IXTA / IXTP 3N120
IXTA / IXTP 3N110
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.5
2.2
1050 1300
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
100 125
25
17
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 4.7
（外部）
15
32
18
39
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
9
22
0.8
(TO-220)
0.25
50
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
销： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
底侧
TO- 220 （ IXTP ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
注意1
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
3
12
1.5
700
A
A
V
ns
TO- 263 （ IXTA ）大纲
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
注意事项： 1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
底侧
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。
马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXTA / IXTP 3N120
IXTA / IXTP 3N110
12
西塞
F = 1MHz的
10
V
GS
- 伏特
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
电容 - pF的
V
DS
= 600V
I
D
= 1.5A
1000
科斯
100
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
图。 7栅极电荷特性曲线
5
V
GS
= 0V
图。 8电容曲线
4
I
D
- 安培
3
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
- 伏特
图。 9漏极电流与漏极至源极电压
1.00
R（日）
JC
- K / W
0.10
单脉冲
0.01
0.00
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度 - 秒
图10瞬态热阻抗
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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