IXSH25N120AU1
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
I
C（ ON）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
t
c
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
（上）
t
D（关闭）
t
fi
t
c
E
关闭
R
thJC
R
thCK
反向二极管（ FRED ）
0.25
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90,
V
GE
= 15 V ， L = 100μH
R
G
= 18
W
V
钳
= 0.8 V
CES
注1
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100μH
R
G
= 18
W,
V
钳
= 0.8 V
CES
注1
I
C
= I
c90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
I
C
= I
C90
,
V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T < 300微秒，占空比< 2 ％
V
GE
= 15V, V
CE
= 10 V
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
10
17
140
2850
210
50
120
30
50
100
200
450
650
800
9.6
100
200
1.8
450
900
1200
17
S
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
0.63 K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXSH ）大纲
1.5 2.49
特征值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
MIN 。 TYP 。
马克斯。
2.5
T
J
= 125C
T
J
= 25C
40
16
300
2.2
60
V
V
ns
A
ns
1.0 K / W
V
F
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0V
脉冲测试， t< 300微秒，占空比< 2 ％
t
rr
I
RM
t
rr
R
thJC
I
F
I
F
T
J
= 1A ;的di / dt = -100 /μs的; V
R
= 30V;
= I
C90
, V
GE
= 0V ， - 二
F
/ DT = 240 A / μs的
= 100℃ ，V
R
= 540V
注意事项：
1 ）切换时间可能会增加V
CE
（钳） ＆ GT ; 0.8 V
CES
，更高的温度
J
或RG值。
2）设备必须heatsunk对于高温测量，以避免热
暴走。
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
IXSH25N120AU1
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
I
C（ ON）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
t
c
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
（上）
t
D（关闭）
t
fi
t
c
E
关闭
R
thJC
R
thCK
反向二极管（ FRED ）
0.25
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90,
V
GE
= 15 V ， L = 100μH
R
G
= 18
W
V
钳
= 0.8 V
CES
注1
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100μH
R
G
= 18
W,
V
钳
= 0.8 V
CES
注1
I
C
= I
c90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
I
C
= I
C90
,
V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T < 300微秒，占空比< 2 ％
V
GE
= 15V, V
CE
= 10 V
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
10
17
140
2850
210
50
120
30
50
100
200
450
650
800
9.6
100
200
1.8
450
900
1200
17
S
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
0.63 K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXSH ）大纲
1.5 2.49
特征值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
MIN 。 TYP 。
马克斯。
2.5
T
J
= 125C
T
J
= 25C
40
16
300
2.2
60
V
V
ns
A
ns
1.0 K / W
V
F
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0V
脉冲测试， t< 300微秒，占空比< 2 ％
t
rr
I
RM
t
rr
R
thJC
I
F
I
F
T
J
= 1A ;的di / dt = -100 /μs的; V
R
= 30V;
= I
C90
, V
GE
= 0V ， - 二
F
/ DT = 240 A / μs的
= 100℃ ，V
R
= 540V
注意事项：
1 ）切换时间可能会增加V
CE
（钳） ＆ GT ; 0.8 V
CES
，更高的温度
J
或RG值。
2）设备必须heatsunk对于高温测量，以避免热
暴走。
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
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