IXTA220N055T
IXTP220N055T
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
TO-220
0.50
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 25 A
电阻开关时间
V
GS
= 10 V, V
DS
= 30 V，I
D
= 25 A
R
G
= 5
（外部）
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
测试条件
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60 A，注1
特征值
分钟。
75
典型值。
120
7200
1270
285
36
62
53
53
158
42
46
马克斯。
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.35
°
C / W
° C / W
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 ， TAB - 漏
TO- 263 （ IXTA ）大纲
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
T
J
= 25 ° C除非另有说明）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
V
GS
= 0 V
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 25 A，V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 25 V, V
GS
= 0 V
70
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
220
600
1.0
A
A
V
ns
TO- 220 （ IXTP ）大纲
注：1 。
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %;
2.在通孔封装，R
DS （ ON）
开尔文测试接触
位置必须是等于或小于5mm的封装体。
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 ， TAB - 漏
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。技术规格
提供的是从过程中的初步目标刻画收集的数据导出
工程地段;而且还可能含有预期间提供了一些资料
产品设计评估。 IXYS保留更改限制，试验条件的权利，
和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6771478 B2
7,005,734 B2
7,063,975 B2
7,071,537
IXTA220N055T
IXTP220N055T
图。 1.输出特性
@ 25C
220
200
180
160
V
GS
= 10V
9V
8V
320
280
240
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
V
GS
= 10V
9V
8V
I
D
- 安培
I
D
- 安培
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
7V
200
160
120
80
40
7V
6V
6V
5V
0
0.6
0.7
0.8
0
0.5
5V
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 150C
200
180
160
140
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
2.2
2.0
图。 4.
DS （ ON）
归到我
D
= 110A的价值
- 结温
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
I
D
- 安培
120
100
80
60
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
5V
6V
I
D
= 220A
I
D
= 110A
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
归到我
D
= 110A的价值
与漏电流
2.2
2
T
J
= 175C
140
图。 6.漏电流与外壳温度
对于外部引线电流限制TO-263 （ 7引脚）
120
100
R
DS （ ON）
- 归
1.8
I
D
- 安培
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
40
80
120
160
200
240
280
320
V
GS
= 10V
15V
- - - -
80
60
40
20
0
-50
为TO-3P ， TO-220， & TO-263的外部引线电流限制
T
J
= 25C
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2006 IXYS公司所有权利
IXTA 220N055T
IXTP 220N055T
图。 13.电阻导通
上升时间与结温
75
70
65
R
G
= 5
V
GS
= 10V
V
DS
= 30V
75
70
65
T
J
= 25C
图。 14.电阻导通
上升时间与漏极电流
t
r
- 纳秒
t
r
- 纳秒
60
55
50
45
40
35
30
25
20
25
35
45
55
65
75
85
95
I
D
= 25A
I
D
= 50A
60
55
50
45
40
35
30
25
T
J
= 125C
R
G
= 5
V
GS
= 10V
V
DS
= 30V
105
115
125
25
30
35
40
45
50
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 15.电阻导通
开关时间与栅极电阻
160
140
120
100
80
60
40
20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
D
= 50A, 25A
65
65
63
61
图。 16.电阻关断
开关时间与结温
90
I
D
= 25A, 50A
86
82
t
r
V
DS
= 30V
t
D（上）
- - - -
T
J
= 125°C ，V
GS
= 10V
60
55
50
45
40
35
30
t
（O F F ）
- 纳秒
t
（O N）
- 纳秒
t
f
- 纳秒
t
r
- 纳秒
59
57
55
53
51
49
47
45
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
I
D
= 50A, 25A
78
74
70
66
62
t
f
t
D（关闭）
- - - -
58
54
50
125
R
G
= 5
, V
GS
= 10V
V
DS
= 30V
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17.电阻关断
开关时间与漏电流
64
T
J
= 125C
62
60
80
76
170
84
190
图。 18.电阻关断
开关时间与栅极电阻
260
t
f
V
DS
= 30V
t
D（关闭）
- - - -
T
J
= 125°C ，V
GS
= 10V
230
t
（O F F ）
- 纳秒
t
f
t
D（关闭）
- - - -
t
（O F F ）
- 纳秒
150
200
I
D
= 25A
170
I
D
= 50A
140
110
80
50
t
f
- 纳秒
R
G
= 5
, V
GS
= 10V
V
DS
= 30V
t
f
- 纳秒
58
56
54
52
50
48
46
24
72
68
64
60
56
T
J
= 25C
52
48
130
110
90
70
50
4
6
8
28
32
36
40
44
48
10
12
14
16
18
20
I
D
- 安培
R
G
- 欧姆
2006 IXYS公司所有权利
IXYS REF ： T_220N055T （ 5V ） 6-16-06.xls
QQ：2880707522 复制
