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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第498页 > IXSK50N60BU1
IGBT与二极管
短路SOA能力
IXSK 50N60BU1
IXSX 50N60BU1
V
CES
I
C25
V
CE （ SAT ）
= 600 V
= 75 A
= 2.5 V
PLUS247
（ IXSX ）
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
t
SC
（ SCSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25 ° C，受导线
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 22
W
钳位感性负载， L = 30
mH
V
GE
= 15 V, V
CE
= 360 V，T
J
= 125°C
R
G
= 22
W,
不重复
T
C
= 25°C
最大额定值
C（ TAB ）
600
600
±20
±30
75
50
200
I
CM
= 100
@ 0.8 V
CES
10
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
ms
W
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
°C
G
C
E
TO- 264 AA
（ IXSK ）
G
C
E
C =收藏家，
TAB =收藏家
G =门，
E =发射器，
安装力矩
0.9/6
10
300
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
特点
国际标准套餐
JEDEC的TO -264的AA ，和空穴少
TO- 247封装的夹子安装
保证短路SOA
能力
高频IGBT和反
在一个封装平行FRED
最新一代HDMOS
TM
过程
低V
CE （ SAT ）
- 最低的通态传导
损失
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
快速恢复外延二极管（ FRED ）
- 软恢复低我
RM
应用
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源（UPS ）
开关模式和谐振模式
电源
优势
节省空间（在一两个设备
包）
易于使用1个螺丝安装
（隔绝安装螺纹孔）
减少装配时间和成本
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
600
4
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
8
325
17
±100
2.2
2.5
V
V
mA
mA
nA
V
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 3毫安， V
GE
= 0 V
= 4毫安， V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
; V
GE
= 15 V,
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
97520A (12/98)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-6
IXSK 50N60BU1
IXSX 50N60BU1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
20
23
S
PLUS247
TM
（ IXSX ）
g
fs
I
C（ ON）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
160
3850
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
300
300
6.0
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.42 K / W
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
440
50
167
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
45
88
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH的，
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
W
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
W
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
70
70
150
150
3.3
70
70
2.5
230
230
4.8
TO- 264 AA大纲
0.15
K / W
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
DIM 。
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 480 A / MS
V
R
= 360 V
T
J
= 125°C
I
F
= 1 ; -di / DT = 200 A / MS; V
R
= 30 V T，
J
= 25°C
19
175
35
1.8
33
50
V
A
ns
ns
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
0.75 K / W
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-6
IXSK 50N60BU1
IXSX 50N60BU1
100
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
13V
160
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
80
120
I
C
- 安培
I
C
- 安培
60
40
20
9V
11V
13V
80
11V
40
9V
0
0
2
4
6
8
7V
0
10
0
4
8
12
16
20
图1.饱和电压特性
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图2.扩展的输出特性
100
T
J
= 125°C
1.6
V
GE
= 15V
13V
I
C
= 100A
V
CE （SAT）
- 归
80
1.4
V
GE
= 15V
I
C
- 安培
1.2
1.0
0.8
I
C
= 25A
60
11V
40
20
0
0
2
4
6
8
10
9V
7V
I
C
= 50A
0.6
0.4
25
50
75
100
125
150
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏度
图3.饱和电压特性
V图4.温度依赖性
CE （ SAT ）
100
V
CE
= 10V
10000
F = 1MHz的
C
国际空间站
80
电容 - pF的
I
C
- 安培
1000
60
40
T
J
= 125°C
100
C
OSS
20
T
J
= 25°C
C
RSS
0
4
6
8
10
V
GE
- 伏特
10
12
14
16
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
CE
-Volts
图5.导纳曲线
图6.电容曲线
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-6
IXSK 50N60BU1
IXSX 50N60BU1
3.0
T
J
= 125°C
E
（上）
24
4
T
J
= 125°C
E
（关闭）
20
E
（上）
- 毫焦耳
E
（上）
- 毫焦耳
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80
E
（关闭）
图7.依赖的E
ON
与ê
关闭
关于我
C
.
20
I
C
=50A
16
12
8
4
0
0
V
CE
= 250V
I
C
- 安培
的dV / dt < 5V / ns的
1
0.1
25
50
75
100
125
150
175
0
100
200
300
400
500
600
Q
g
- nanocoulombs
V
CE
- 伏特
图9.栅极电荷
1
图10.关断安全工作区
Z
thJC
（K / W）
0.1
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.01
D =占空比
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度 - 秒
图11.瞬态热阻
版权所有2000 IXYS所有权利。


I
C
- 安培
2.5
R
G
= 10
20
E
（关闭）
- 毫焦耳
3
E
（上）
16
12
8
4
0
100
I
C
= 100A
15
E
（关闭）
- 毫焦耳
2
E
（上）
E
（上）
I
C
= 50A
E
（关闭）
10
1
E
（关闭）
I
C
=25A
5
0
0
10
20
30
40
50
0
60
R
G
- 欧姆
图8.依赖的E
ON
与ê
关闭
on
R
G
.
600
100
10
T
J
= 125°C
R
G
= 6.2
1
4-6
IXSK 50N60BU1
IXSX 50N60BU1
图。 12正向电流
与电压降。
图。 13恢复电荷与-di
F
/ DT 。
图。 14峰值反向电流对
- 二
F
/ DT 。
图。 15.动态参数对比
结温。
图。 16恢复时间与-di
F
/ DT 。
图。 17峰值正向电压与迪
F
/ DT 。
图。 18瞬态热阻抗结点到外壳。
版权所有2000 IXYS所有权利。
5-6
查看更多IXSK50N60BU1PDF信息
推荐型号
IRFR3410PBF
IRLR3715TRR
IPS50R520CP
IDT74FCT157TP
IRKKF82-06HK
IC41SV4105-100J
IM1215HS1W
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IMD3AT108
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IDT72V36100L7.5PF
IDT74FCT640TSO
ICS97ULPA877A
IDT7206L30TPB
ISL21007BFB830Z
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IDT74FCT521APB
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    IXSK50N60BU1
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