【先进的技术信息PolarHTTM功率MOSFETN沟道增强模式IXTQ 36N30PIXTA 36N】,IC型号IXTA36N30P,IXTA36N30P PDF资料,IXTA36N30P经销商,ic,电子元器件-51电子网

先进的技术信息

PolarHT

TM

功率MOSFET

N沟道增强模式

IXTQ 36N30P

IXTA 36N30P

IXTP 36N30P

V

DSS

I

D25

R

DS （ ON）

=

300 V

36 A

110

m

TO-3P （ IXTQ ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSM

I

D25

I

DM

I

AR

E

AR

E

AS

dv / dt的

P

D

T

J

T

JM

T

英镑

T

L

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25 ℃至150 ℃;

GS

= 1 M

最大额定值

300

±20

V

A

mJ

J

V / ns的

W

°C

G =门

S =源

G

S

（ TAB ）

D =漏

TAB =漏

G

S

（ TAB ）

G

D

S

（ TAB ）

T

C

= 25°C

T

C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

JM

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

I

S

≤

I

DM

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

DD

≤

V

DSS

,

T

J

≤

150℃ ，R

G

= 10

T

C

= 25°C

36

90

36

30

1.0

10

300

-55 ... +150

150

-55 ... +150

的TO-220 （ IXTP ）

TO- 263 （ IXTA ）

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

最高温度标签焊接

的TO- 263封装为10秒

安装力矩

TO-3P

TO-220

TO-263

（ TO-3P / TO-220 ）

300

260

特点

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

5.5

4

3

g

国际标准封装

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

M

d

重量

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

V

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

=

±20

V

DC

, V

DS

= 0

V

DS

= V

DSS

V

GS

= 0 V

T

J

= 125°C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

300

2.5

5.0

±100

25

250

92

110

V

nA

A

m

PolarHT

TM

DMOS晶体管

利用专有的设计和

流程。美国专利正在申请中。

V

GS

= 10 V，I

D

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

s,

占空比

≤

2 %

DS99155(03/04)

IXTA 36N30P IXTP 36N30P

IXTQ 36N30P

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。

马克斯。

12

22

2250

V

GS

= 0 V, V

DS

= 25 V ， F = 1兆赫

370

90

V

GS

= 10 V, V

DS

= 0.5 V

DSS

, I

D

= I

D25

R

G

= 10

（外部）

24

30

97

28

70

V

GS

= 10 V, V

DS

= 0.5 V

DSS

, I

D

= 0.5 I

D25

17

35

S

pF

ns

nC

0.42 K / W

(TO-3P)

(TO-220)

0.21

0.25

K / W

TO- 3P （ IXTQ ）大纲

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G（ ON）的

Q

gs

Q

gd

R

thJC

R

thCK

V

DS

= 10 V ;我

D

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

源极 - 漏极二极管

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

RM

测试条件

V

GS

= 0 V

重复

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。

马克斯。

36

90

1.5

250

2.0

A

V

ns

C

TO- 220 （ IXTA ）大纲

I

F

= I

S

, V

GS

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

s,

占空比

≤

2 %

I

F

= 25 A

-di / DT = 100 A / μs的

V

R

= 100 V

TO- 263 （ IXTP ）大纲

DIM 。

A

A1

b

b2

c

c2

D

D1

E

E1

e

L

L1

L2

L3

L4

R

毫米

分钟。

马克斯。

4.06

2.03

0.51

1.14

0.46

1.14

8.64

7.11

9.65

6.86

2.54

14.61

2.29

1.02

1.27

0

0.46

4.83

2.79

0.99

1.40

0.74

1.40

9.65

8.13

10.29

8.13

BSC

15.88

2.79

1.40

1.78

0.38

0.74

英寸

分钟。马克斯。

.160

.080

.020

.045

.018

.045

.340

.280

.380

.270

.100

.575

.090

.040

.050

0

.018

.190

.110

.039

.055

.029

.055

.380

.320

.405

.320

BSC

.625

.110

.055

.070

.015

.029

引脚：

1 - GATE

2 - 漏极

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个

：下列美国专利

4,850,072

4,835,592

4,931,844

4,881,106

5,034,796

5,017,508

5,063,307

5,049,961

5,237,481

5,187,117

5,381,025

5,486,715

6,404,065B1

6,306,728B1

6,162,665

6,534,343

6,583,505

6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344

IXTA 36N30P IXTP 36N30P

IXTQ 36N30P

图。 1.输出特性

@ 25

C

36

33

30

27

V

GS

= 10V

9V

8V

90

80

70

V

GS

= 10V

9V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25

C

I

D

- 安培

I

D

- 安培

24

21

18

15

12

9

6

3

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

4.5

5

6V

7V

60

8V

50

40

30

20

10

0

3

6

9

12

15

18

21

24

27

30

6V

7V

V

S

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125

C

36

33

30

27

V

GS

= 10V

9V

8V

3.1

2.8

V

GS

= 10V

V

S

- 伏特

图。 4.

DS （上

)

规范alized 0.5我

D25

值与结tem温度

R

S（O N）

- 归

2.5

2.2

1.9

1.6

1.3

1

0.7

0.4

I

D

= 18A

I

D

= 36A

I

D

- 安培

24

21

18

15

12

9

6

3

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

5V

6V

7V

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

V

S

- 伏特

图。 5.

DS （ ON）

规范alized到

4.2

3.8

T

J

- 摄氏

图。 6.漏电流与案例

tem温度

0.5 I

D25

价值与我

D

V

GS

= 10V

40

35

30

R

S（O N）

- 归

3.4

I

D

- 安培

T

J

= 25C

3

2.6

2.2

1.8

1.4

1

0.6

0

10

20

T

J

= 125C

25

20

15

10

5

0

30

I

D

- 安培

40

50

60

70

80

90

-50

-25

T

C

- 摄氏

0

25

50

75

100

125

150

IXTA 36N30P IXTP 36N30P

IXTQ 36N30P

图。 7.输入上将ittance

70

60

50

35

30

25

T

J

= -40C

25C

125C

图。 8.跨导

g

F小号

- 西门子

I

D

- 安培

40

30

20

10

0

4.5

5

5.5

6

6.5

7

7.5

8

8.5

T

J

= 125C

25C

-40C

20

15

10

5

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

V

的s

- 伏特

图。 9.源电流和

源 - 漏电压

100

90

80

10

9

8

7

V

DS

= 150V

I

D

= 18A

I

G

= 10毫安

I

D

- 安培

图。 10.栅极电荷

I

S

- 安培

70

V

的s

- 伏特

T

J

= 25C

0.9

1

1.1

1.2

1.3

60

50

40

30

20

10

0

0.4

0.5

0.6

0.7

T

J

= 125C

6

5

4

3

2

1

0

V

S.D。

- 伏特

0.8

0

10

20

30

40

50

60

70

Q

G

- nanocoulombs

图。 12. FORW ARD偏置

安全工作区

1000

T

J

= 150C

R

DS （ ON）

极限

T

C

= 25C

图。 11.电容

10000

F = 1MHz的

国际空间站

电容 - 皮法

I

D

- 安培

1000

OSS

100

25s

100s

10

1ms

10ms

DC

1

100

RSS

10

0

5

10

15

V

S

- 伏特

20

25

30

35

40

10

100

1000

V

S

- 伏特

5,063,307

5,049,961

5,237,481

5,187,117

5,381,025

5,486,715

6,404,065B1

6,306,728B1

6,162,665

6,534,343

6,583,505

6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个

：下列美国专利

4,850,072

4,835,592

4,931,844

4,881,106

5,034,796

5,017,508

IXTA 36N30P IXTP 36N30P

IXTQ 36N30P

图。 1 3 。 M IM AX UM牛逼失败者即NT牛逼有源冰箱 ES是tance

0.45

0.40

0.35

R

T H， J·C

-

C / W

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

1

10

100

1000

浦LS东西ID日 - 米illis权证 N D s