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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第290页 > IXSH10N60
初步数据
高速IGBT
短路SOA能力
V
CES
I
C(25)
20 A
20 A
V
CE （ SAT ）
2.5 V
3.0 V
IXSH10N60
IXSH10N60A
600 V
600 V
的TO- 247的AD
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
t
SC
（ SCSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
300
安装力矩
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
J
= 125 ° C，R
G
= 150
钳位感性负载， L = 300
H
V
GE
= 15 V, V
CE
= 360 V，T
J
= 125°C
R
G
= 82
,
不重复
T
C
= 25°C
最大额定值
C（ TAB ）
600
600
±20
±30
20
10
40
I
CM
= 20
@ 0.8 V
CES
10
100
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
s
W
°C
°C
°C
G
C
E
G =门
E =发射器
C =收藏家
TAB =收藏家
特点
国际标准封装
保证短路SOA
能力
低V
CE （ SAT ）
- 低通态传导损耗
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
切换速度快下降时间
高达20千赫
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6g
°C
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
600
3.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
6.5
200
1
±100
10N60
10N60A
2.5
3.0
V
V
A
mA
nA
V
V
优势
交流电机调速
不间断电源（ UPS ）
焊接
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 250
A,
V
GE
= 0 V
= 750
A,
V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
易与1个螺丝安装
（隔绝安装螺纹孔）
高功率密度
版权所有1996 IXYS所有权利。
95562B(10/96)
IXSH10N60
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
MIN 。 TYP 。
马克斯。
2
S
IXSH10N60A
的TO- 247的AD概要
g
fs
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
I
C（ ON）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
50
750
125
30
40
12
20
100
200
250
175
720
0.75
1.2
100
200
1.0
300
400
1.5
1.25
0.25
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
K / W
e
P
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
80
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
毫米
分钟。马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
英寸
分钟。马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.209
.102
.098
.055
.084
.123
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V,
L = 300
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
,
R
G
= 150
注1
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V,
L = 300
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
,
R
G
= 150
注1
10N60A
10N60
10N60A
10N60
750
410
1.2
1.9
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
10N60AU1
10N60AU1
注意事项：
1.
切换时间可能会增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
或R
G
值。
设备必须heatsunk高温漏电流
测量，以避免热失控。
2.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
版权所有1996 IXYS所有权利。
IXSH10N60
IXSH10N60A
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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IS41LV16105-60T
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IDT7200LA80DB
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IDT74FCT166H245ATPAB
IXGT15N120C
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