【高级技术信息高压功率MOSFETIXTA02N450HVIXTT02N450HVVDSSID25RD】,IC型号IXTA02N450HV,IXTA02N450HV PDF资料,IXTA02N450HV经销商,ic,电子元器件-51电子网

高级技术信息

高压

功率MOSFET

IXTA02N450HV

IXTT02N450HV

DSS

D25

DS （ ON）

= 4500V

= 200毫安

≤

750Ω

N沟道增强模式

TO- 263 （ IXTA ）

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

D25

英镑

出售

重量

1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒

塑料体10秒

安装力（ TO- 263 ）

TO-263

TO-268

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25° C到150° C，R

= 1MΩ

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

最大额定值

4500

±20

±30

200

600

113

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

300

260

10..65 / 22..14.6

2.5

4.0

°C

N /磅

高阻断电压

高压套餐

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

应用

高压电源

电容器放电应用

脉冲电路

激光和X射线发生系统

G =门

S =源

TO- 268 （ IXTT ）

D（ TAB ）

=漏

TAB =漏

特点

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

GS （ TH）

GSS

DSS

= V

, I

= 250μA

±20V,

= 0V

= 3.6KV ，V

= 0V

= 4.5KV

= 3.6KV

= 10V ，我

= 10毫安，注1

特征值

分钟。

典型值。马克斯。

4.0

6.5

±100

μA

750

= 100°C

DS （ ON）

DS100498(10/12)

IXTA02N450HV

IXTT02N450HV

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

= 10V, V

= 1kV的，我

= 0.5 I

D25

门输入电阻

电阻开关时间

= 10V, V

= 500V ，我

= 0.5 I

D25

= 10Ω （外部）

= 0V, V

= 25V ， F = 1MHz的

= 60V ，我

= 30mA时注1

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

100

256

5.5

143

10.4

3.4

5.0

1.1

° C / W

PIN码： 1 - 门

2 - 源

3 - 漏极

TO- 263 （ VHV ）大纲

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

= 0V

重复，脉冲宽度为T有限公司

= I

, V

= 0V ，说明1

=的200mA， -di / DT = 50A / μs的，V

= 100V

1.6

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

200毫安

800毫安

1.5

μs

TO- 268 （ VHV ）大纲

脚：

1 - GATE

2 - 源

3 - 漏极

注意：

1.脉冲检验，t

≤

300μS ，占空比D

≤

2%.

高级技术信息

本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生

从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成

"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试

条件和尺寸，恕不另行通知。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

由一个或moreof以下美国专利： 4860072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXTA02N450HV

IXTT02N450HV

图。 1.输出特性@ T

= 25C

200

180

160

= 10V

350

300

= 10V

图。 2.扩展的输出特性@ T

= 25C

- 毫安

140

120

100

250

- 毫安

200

150

100

120

140

160

100

150

200

250

300

350

400

- 伏特

图。 3.输出特性@ T

= 125C

200

180

160

= 10V

2.2

2.6

图。 4.

DS （ ON）

归到我

= 100毫安与价值

结温

= 10V

DS （ ON）

- 归

- 毫安

140

120

100

150

200

250

300

350

= 200毫安

1.8

= 100毫安

1.4

1.0

0.6

0.2

-50

-25

100

125

150

- 伏特

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

= 100毫安与价值

漏电流

2.4

2.2

2.0

= 10V

= 125C

220

200

180

160

图。 6，最大漏极电流与

外壳温度

DS （ ON）

- 归

- 毫安

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

100

150

200

250

300

350

= 25C

140

120

100

-50

-25

100

125

150

- 毫安

- 摄氏

IXTA02N450HV

IXTT02N450HV

图。 7.输入导纳

250

500

= - 40C

200

400

图。 8.跨导

F小号

- 毫

- 毫安

150

= 125C

25C

100

- 40C

300

125C

200

25C

100

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

100

150

200

250

- 伏特

- 毫安

图。征二极管9.正向电压降

600

500

= 1000V

= 100毫安

= 1毫安

图。 10.栅极电荷

- 毫安

400

- 伏特

= 125C

= 25C

300

200

100

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

1.2

- 伏特

- nanocoulombs

图。 11.电容

1,000

图。 12.最大瞬态热阻抗

= 1兆赫

电容 - 皮法

西塞

100

（日） JC

- C / W

科斯

0.1

0.01

CRSS

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

- 伏特

脉冲宽度 - 秒

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXTA02N450HV

IXTT02N450HV

图。 13.正向偏置安全工作区

@ T

= 25C

1,000

图。 14.正向偏置安全工作区

@ T

= 75C

DS （ ON）

极限

1ms

DS （ ON）

极限

1ms

- 毫安

100

10ms

= 150C

= 25C

单脉冲

100

100ms

= 150C

= 75C

单脉冲

1,000

10,000

100

1,000

10ms

- 毫安

100

100ms

10,000

- 伏特

IXYS REF ： T_02N450 （ H5 ） 12年10月31日-A