【IGBT与二极管ISOPLUS247TM（电隔离背面）短路SOA能力初步数据符号VCESVCGRVG】,IC型号IXSR40N60CD1,IXSR40N60CD1 PDF资料,IXSR40N60CD1经销商,ic,电子元器件-51电子网

IGBT与二极管

ISOPLUS247

（电隔离背面）

短路SOA能力

初步数据

符号

CES

CGR

GES

创业板

C25

C90

SSOA

（ RBSOA ）

（ SCSOA ）

英镑

ISOL

50/60赫兹， RMS

T = 1分

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1兆瓦

连续

短暂

= 25 ° C，受导线

= 90°C

= 25 ° C， 1毫秒

= 15 V ，T

= 125 ° C，R

= 22

钳位感性负载， L = 30

= 15 V, V

= 360 V，T

= 125°C

= 22

不重复

= 25°C

IXSR 40N60CD1

CES

C25

CE （ SAT ）

网络连接（典型值）

= 600

= 62

= 2.5

= 70

最大额定值

600

±20

±30

150

= 80

@ 0.8 V

CES

210

-55 ... +150

150

-55 ... +150

2500

300

°C

ISOPLUS 247

（ IXSR ）

E 153432

孤立的背面*

G =门，

E =发射器

C =收藏家，

*专利申请中

特点

DCB隔离安装标签

会见TO- 247AD封装外形

高电流处理能力

最新一代HDMOS

过程

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

最大无铅焊接温度的

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

重量

PLUS247

应用

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

600

= 150°C

650

±100

2.5

不间断电源（UPS ）

开关模式和谐振模式

电源

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

优势

易于组装

高功率密度

极快的开关速度高

频率的应用

CES

GE （日）

CES

GES

CE （ SAT ）

= 1毫安， V

= 0 V

= 4毫安， V

= V

= 0.8 V

CES

= 0 V

= 0 V, V

±20

= I

, V

= 15 V

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

98673A (7/00)

1-2

IXSR 40N60CD1

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

3700

= 0 V, V

DS ，

25 V = F = 1兆赫

440

190

= I

, V

= 15 V, V

= 0.5 V

CES

感性负载，T

= 25°C

= I

, V

= 15 V ， L = 100

mH的，

= 0.8 V

CES

, R

= R

关闭

= 2.7

备注：开关时间可能

增加V

（钳） > 0.8 V

CES

更高的温度

或加强研究

感性负载，T

= 125°C

= I

, V

= 15 V ， L = 100

= 0.8 V

CES

, R

= R

关闭

= 2.7

备注：开关时间可能

增加V

（钳） > 0.8 V

CES

更高的温度

或加强研究

1.0

2.2

140

1.7

140

120

1.7

0.6 K / W

K / W

DIM 。

1门， 2漏极（集电极）

3信号源（发射极）

4无连接

毫米

分钟。马克斯。

4.83

5.21

2.29

2.54

1.91

2.16

1.14

1.40

1.91

2.13

2.92

3.12

0.61

0.80

D 20.80 21.34

15.75 16.13

5.45 BSC

19.81 20.32

3.81

4.32

5.59

6.20

4.32

4.83

13.21 13.72

15.75 16.26

1.65

3.03

英寸

分钟。马克斯。

.190 .205

.090 .100

.075 .085

.045 .055

.075 .084

.115 .123

.024 .031

.819 .840

.620 .635

0.215 BSC

.780 .800

.150 .170

.220 .244

.170 .190

.520 .540

.620 .640

.065 .080

ISOPLUS 247 （ IXSR ）概要

IES

OES

水库

D（上）

D（关闭）

关闭

D（上）

D（关闭）

关闭

thJC

thCK

= I

; V

= 10 V,

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

0.15

反向二极管（ FRED ）

符号

thJC

注：1。我

= 40A

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1.8

2.5

1.15 K / W

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试

300

女士，

占空比

2 %

= I

, V

= 0 V ， - 二

/ DT = 100 A / MS

= 100 V

= 1 ; -di / DT = 200 A / MS; V

= 30 V

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,881,106

5,017,508

5,049,961

5,187,117

5,486,715

4,850,072

4,931,844

5,034,796

5,063,307

5,237,481

5,381,025

2-2

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