IXTA160N075T
IXTP160N075T
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
TO-220
0.50
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 25 A
电阻开关时间
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 25 A
R
G
= 5
Ω
（外部）
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
测试条件
特征值
分钟。
65
典型值。
100
4950
790
145
29
64
60
60
112
30
30
马克斯。
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42
° C / W
° C / W
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
DIM 。
TO- 263 （ IXTA ）大纲
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60 A，注1
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 ， TAB - 漏
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
V
GS
= 0 V
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 25 A，V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 40 V, V
GS
= 0 V
80
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
160
430
1.0
A
A
V
ns
L
L1
L2
L3
L4
R
TO- 220 （ IXTP ）大纲
注：1 。
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %;
2.在通孔封装，R
DS （ ON）
开尔文测试接触
位置必须是等于或小于5mm的封装体。
PRELIMINARYTECHNICALINFORMATION
本文中所呈现的产品正在开发中。技术规格
提供的是从过程中的初步目标刻画收集的数据导出
工程地段;而且还可能含有预期间提供了一些资料
产品设计评估。 IXYS保留更改限制，试验条件的权利，
和尺寸，恕不另行通知。
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 ， TAB - 漏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6771478 B2
7,005,734 B2
7,063,975 B2
7,071,537
IXTA160N075T
IXTP160N075T
图。 1.输出特性
@ 25C
160
140
120
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
280
240
200
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
100
80
6V
60
40
20
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
I
D
- 安培
160
6V
120
80
5V
40
0
0
1
2
3
4
5
6
5V
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 150C
160
140
120
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
2.6
2.4
2.2
图。 4.
DS （ ON）
归到我
D
= 80A价值
- 结温
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
I
D
= 160A
I
D
= 80A
I
D
- 安培
100
80
60
5V
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
6V
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
归到我
D
= 80A价值
与漏电流
2.8
2.6
2.4
V
GS
= 10V
15V
- - - -
T
J
= 175C
140
图。 6.漏电流与外壳温度
对于外部引线电流限制TO-263 （ 7引脚）
120
100
R
DS （ ON）
- 归
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0
50
100
150
200
250
300
T
J
= 25C
I
D
- 安培
80
为TO-3P ， TO-220， & TO-263的外部引线电流限制
60
40
20
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2006 IXYS公司所有权利
IXTA160N075T
IXTP160N075T
图。 13.电阻导通
上升时间与结温
75
70
65
R
G
= 5
Ω
V
GS
= 10V
V
DS
= 38V
70
T
J
= 25C
60
50
40
30
T
J
= 125C
20
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
25
30
35
40
45
50
80
图。 14.电阻导通
上升时间与漏极电流
t
r
- 纳秒
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
I
D
= 25A
I
D
= 50A
t
r
- 纳秒
R
G
= 5
Ω
V
GS
= 10V
V
DS
= 38V
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 15.电阻导通
开关时间与栅极电阻
100
90
80
42
62
60
58
图。 16.电阻关断
开关时间与结温
85
82
40
38
36
34
t
r
V
DS
= 38V
t
D（上）
- - - -
T
J
= 125°C ，V
GS
= 10V
t
f
t
D（关闭）
- - - -
79
t
（O F F ）
- 纳秒
t
r
- 纳秒
70
60
I
D
= 50A
50
40
30
20
10
4
6
8
10
12
14
16
18
20
t
f
- 纳秒
I
D
= 25A
t
（O N）
- 纳秒
56
54
52
50
R
G
= 5
Ω
, V
GS
= 10V
V
DS
= 38V
I
D
= 25A
76
73
70
67
I
D
= 50A
64
61
58
55
125
32
30
28
26
24
48
46
44
42
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17.电阻关断
开关时间与漏电流
62
60
58
T
J
= 125C
90
86
82
130
120
110
图。 18.电阻关断
开关时间与栅极电阻
230
t
f
V
DS
= 38V
t
D（关闭）
- - - -
T
J
= 125°C ，V
GS
= 10V
210
190
t
（O F F ）
- 纳秒
t
f
- 纳秒
t
f
- 纳秒
56
54
52
50
48
46
44
42
25
t
f
t
D（关闭）
- - - -
T
J
= 25C
t
（O F F ）
- 纳秒
78
74
70
66
T
J
= 25C
62
58
T
J
= 125C
54
50
R
G
= 5
Ω
, V
GS
= 10V
V
DS
= 38V
100
90
80
70
60
50
40
4
6
8
10
I
D
= 25A
170
150
I
D
= 50A
130
110
90
70
50
30
35
40
45
50
12
14
16
18
20
I D - 安培
R
G
- 欧姆
IXYS REF ： T_160N075T__4V__6_16_06.xls
2006 IXYS公司所有权利
QQ：2881677436 复制
