向偏置安全工作区
@ T
C
= 25C
100.0
100.0
图。 16.正向偏置安全工作区
@ T
C
= 75C
R
DS ( ON)
极限
10.0
10.0
R
DS ( ON)
极限
I
D
- 安培
I
D
- 安培
25s
100s
25s
100s
1.0
T
J
= 150C
T
C
= 75C
单身
阻抗
脉冲
10
100
1.0
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
DC
1ms
10ms
100ms
1ms
10ms
100ms
DC
1,000
图。 17.最大瞬态
0.1
100
1,000
10.00
0.1
10
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 17.最大瞬态热阻抗
2.00
1.00
Z
(日) JC
- C / W
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2009 IXYS公司,版权所有
IXYS REF : T_3N50D2 ( 3C ) 09年8月17日-A
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXTA3N50D2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXTA3N50D2
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXTA3N50D2
Littelfuse Inc.
24+
10000
TO-263AA
原厂一级代理,原装现货
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IXTA3N50D2
IXYS/艾赛斯
2024
20918
SOT-263
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IXTA3N50D2
专营IXYS
2024
65890
TO-263
原装现货上海库存,欢迎查询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
IXTA3N50D2
IXYS/艾赛斯
24+
68500
SOT-263
假一罚十,原装进口正品现货供应,只做原装
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电话:171-4729-9698(微信同号)
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IXYS
24+
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
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IXTA3N50D2
IXYS/艾赛斯
23+
26008
TO-263
原装正品 华强现货
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IXTA3N50D2
IXYS/艾赛斯
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十五年专营 金牌供应商
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IXTA3N50D2
Ixys
㊣10/11+
9084
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联系人:刘先生
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IXTA3N50D2
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