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IGBT
IXSH 35N120B
IXST 35N120B
I
C25
V
CES
= 70 A
= 1200 V
3.6 V
"S"系列 - 改进SCSOA能力
V
CE （ SAT ）
=
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
t
SC
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
J
= 125 ° C，R
G
= 5
钳位感性负载
最大额定值
1200
1200
±20
±30
70
35
140
I
CM
= 90
@ 0.8 V
CES
10
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
s
W
°C
°C
°C
°C
g
g
AD TO- 247 （ IXSH ）
（ TAB ）
G
C
E
TO- 268 （ IXST ）
G
E
（ TAB ）
C =收藏家
TAB =收藏家
T
J
= 125°C ，V
CE
= 720 V; V
GE
= 15 V ，R
G
= 22
T
C
= 25°C
G =门
E =发射器
特点
l
安装力矩
(TO-247)
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
300
l
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
重量
TO-247
TO-268
外延硅漂移区
- 快速切换
- 小尾电流
MOS管的栅极导通驱动器的简单
6
4
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1200
3
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
6
50
2.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
3.6
2.9
V
V
A
mA
nA
V
V
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 1.0毫安， V
GE
= 0 V
= 250
A,
V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 V
CES
注1
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90,
V
GE
= 15 V
注2
版权所有2002 IXYS所有权利。
98669B (01/02)
IXSH 35N120B
IXST 35N120B
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
16
23
3600
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
260
75
120
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
33
49
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
R
G
= 5
V
CE
= 0.8 V
CES
注3
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
R
G
= 5
,
V
CE
= 0.8 V
CES
注3
36
27
160
180
5
38
29
2.5
240
340
9
300
300
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
TAB =收藏家
TO- 247 AD纲要（ IXSH ）
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
注2
9兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.42 K / W
TO- 268外形（ IXST ）
(TO-247)
0.25
K / W
注：1 。
设备必须heatsunk高温漏电流
测量，以避免热失控。
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
切换时间可能会增加V
CE
（钳） ＆ GT ; 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
.
2.
3.
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。
马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IGBT
IXSH 35N120B
IXST 35N120B
I
C25
V
CES
= 70 A
= 1200 V
3.6 V
"S"系列 - 改进SCSOA能力
V
CE （ SAT ）
=
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
t
SC
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
J
= 125 ° C，R
G
= 5
钳位感性负载
最大额定值
1200
1200
±20
±30
70
35
140
I
CM
= 90
@ 0.8 V
CES
10
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
s
W
°C
°C
°C
°C
g
g
AD TO- 247 （ IXSH ）
（ TAB ）
G
C
E
TO- 268 （ IXST ）
G
E
（ TAB ）
C =收藏家
TAB =收藏家
T
J
= 125°C ，V
CE
= 720 V; V
GE
= 15 V ，R
G
= 22
T
C
= 25°C
G =门
E =发射器
特点
l
安装力矩
(TO-247)
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
300
l
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
重量
TO-247
TO-268
外延硅漂移区
- 快速切换
- 小尾电流
MOS管的栅极导通驱动器的简单
6
4
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1200
3
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
6
50
2.5
±100
T
J
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T
J
= 125°C
3.6
2.9
V
V
A
mA
nA
V
V
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 1.0毫安， V
GE
= 0 V
= 250
A,
V
CE
= V
GE
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CE
= 0.8 V
CES
注1
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90,
V
GE
= 15 V
注2
版权所有2002 IXYS所有权利。
98669B (01/02)
IXSH 35N120B
IXST 35N120B
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
16
23
3600
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
260
75
120
I
C
= I
C90
, V
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= 15 V, V
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感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
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, V
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R
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注3
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
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C90
, V
GE
= 15 V
R
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= 0.8 V
CES
注3
36
27
160
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5
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29
2.5
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300
300
S
pF
pF
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ns
ns
ns
ns
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
TAB =收藏家
TO- 247 AD纲要（ IXSH ）
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
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E
关闭
t
D（上）
t
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E
on
t
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t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
注2
9兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.42 K / W
TO- 268外形（ IXST ）
(TO-247)
0.25
K / W
注：1 。
设备必须heatsunk高温漏电流
测量，以避免热失控。
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
切换时间可能会增加V
CE
（钳） ＆ GT ; 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
.
2.
3.
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。
马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
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1.00
1.15
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3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
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.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
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5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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IN74LS164N
IRL630SPBF
IL-S-5P-S2T2-EF
IPS6031SR
IDT74FCT16H501ATPFB
ICL7650SCTV-1
IRKLF131-08FL
IDT74FCT388915T150JB
IRKNF180-04FP
IDT74FCT827AEB
IRF2807S
IRKTF200-12DK
IRKH162-10
IXDI602PI
IRFP244B
IDT7205S80SO
ICM7337BQ
IRKK27-18
IL-E1-0512
IRKL142/14
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXSH35N120B
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXSH35N120B
IXYS/艾赛斯
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23000
TO-247
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市科恒伟业电子有限公司
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联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
IXSH35N120B
IXYS
1922+
9825
TO-3P
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联系人：李
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
IXSH35N120B
IXYS
24+
2177
MODULE
公司大量 现货随时可以发货
深圳市科雨电子有限公司
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电话：171-4729-0036（微信同号）
联系人：卢小姐，171-4729-0036微信同号，无线联通更快捷
地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
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IXYS
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★体验愉快问购元件！！就找我吧!《停产物料》
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IXSH35N120B
IXYS
2024
21000
TO-247
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
IXSH35N120B
IXYS/艾赛斯
21+
15360
TO-247
全新原装正品/质量有保证
瀚佳科技（深圳）有限公司
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电话：0755-23915992/23140719
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
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24+
2177
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公司大量 现货随时可以发货
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联系人：朱先生／公司可以开13％的税
地址：深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。
IXSH35N120B
IXYS
1504+
8600
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一级代理原装现货热卖!
北京首天伟业科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
IXSH35N120B
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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电话：0755-22669259 83214703
联系人：李先生，夏小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室
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