V
CES
低V
CE （ SAT ）
IGBT
高速IGBT
IXSH / IXSM 40 N60
IXSH / IXSM 40 N60A
600 V
600 V
I
C25
75 A
75 A
V
CE （ SAT ）
2.5 V
3.0 V
短路SOA能力
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
t
SC
（ SCSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
J
= 125 ° C，R
G
= 2.7
钳位感性负载， L = 30
H
V
GE
= 15 V, V
CE
= 360 V，T
J
= 125°C
R
G
= 22
,
不重复
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
75
40
150
I
CM
= 80
@ 0.8 V
CES
10
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
s
AD TO- 247 （ IXSH ）
G
C
E
TO- 204 AE （ IXSM ）
C
W
°C
°C
°C
G =门，
E =发射器，
C =收藏家，
TAB =收藏家
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
300
°C
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
600
4
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
7
50
1
±100
40N60
40N60A
2.5
3.0
V
V
A
mA
nA
V
V
特点
国际标准封装
保证短路SOA
能力
低V
CE （ SAT ）
- 低通态传导损耗
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
切换速度快下降时间
高达20千赫
q
q
q
q
q
q
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 250
A,
V
GE
= 0 V
= 4毫安， V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
应用
交流电机调速
不间断电源（ UPS ）
焊接
q
q
q
q
q
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率密度
IXYS公司。版权所有。
IXYS公司
3540巴西特街，圣克拉拉CA 95054
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IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
91546F (4/96)
IXYS半导体有限公司
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IXSH 40N60
IXSM 40N60
IXSH 40N60A IXSM 40N60A
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
16
23
200
4500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
350
90
190
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
45
88
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
切换时间可能
增加V
CE
（钳）
> 0.8 ×V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载，T
J
=
125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V,
L = 100
H
V
CE
= 0.8 V
CES
,
R
G
= 2.7
备注：开关时间
可能增加
V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
40N60
40N60A
40N60
40N60A
40N60
40N60A
40N60
40N60A
40N60
40N60A
55
170
400
400
200
5.0
2.5
55
170
1.7
340
600
340
12
6
1000
525
1500
700
260
60
120
S
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
0.42 K / W
0.25
K / W
TO- 204AE大纲
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
TAB =收藏家
的TO- 247的AD概要
g
fs
I
C（ ON）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
1 - 门
2 - 发射极
案例 - 集电极
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS公司
3540巴西特街，圣克拉拉CA 95054
电话： 408-982-0700 ，传真： 408-496-0670
IXYS半导体有限公司
Edisonstr 。 15 ， D- 68623兰佩尔泰姆
电话： + 49-6206-503-0 ，传真： + 49-6206-503627
IXYS MOSFET和IGBT被包含在下列USpatents之一： 4835592 4881108 5017508 5049961 5187117 5486715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
IXSH 40N60
IXSM 40N60
IXSH 40N60A IXSM 40N60A
图。 1饱和特性
80
70
60
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
13V
图。 2
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
5
0
2
4
T
J
= 25°C
输出CHARACTERSTICS
V
GE
= 15V
I
C
- 安培
50
40
30
20
10
I
C
- 安培
11V
13V
11V
9V
7V
9V
7V
0
0
1
2
3
4
6
8
10 12 14 16
18 20
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 3集电极 - 发射极电压
10
与栅极 - 发射极电压
中T = 25℃
9
8
7
J
图。 4
1.5
1.4
温度依赖性
输出饱和电压
V
GE
=15V
I
C
= 80A
V
CE （ SAT ）
- 归
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I
C
= 20A
I
C
= 40A
V
CE
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
8
9
10
11
12
13
14
15
I
C
= 20A
I
C
= 40A
I
C
= 80A
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
GE
- 伏特
T
J
- 摄氏度
图。 5输入导纳
80
V
CE
= 10V
阈值电压
图。 6
1.3
的温度依赖性
击穿
BV
CES
I
C
= 3毫安
60
BV / V
GE （日）
- 归
70
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50
I
C
- 安培
50
40
30
20
10
0
T
J
= 125°C
T
J
= - 40°C
T
J
= 25°C
V
GE8th)
I
C
= 4毫安
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
GE
- 伏特
IXYS公司。版权所有。
IXYS公司
3540巴西特街，圣克拉拉CA 95054
电话： 408-982-0700 ，传真： 408-496-0670
T
J
- 摄氏度
IXYS半导体有限公司
Edisonstr 。 15 ， D- 68623兰佩尔泰姆
电话： + 49-6206-503-0 ，传真： + 49-6206-503627
IXSH 40N60
IXSM 40N60
IXSH 40N60A IXSM 40N60A
图7关断能源每脉冲和
下降时间在集电极电流
1000
T
J
= 125°C
R
G
= 10
的开启，关闭能源依赖图8
每脉冲和下降时间R上
G
12
9
6
1000
800
T
J
= 125°C
I
C
= 40A
E
关闭
（ -A ） ，高速
10
8
6
4
2
0
T
fi
- 纳秒
TFI - 纳秒
高速
E
关闭
- 毫焦耳
E
关闭
(-A)
600
400
200
0
500
t
fi
(-A)
250
0
0
10
20
30
40
50
高速
t
fi
（ -A ） ，高速
3
0
60
70
80
0
10
20
30
40
50
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
图9栅极电荷特性曲线
15
I
C
= 40A
Fig.10
100
关断安全工作区
12
V
CE
= 480V
10
T
J
= 125°C
R
G
= 22
的dV / dt < 6V / NS
9
6
3
0
I
C
- 安培
V
GE
- 伏特
1
0.1
0.01
0
50
100
150
200
250
0
100
200
300
400
500
600
700
Q
g
- nCoulombs
V
CE
- 伏特
图11瞬态热阻抗
1
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
0.01
D=0.01
D =占空比
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
时间 - SECONDS
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS公司
3540巴西特街，圣克拉拉CA 95054
电话： 408-982-0700 ，传真： 408-496-0670
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E
关闭
- 毫焦耳
750
IXYS公司。版权所有。
IXYS公司
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IXSH 40N60B
IXST 40N60B
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
16
23
3700
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
280
80
190
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
45
90
50
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100 μH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
W
50
110
120
1.8
55
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
W
170
1.7
190
180
2.0
200
200
2.6
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.45 K / W
(IXSH40N60B)
0.25
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXSH ）大纲
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
1.5 2.49
TO- 268AA （D
3
PAK ）
DIM 。
分钟。推荐足迹
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
QQ：2880707522 复制
