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IGBT与二极管
ISOPLUS 247
TM
短路SOA能力
IXSR 35N120BD1
（电隔离背面）
V
CES
I
C25
V
CE （ SAT ）
t
网络连接（典型值）
= 1200 V
= 70 A
= 3.6 V
= 180纳秒
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
t
SC
（ SCSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
V
ISOL
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 22
钳位感性负载， L = 30
H
V
GE
= 15 V, V
CE
= 720 V，T
J
= 125°C
R
G
= 22
,
不重复
T
C
= 25°C
IGBT
二极管
最大额定值
1200
1200
±20
±30
70
30
140
I
CM
= 90
@ 0.8 V
CES
10
250
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
s
W
W
°
C
°
C
°
C
V~
°
C
g
特点
DCB隔离安装标签
会见TO- 247AD封装外形
高电流处理能力
最新一代HDMOS
TM
过程
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
应用
G =门，
E =发射器
G
C
ISOPLUS 247
TM
E 153432
E
孤立的背面*
C =收藏家，
*专利申请中
50/60赫兹， RMS
T = 1分导到外壳
2500
300
5
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
重量
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1200
3
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
6
V
V
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 3毫安， V
GE
= 0 V
=
250
A,
V
CE
= V
GE
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
优势
组装方便
高功率密度
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
=
I
T,
V
GE
= 15 V
1毫安
3毫安
±100
3.6
nA
V
设备必须heatsunk高温测量，以避免热失控。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利
版权所有2002 IXYS所有权利。
98741A (01/02)
IXSR 35N120BD1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
16
23
3600
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
315
75
120
I
C
=
I
T,
V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
=
I
T,
V
GE
= 15 V ， L = 100
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
=
I
T,
V
GE
= 15 V ， L = 100
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
33
49
36
27
160
180
5
38
29
6
240
340
9
300
300
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
毫米
分钟。
马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
1门， 2漏极（集电极）
3信号源（发射极）
4无连接
ISOPLUS 247外形
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
=
I
T
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
9兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.5 K / W
0.15
K / W
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
2.75
1.85
7
40
14.3
V
A
ns
0.83 K / W
I
F
=
I
T,
V
GE
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
=
I
T,
V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V
I
F
= 1 ; -di / DT = 200 A / μs的; V
R
= 30 V
注：1。我
T
= 35A
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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IRKT56-18
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IXTH68N20
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ICS307M-02
ISH37-4R4
IRM-2633AF4
IDT74FCT377DTP
IDT6116SA15Y
ICS843252AG
IRKTF151-06DM
IRKU91/14A
ICL7611AMPA
IXDN430
IMS6
ISL90810WIU8-TK
IDT7134SA70J
IRKT105/04A
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