IXSN 80N60BD1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
52
6600
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
720
196
200
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
注2
70
60
60
50
140
120
1.8
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
注2
60
60
4.8
190
160
3.3
280
200
3.5
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.30 K / W
0.05
K / W
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
miniBLOC ， SOT- 227 B
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= 60 A; V
CE
= 10 V,
Note1
供应M4螺丝（4次）
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
I
F
= 60 A，注1
T
J
= 150°C
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
典型值。
马克斯。
2.05
1.4
8.0
35
V
V
A
ns
0.85 K / W
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V，T
J
= 100°C
I
F
= 1 A， -di / DT = 50 A / μs的，V
R
= 30 V
注： 1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2%
注： 2备注：开关时间可能会增加
V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
或加强研究
G
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
IXSN 80N60BD1
图。 1.输出Characte ristics
@ 25度。
80
70
60
300
V
GE
= 17V
15V
13V
11V
270
240
210
V
GE
= 17V
15V
13V
图。 2.扩展的输出Characte ristics
@ 25代克。
I
C
- 安培
50
40
30
20
10
7V
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
9V
I
C
- 安培
180
150
120
90
60
30
0
11V
9V
7V
0
1
2
3
V
权证
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125度。
80
70
60
V
GE
= 17V
15V
13V
11V
1.6
1.5
V
GE
= 15V
V
权证
- 伏特
4
5
6
7
8
9
图。 V 4.德彭代NCE
CE （ SAT ）
on
tem温度
I
C
= 160A
V
权证（SAT）
- 归
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
I
C
= 40A
I
C
= 80A
I
C
- 安培
50
40
30
20
7V
10
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
9V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
CE
- 伏特
图。 5.收集到EM伊特尔电压
VS 。栅-EM iiter电压
10
9
8
T
J
= 25C
320
280
240
T
J
- 摄氏
图。 6.输入上将ittance
I
C
- 安培
V
权证
- 伏特
7
6
5
4
3
2
6
7
8
9
10
I
C
= 160A
80A
40A
200
160
120
80
40
0
T
J
= 125C
25C
-40C
11
12
13
14
15
16
17
5
6
7
8
9
10
11
12
13
V
摹ê
- 伏特
V
摹ê
- 伏特
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXSN 80N60BD1
图。 8.依赖性关断
R上的能量损失
G
14
12
10
8
6
4
2
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
2
4
6
8
10
I
C
= 40A
12
14
16
I
C
= 80A
T
J
= 125C
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
图。 7.跨导
90
80
70
T
J
= -40C
25C
125C
I
C
= 160A
g
F小号
- 西门子
60
50
40
30
20
10
0
I
C
- 安培
图。 9.依赖的导通关
在我的能量损失
C
11
10
9
R
G
= 2.7
R
G
= 10
- - - -
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
E
关闭
- 毫焦耳
R
G
- 欧姆
图。 10.依赖性的Turn-关闭
在tem温度能量损失
11
10
9
R
G
= 2.7
R
G
= 10
- - - -
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
I
C
= 160A
E
关闭
- 毫焦耳
7
6
5
4
3
2
1
0
40
60
80
T
J
= 125C
E
关闭
- 毫焦耳
8
8
7
6
5
4
3
2
1
0
T
J
= 25C
I
C
= 80A
I
C
= 40A
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
I
C
- 安培
100
120
140
160
T
J
- 摄氏
图。 12.依赖性的Turn-关闭
SW痒蒂姆E在我
C
275
250
225
200
175
150
125
100
75
T
J
= 25C
图。 11.依赖的关断
SW瘙痒添ê R上
G
325
300
275
250
225
200
175
150
125
100
75
0
2
4
6
I
C
= 40A
I
C
= 80A
I
C
= 160A
切换时间 - 纳秒
切换时间 - 纳秒
t
D（关闭）
t
fi
- - - - - -
R
G
= 2.7
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
T
J
= 125C
t
D（关闭）
t
fi
- - - - - -
T
J
= 125C
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
R
G
- 欧姆
8
10
12
14
16
18
40
60
80
100
120
140
160
I
C
- 安培
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,850,072
4,835,592
QQ：2881677436 复制
