【先进的技术信息高电压的MOSFETN沟道增强模式额定雪崩能量IXTA 2N80IXTP 2N80VD】,IC型号IXTA2N80,IXTA2N80 PDF资料,IXTA2N80经销商,ic,电子元器件-51电子网

先进的技术信息

高电压的MOSFET

N沟道增强模式

额定雪崩能量

IXTA 2N80

IXTP 2N80

DSS

D25

DS （ ON）

= 800 V

2 A

= 6.2

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

最大额定值

800

±20

±30

V / ns的

°C

纳米/ lb.in 。

300

°C

TO- 220AB （ IXTP ）

D（ TAB ）

TO- 263 AA （ IXTA ）

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 18

= 25°C

200

-55 ... +150

150

-55 ... +150

D（ TAB ）

G =门，

S =源，

D =排水，

TAB =漏

安装力矩

1.13/10

特点

最大无铅焊接温度的

国际标准封装

低R

DS （ ON）

HDMOS

过程

坚固的多晶硅栅单元结构

低封装电感（ < 5 NH）

- 易于驾驶和保护

快速开关时间

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

800

2.5

5.5

±100

= 125°C

500

6.2

应用

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250

= V

, I

= 250

±20

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

开关模式和谐振模

电源

反激式转换器

直流斩波器

优势

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

节省空间

高功率密度

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

98541A 03/24/00

1-2

IXTA 2N80

IXTP 2N80

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1.0

2.0

440

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 18Ω ，（外部）

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

5.5

2.3

（ IXTP ）

0.5

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.06

2.03

0.51

1.14

0.46

1.14

8.64

7.11

9.65

6.86

2.54

14.61

2.29

1.02

1.27

0.46

4.83

2.79

0.99

1.40

0.74

1.40

9.65

8.13

10.29

8.13

BSC

15.88

2.79

1.40

1.78

0.38

0.74

英寸

分钟。马克斯。

.160

.080

.020

.045

.018

.045

.340

.280

.380

.270

.100

.575

.090

.040

.050

.018

.190

.110

.039

.055

.029

.055

.380

.320

.405

.320

BSC

.625

.110

.055

.070

.015

.029

TO- 263 AA （ IXTA ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 20V;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

K / W

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1.8

510

重复;脉冲宽度限制T

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

= I

， -di / DT = 100 A / μs的，V

= 100 V

TO- 220 AB （ IXTP ）大纲

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

12.70 13.97

14.73 16.00

9.91 10.66

3.54

4.08

5.85

6.85

2.54

3.18

1.15

1.65

2.79

5.84

0.64

1.01

2.54 BSC

4.32

4.82

1.14

1.39

0.35

0.56

2.29

2.79

英寸

分钟。马克斯。

0.500 0.550

0.580 0.630

0.390 0.420

0.139 0.161

0.230 0.270

0.100 0.125

0.045 0.065

0.110 0.230

0.025 0.040

0.100 BSC

0.170 0.190

0.045 0.055

0.014 0.022

0.090 0.110

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,881,106

5,017,508

5,049,961

5,187,117

5,486,715

4,850,072

4,931,844

5,034,796

5,063,307

5,237,481

5,381,025

2-2

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IXTA2N80

IXYS

24+

9000

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

原装正品现货

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IXTA2N80

IXYS

24+

10000

TO-263AA

原厂一级代理，原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

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IXTA2N80

IXYS/艾赛斯

2443+

23000

TO-263

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

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IXYS

24+

19000

TO-263AA

全新原装现货，原厂代理。

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联系人：吴先生/吴小姐/李小姐

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IXYS

23+

1980

TO-263

绝对进口原装，公司现货

深圳市科雨电子有限公司

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联系人：周小姐171-4755-1968微信同号，无线联通更快捷！

地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室

IXTA2N80

IXYS

24+

174570

TO-263

体验愉快问购元件！！就找我吧!

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IXYS

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326

TO-263

69￥/片,★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:69元

深圳和润天下电子科技有限公司

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联系人：许先生

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IXTA2N80

IXYS/艾赛斯

23+

52388

TO-263

原装正品华强现货

上海熠富电子科技有限公司

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联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

IXTA2N80

IXYS

2024

21000

TO-263

原装现货上海库存，欢迎查询

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