IXSH / IXST 30N60B
IXSH / IXST 30N60C
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
10
3100
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
240
30
100
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
30
38
30
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 4.7
注1
30N60B
30N60C
30N60B
30N60C
30N60B
30N60C
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 4.7
注1
30
150
90
140
70
1.5
0.7
35
35
0.5
30N60B
30N60C
30N60B
30N60C
30N60B
30N60C
270
150
250
140
2.5
1.2
270
150
270
120
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
TAB =收藏家
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
2.5兆焦耳
1.2兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
0.62 K / W
TO- 268外形
(TO-247)
0.25
K / W
注：1.切换时间可能会增加V
CE
（钳） ＆ GT ; 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
.
闵推荐足迹
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXSH / IXST 30N60B
IXSH / IXST 30N60C
1.5
图7关断能源每脉冲和
下降时间在集电极电流
T
J
= 125°C
7.5
2.0
的开启，关闭能源依赖图8
每脉冲和下降时间R上
G
T
J
= 125°C
E
（关闭）
I
C
= 60A
8
R
G
= 10
E
（关闭）
- 毫焦耳
E
（上）
- 毫焦耳
E
（上）
- 毫焦耳
1.5
1.0
E
（上）
5.0
E
（关闭）
E
（上）
6
E
（关闭）
- 毫焦耳
1.0
I
C
= 30A
E
（上）
E
（关闭）
4
0.5
2.5
0.5
E
（上）
I
C
= 15A
E
（关闭）
2
0.0
0
20
40
60
0.0
80
0.0
0
0
10
20
30
40
50
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
图9栅极电荷特性曲线
15
12
I
C
=30A
V
CE
= 300V
图10关断安全工作区
100
I
C
- 安培
V
GE
- 伏特
10
T
J
= 125°C
9
6
3
0
0
25
50
75
100
125
R
G
= 4.7
的dV / dt < 5V / ns的
1
0.1
0
100
200
300
400
500
600
Q
g
- nanocoulombs
V
CE
- 伏特
图11瞬态热阻抗
1
D=0.5
D=0.2
Z
thJC
（K / W）
0.1
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.01
D =占空比
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXSH / IXST 30N60B
IXSH / IXST 30N60C
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
10
3100
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
240
30
100
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
30
38
30
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 4.7
注1
30N60B
30N60C
30N60B
30N60C
30N60B
30N60C
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 4.7
注1
30
150
90
140
70
1.5
0.7
35
35
0.5
30N60B
30N60C
30N60B
30N60C
30N60B
30N60C
270
150
250
140
2.5
1.2
270
150
270
120
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
TAB =收藏家
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
2.5兆焦耳
1.2兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
0.62 K / W
TO- 268外形
(TO-247)
0.25
K / W
注：1.切换时间可能会增加V
CE
（钳） ＆ GT ; 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
.
闵推荐足迹
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXSH / IXST 30N60B
IXSH / IXST 30N60C
1.5
图7关断能源每脉冲和
下降时间在集电极电流
T
J
= 125°C
7.5
2.0
的开启，关闭能源依赖图8
每脉冲和下降时间R上
G
T
J
= 125°C
E
（关闭）
I
C
= 60A
8
R
G
= 10
E
（关闭）
- 毫焦耳
E
（上）
- 毫焦耳
E
（上）
- 毫焦耳
1.5
1.0
E
（上）
5.0
E
（关闭）
E
（上）
6
E
（关闭）
- 毫焦耳
1.0
I
C
= 30A
E
（上）
E
（关闭）
4
0.5
2.5
0.5
E
（上）
I
C
= 15A
E
（关闭）
2
0.0
0
20
40
60
0.0
80
0.0
0
0
10
20
30
40
50
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
图9栅极电荷特性曲线
15
12
I
C
=30A
V
CE
= 300V
图10关断安全工作区
100
I
C
- 安培
V
GE
- 伏特
10
T
J
= 125°C
9
6
3
0
0
25
50
75
100
125
R
G
= 4.7
的dV / dt < 5V / ns的
1
0.1
0
100
200
300
400
500
600
Q
g
- nanocoulombs
V
CE
- 伏特
图11瞬态热阻抗
1
D=0.5
D=0.2
Z
thJC
（K / W）
0.1
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.01
D =占空比
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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